一种BiVO4/Ag2S复合光催化剂及其制备方法、应用技术

本发明专利技术属于光催化技术领域，具体涉及一种BiVO4/Ag2S复合光催化剂及其制备方法、应用。所述光催化剂以不锈钢丝网为基础，在不锈钢丝网上生长负载BiVO4纳米片，将Ag2S沉积在所述BiVO4纳米片上形成p

【技术实现步骤摘要】
一种BiVO4/Ag2S复合光催化剂及其制备方法、应用


[0001]本专利技术属于光催化
，具体涉及一种BiVO4/Ag2S复合光催化剂及其制备方法、应用。

技术介绍

[0002]近年来，环境问题日益严重，改善环境迫在眉睫，而废水处理是解决环境问题的重要环节。通常废水中同时含有重金属和有机污染物，这些污染物对环境和人类健康造成直接、间接或潜在的有害影响并且难以自然降解。半导体材料光催化治理环境污染是重要和有潜力的方法，但大多数二元金属氧化物半导体只对占太阳光很小一部分的紫外光响应，光催化性能较弱，大大限制了光的利用和光催化的实践应用。
[0003]在铋基半导体材料中，Bi
3+
的Bi 6s轨道可与O 2p轨道发生部分重叠、杂化形成价带顶，一方面使能隙变窄拓宽光响应范围，另一方面价带宽度的增加，提高了光生空穴的流动性有利于光生电荷的分离；其次，铋基半导体材料独特的层状结构减少了光生载流子的重新复合几率。钒酸铋是一种典型的n型半导体材料，其具有较窄的带隙(Eg＝2.5eV)和独特的结构，理论结果证明BiVO4是很有潜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种BiVO4/Ag2S复合光催化剂，其特征在于，所述光催化剂以不锈钢丝网为基础，在不锈钢丝网上生长负载BiVO4纳米片，将Ag2S沉积在所述BiVO4纳米片上形成p
‑
n异质结BiVO4/Ag2S复合材料，所述BiVO4纳米片为花状结构，直径为120～200nm。2.根据权利要求1所述的BiVO4/Ag2S复合光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将Bi(NO3)3·
5H2O和NaVO3分别放入溶剂中室温超声，然后将NaVO3溶液加入Bi(NO3)3·
5H2O溶液中室温超声得到混合溶液；S2、将处理后不锈钢丝网置于反应釜中，加入S1得到的混合溶液浸没不锈钢丝网，进行水热反应，水热反应结束后在500℃下进行煅烧，得到BiVO4丝网；S3、将S2得到的BiVO4丝网依次在AgNO3溶液和Na2S溶液中进行浸泡，室温干燥得到BiVO4/Ag2S复合光催化剂。3.根据权利要求2所述的BiVO4/Ag2S复合光催化剂的制备方法，其特征在于，S1中，所述Bi(NO3)3·
5H2O和NaVO3的摩尔比为1:1～2，所述Bi(NO3)3·
5H2O和溶剂的摩尔体积比均为1mmol:20～40mL，所述NaVO3和溶剂的摩尔体积比均为1mmol:20～40mL，所述溶剂为乙二醇，所述超声的时间为10～60min。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵一阳，李政道，杨传云，
申请(专利权)人：南阳师范学院，
类型：发明
国别省市：