基板测试装置及利用其的脱附力测量方法制造方法及图纸

本申请提供一种基板测试装置，该基板测试装置通过添加能够沿垂直方向推动或拉动基板的垂直力测量部，能够测量可靠性高的脱附力。该装置包括：静电卡盘，其支承基板；垂直力测量部，布置在静电卡盘上，并沿垂直方向推动或拉动基板；静电卡盘电力施加部，向静电卡盘施加驱动电压和第一接地电压；以及基板电力施加部，向基板施加第二接地电压，其中，通过向静电卡盘施加驱动电压以及向基板施加第二接地电压，基板被充电(charging)；然后，通过向静电卡盘施加第一接地电压以及向基板施加第二接地电压，基板被放电(discharging)；之后，通过垂直力测量部在垂直方向上拉动基板来测量基板的脱附力(dechucking force)。force)。force)。

【技术实现步骤摘要】
基板测试装置及利用其的脱附力测量方法


[0001]本专利技术涉及一种基板测试装置和使用该基板测试装置的脱附力测量方法。更具体地，本专利技术涉及用于评估静电卡盘的脱附力(dechucking force)的基板测试装置及利用该基板测试装置的脱附力测量方法。

技术介绍

[0002]通常，处理半导体晶片、平板显示器基板等表面的等离子体处理方式大致分为电容耦合型等离子体(CCP：Capacitively Coupled Plasma)处理方式和电感耦合型等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)处理方式。
[0003]如上所述，利用等离子体的基板处理工艺是指：向真空腔室内施加高频电力，使供应到腔室内的气体以等离子体状态流动，并通过此时形成的高能电子或自由基来对薄膜进行蚀刻和去除的工艺。为了成功地执行利用等离子体的基板处理工艺，在腔室内部对半导体基板进行夹持(吸附)和解夹持(脱附)的过程作为其中重要的工艺必不可少。
[0004]通常，用于制造半导体器件的工艺腔室中的基板保持方法包括机械夹持件(mechanic本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板测试装置，包括：静电卡盘，其支承基板；垂直力测量部，布置在所述静电卡盘上；静电卡盘电力施加部，向所述静电卡盘施加驱动电压和第一接地电压；以及基板电力施加部，向所述基板施加第二接地电压；其中，通过所述静电卡盘电力施加部向所述静电卡盘施加所述驱动电压以及所述基板电力施加部向所述基板施加所述第二接地电压，所述基板被充电，通过所述静电卡盘电力施加部向所述静电卡盘施加所述第一接地电压以及所述基板电力施加部向所述基板施加所述第二接地电压，所述基板被放电，以及由所述垂直力测量部测量所述基板的脱附力。2.根据权利要求1所述的基板测试装置，其中，在所述基板被充电之前，通过向所述基板施加所述第二接地电压来设置所述基板的初始电荷。3.根据权利要求2所述的基板测试装置，其中，在设置所述基板的初始电荷时，所述静电卡盘电力施加部不向所述静电卡盘施加所述驱动电压和所述第一接地电压。4.根据权利要求1所述的基板测试装置，其中，所述基板被充电达第一操作时间，以及所述基板被放电达与所述第一操作时间不同的第二操作时间。5.根据权利要求1所述的基板测试装置，其中，在所述基板被充电之后，且在所述基板被放电之前，不向所述静电卡盘施加所述驱动电压且不向所述基板施加所述第二接地电压，以使所述基板保持带电状态。6.根据权利要求5所述的基板测试装置，其中，所述基板被充电达第一操作时间，所述基板被放电达比所述第一操作时间短的第二操作时间，以及所述基板保持带电状态达比所述第二操作时间短的第三操作时间。7.根据权利要求1所述的基板测试装置，还包括：夹持件，布置在所述静电卡盘的下方，并用于固定所述静电卡盘。8.根据权利要求1所述的基板测试装置，其中，由所述垂直力测量部测量所述基板的脱附力是在所述基板不被施加所述第二接地电压且所述静电卡盘不被施加所述驱动电压和所述第一接地电压的状态下执行的。9.根据权利要求1所述的基板测试装置，其中，在所述基板被放电之后，在所述基板的内部残留有残留电荷，通过所述残留电荷，在所述基板和所述静电卡盘之间产生静电引力，以及所述脱附力是根据所述静电引力来确定的。10.根据权利要求1所述的基板测试装置，还包括：测试室，包括用于对所述基板进行处理的内部空间；以及传送部，布置在所述测试室的下方，并用于传送所述测试室。11.根据权利要求10所述的基板测试装置，还包括：电机，在所述测试室的上表面上，并且向所述垂直力测量部提供推动或拉动所述基板
的动力，其中，所述电机通过滚珠丝杠方法在垂直于所述基板的方向上向所述垂直力测量部提供所述动力。12.根据权利要求11所述的基板测试装置，其中，所述电机通过向所述垂直力测量部提供所述动力，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金锺浩，李斗熙，柳海容，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：