充电保护方法、充电保护电路和电子设备技术

本申请公开了一种充电保护方法、充电保护电路和电子设备，充电保护方法包括：采集用于电池充电的过流保护电路的基准电压和充电回路的检测电压，生成所述检测电压与所述基准电压形成第一电阻分压的第一分压电压，以建立充电过电流保护值与所述第一分压电压的关联关系；通过在所述基准电压和所述第一分压电压之间设置MOS开关，根据所述MOS开关的体效应与亚阈值区特性，控制所述充电过电流保护值随着所述第一分压电压的变化而减小；当所述检测电压小于所述充电过电流保护值时，根据所述第一分压电压控制所述充电回路断开；以保证充电过电流保护功能电路的安全持续运行。流保护功能电路的安全持续运行。流保护功能电路的安全持续运行。

【技术实现步骤摘要】
充电保护方法、充电保护电路和电子设备


[0001]本申请涉及电池充电流过保护
，具体而言，涉及一种充电保护方法、充电保护电路和电子设备。

技术介绍

[0002]市场中的电池保护芯片的充电过电流保护功能(OCI)，其过电流保护点都是固定的，但是实际情况中，当电池电量低于阈值电压VBTH时，充电过电流保护值一般为其所允许的最大充电电流，而当电池电量高于阈值电压VBTH，即电池电量接近满电量时，如果仍然保持原充电过电流保护值不变，则较大的充电电流对电池保护芯片造成损伤，这时需要控制充电过电流保护值随着电池电量升高而减小，才能避免上述情况的方法，因此，急需一种自适应可变充电过电流保护的电池保护方法及系统，通过适时改变充电过电流保护值，避免在电池接近满电量时，较大的充电电流对电池保护芯片造成损伤。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本申请的目的是提供一种自适应可变充电过电流保护的电池保护方法及系统，依据MOSFET的体效应原理以及亚阈值特性，利用MOSFET管实现对于充电过电流保护值动态调整，进而避免在电池接近满电量时，较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种充电保护方法，其特征在于，包括以下步骤：采集用于电池充电的过流保护电路的基准电压和充电回路的检测电压，生成所述检测电压与所述基准电压形成第一电阻分压的第一分压电压，以建立充电过电流保护值与所述第一分压电压的关联关系；通过在所述基准电压和所述第一分压电压之间设置MOS开关，依据获取的充电过电流保护值与所述第一分压电压的关联关系，根据所述MOS开关的体效应与亚阈值区特性，控制所述充电过电流保护值随着所述第一分压电压的变化而减小；当所述检测电压小于所述充电过电流保护值时，根据所述第一分压电压控制所述充电回路断开。2.根据权利要求1所述的充电保护方法，其特征在于：在采集所述基准电压的过程中，所述基准电压与所述电池的电压无关。3.根据权利要求2所述的充电保护方法，其特征在于：在建立充电过电流保护值与所述第一分压电压的大小关系的过程中，根据所述第一分压电压与所述电池的负极电压，判断所述电池的当前工作状态，其中，当所述第一分压电压大于所述电池的负极电压时，所述电池为充电状态；当所述第一分压电压小于所述电池的负极电压时，所述电池为过充电流保护状态。4.根据权利要求1所述的充电保护方法，其特征在于：所述MOS开关为P
‑
MOSFET和/或N
‑
MOSFET，在设置所述MOS开关的过程中，所述MOS开关的源极连接所述基准电压；所述MOS开关的漏极连接到与所述第一分压电压相关的第一电阻分压正端。5.根据权利要求4所述的充电保护方法，其特征在于：所述MOS开关的衬底连接到与所述电池的正极的第二电阻分压，以根据所述MOS开关的体效应与亚阈值特性，控制所述充电过电流保护值随着所述电池正极电压的增大而减小。6.根据权利要求5所述的充电保护方法，其特征在于：在检测到所述电池的正极电压逐步升高的过程中，基于所述体效应与亚阈值区特性，控制所述MOS开关进入亚阈值区，使得所述MOS开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙登波，
申请(专利权)人：上海咨芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：