一种埋入式电阻铜箔的生产工艺及其产品制造技术

本发明专利技术公开了一种埋入式电阻铜箔的生产工艺，包括：(1)在原箔的光面进行瘤化处理；(2)在经步骤(1)处理后的原箔表面涂覆有机隔离钝化液；有机隔离钝化液中包含有机成膜剂、无机钝化剂、添加剂和去离子水；有机成膜剂选自丙烯酸类树脂和/或聚氨酯类树脂；无机钝化剂选自硫酸氧钒和/或硫酸氧钛；(3)在经步骤(2)处理后的原箔表面电镀镍合金；(4)采用PTFE基材对经步骤(3)处理后的原箔进行高温压合，最后经全板蚀刻得到埋入式电阻铜箔。本发明专利技术制备得到的埋入式电阻铜箔的方阻值非常稳定，方阻值极差<2.0Ω/sq；且该埋入式电阻铜箔的在粗度较低的同时仍保证与高分子基材间的高抗剥离强度。强度。强度。

【技术实现步骤摘要】
一种埋入式电阻铜箔的生产工艺及其产品


[0001]本专利技术涉及电子材料的
，尤其涉及一种埋入式电阻铜箔的生产工艺及其产品。

技术介绍

[0002]随着无线通信、汽车电子及消费电子领域技术的飞速进步，PCB逐渐向着“轻、薄、短、小”的方向发展，客户对PCB电性能和可靠性的要求越来越高，高密度封装技术越来越显示出了其重要性，而将无源器件内置便是提高产品组装密度的一种有效方式。
[0003]无源器件内置可以缩短信号传输的距离，改善并增加封装有效面积，减少焊接部位，提高封装的可靠性。同时，小型、易封装等非常有利于降低成本，尤其改善电气特性，而埋置电阻技术便是其中一种常见的无源器件内置技术。
[0004]埋入式电阻铜箔就是将电阻与铜箔结合而形成的一种新材料。所谓埋入式电阻是将特殊的电阻材料通过电镀、电化学沉积或真空溅射手段，使其附着在铜箔上，然后将带有埋置电阻的箔材与基材压合后制成PCB板，再通过蚀刻工艺去除铜层，得到所需的平面电阻层。铜层若不蚀刻去除，因铜的电阻极小，所得的平面电阻层几乎没有电阻，无法满足使用要求。但若在蚀刻过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种埋入式电阻铜箔的生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1)在原箔的光面进行瘤化处理；(2)在经步骤(1)处理后的原箔表面涂覆有机隔离钝化液；所述有机隔离钝化液中包含有机成膜剂、无机钝化剂、添加剂和去离子水；所述有机成膜剂选自丙烯酸类树脂和/或聚氨酯类树脂；所述无机钝化剂选自硫酸氧钒和/或硫酸氧钛；(3)在经步骤(2)处理后的原箔表面电镀镍合金；(4)采用PTFE基材对经步骤(3)处理后的原箔进行高温压合，最后经全板蚀刻得到所述埋入式电阻铜箔。2.根据权利要求1所述的埋入式电阻铜箔的生产工艺，其特征在于，步骤(1)中：所述的瘤化处理包括粗化处理和固化处理；所述粗化处理采用的粗化处理液中铜离子浓度为15～20g/L，硫酸浓度90～120g/L，粗化处理液的温度为25～30℃，粗化处理的电流密度为18～20A/dm2；所述固化处理采用的固化处理液中铜离子浓度为50～55g/L，硫酸浓度80～90g/L，固化处理液的温度为30～36℃，固化处理的电流密度为15～18A/dm2。3.根据权利要求1所述的埋入式电阻铜箔的生产工艺，其特征在于，步骤(2)中：所述有机隔离钝化液中，有机成膜剂的浓度为1.5～3.5g/L，无机钝化剂的浓度为0.4～0.8g/L，添加剂0.1～0.4g/L；所述添加剂包括缓蚀剂、稳定剂、pH值调节剂中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的埋入式电阻铜箔的生产工艺，其特征在于，步骤(2)中：所述有...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗辉，潘建锋，马志华，葛凯，王忠辉，钟光维，
申请(专利权)人：浙江花园新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：