一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法技术

本发明专利技术公开了一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法，涉及陶瓷基板制备领域，旨在解决基板图形容易绝缘失效的问题，其技术方案是：步骤一，图形制备：制备蚀刻图形，取氮化铝覆铝母板基板显影得到需要蚀刻的图形边缘间隙；步骤二，超声空化蚀刻：置于超声振动条件下的酸性蚀刻液中进行浸泡式蚀刻，蚀刻后形成图形边缘间隙；步骤三，图形油墨包边印刷：图形印刷，将感光油墨按照图形网框图形对位印刷到基板上；步骤四，水平蚀刻：取步骤三基板，置于水平蚀刻线下进行酸性刻蚀液蚀刻至陶瓷基底，完成图形精密蚀刻。本发明专利技术的一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法能够获得高蚀刻因子，平滑的蚀刻图形轮廓。刻图形轮廓。刻图形轮廓。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷基板加工领域，更具体地说，它涉及一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法。

技术介绍

[0002]氮化铝覆铝基板主要以封装衬板应用于功率半导体IGBT器件中，其图形面为铝具有一定的图形，主要起到承载电流、绝缘、散热等作用。传统的铝蚀刻，铝面为加工轧制状态，其晶粒具有一定的面取向织构特征，蚀刻过程快，且精度较高，采用传统的水平蚀刻线即可完成铝面的图形制备。
[0003]氮化铝覆铝基板，因为其成型键合方法的特殊性，一般采用熔体液相键合的方法制备，其铝表面为铸态，因铝表面冷却速度的不同，铝表面晶粒分布不均，其表面无明显织构特征，表面晶粒为粗晶与细小等轴晶交错状态，在水平蚀刻线蚀刻过程中，晶粒尺寸、晶粒内部，晶界均体现不同的蚀刻速度，这就导致蚀刻过程中，图形边缘出现锯齿状，图形精度低。蚀刻因子小，容易导致后续表面镀过程渗镍，基板图形间绝缘失效。
[0004]故亟待开发一种高精度氮化铝覆铝基板蚀刻方法。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的不足，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，图形制备：制备蚀刻图形，取氮化铝覆铝母板基板经前处理清洗后，进行贴膜、曝光、显影得到需要蚀刻的图形边缘间隙；步骤二，超声空化蚀刻：取步骤一基板，置于超声振动条件下的酸性蚀刻液中进行浸泡式蚀刻，蚀刻后形成图形边缘间隙，去膜，备用；步骤三，图形油墨包边印刷：取步骤二基板，进行图形印刷，将感光油墨按照图形网框图形对位印刷到基板上，油墨覆盖到图形表面，同时溢流到图形边缘间隙中，烘干，曝光，显影后实现图形包边，备用；步骤四，水平蚀刻：取步骤三基板，置于水平蚀刻线下进行酸性刻蚀液蚀刻，蚀刻速度为0.5
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1.2m/min，上下喷淋压力为2
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2.5Kg/cm2，蚀刻至陶瓷基底，碱性退膜清洗，完成图形精密蚀刻。2.根据权利要求1所述的一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法，其特征在于：所述氮化铝覆铝基板的铝层厚度为0.2
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0.4mm。3.根据权利要求1所述的一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法，其特征在于：在步骤一中前处理清洗为依次采用氢氧化钠溶液浓度50
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100g/L，所述浸泡时间30
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60s，采用20
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50g/L的HNO3溶液，浸泡20
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45s，HNO3为68％浓度...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳鹏，王斌，丁慕禹，韩正尧，葛荘，
申请(专利权)人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：