本发明专利技术提供了一种电机驱动装置的精细化辐射屏蔽方法，用于解决现有的屏蔽方法成本较高且屏蔽效果较差的技术问题。该辐射屏蔽方法首先将电机驱动装置的各个芯片分别进行辐照测试，得到各个芯片的抗辐射能力；接着根据各个芯片的抗辐射能力，计算各个芯片屏蔽所需的铅材料的厚度；最后将对应厚度的铅材料覆盖在对应芯片的上下两侧，再将各个芯片组装至相应的位置，即完成电机驱动装置的精细化辐射屏蔽。该方法只需对驱动各芯片进行铅材料包覆，而无需将整个电路板包起来，进而节省了铅材料，降低了包覆的成本，与整机包覆相比，提升了电机驱动装置的整体屏蔽效果。电机驱动装置的整体屏蔽效果。电机驱动装置的整体屏蔽效果。
【技术实现步骤摘要】
一种电机驱动装置的精细化辐射屏蔽方法
[0001]本专利技术涉及芯片屏蔽方法，具体涉及一种电机驱动装置的精细化辐射屏蔽方法。
技术介绍
[0002]近年来，核工业领域对于数字化和智能化的要求越来越高，而数字化和智能化的现代化电子设备要在核辐射环境中工作，必然会造成其功能的退化甚至失效。常见的做法是将整个电子设备使用铅材料包裹，以此来屏蔽核辐射，但由于铅是一种高密度的材料，故屏蔽后电子设备的体积和重量均较大，在实际使用中会导致电子设备的智能化工作出现较多问题。如常见电机驱动尺寸为20cm*12cm*5cm，如果将整个驱动使用铅包裹屏蔽，其抗辐射能力可增强至原先的两倍，但同时需要使用大概20KG的铅材料，成本较高。
[0003]现有的屏蔽方法存在如下问题：
①
其屏蔽目标是整个电子设备，而电子设备内部有很多部件对辐射不敏感，其本身不需进行屏蔽，如全部屏蔽，则成本较高且造成了资源的浪费；
②
整体屏蔽后会出现木桶效应，使得整个电子设备最终的抗辐射能力是设备里抗辐射能力最弱的那一环节，对于设备大部分的屏蔽没有发挥出最大的效果，整体屏蔽效果较差，而其最终呈现出的也并非电子设备本身真实的抗辐射能力。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种电机驱动装置的精细化辐射屏蔽方法，主要解决现有的屏蔽方法成本较高且屏蔽效果较差的技术问题。
[0005]针对上述技术问题，本专利技术的技术方案如下：
[0006]一种电机驱动装置的精细化辐射屏蔽方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：
[0007]S1，将电机驱动装置的各个芯片分别进行辐照测试，得到各个芯片的抗辐射能力；所述各个芯片指电机驱动装置的电源芯片、功率驱动芯片、控制芯片及通讯芯片；
[0008]S2，根据步骤S1得到的各个芯片的抗辐射能力，得到各个芯片屏蔽所需的铅材料的厚度；
[0009]S3，将步骤S2对应厚度的铅材料覆盖在对应芯片的上下两侧，再将各个芯片组装至相应的位置，即完成电机驱动装置的精细化辐射屏蔽。
[0010]进一步地，步骤S1中，对电源芯片的辐照测试包括以下步骤：
[0011]S1.1，将电源芯片与测试装置连接，并将该芯片置于辐射场内，测试装置的电源和测量设备置于辐射场外；所述测量设备包括滑动变阻器和信息采集器；
[0012]S1.2，启动辐射场，通过测试装置的电源调整该芯片的偏置状态，并通过滑动变阻器调整该芯片的负载状态；
[0013]S1.3，通过信息采集器获取该芯片在不同偏置状态和不同负载状态下的输出电流和输出电压，直至该芯片失效；
[0014]S1.4，根据步骤S1.3最终的输出电流和输出电压得到该芯片的抗辐射能力，进而完成电源芯片的辐照测试。
[0015]进一步地，所述偏置状态包括悬空状态、工作状态及接地状态；所述负载状态包括空载、半载及满载。
[0016]进一步地，步骤S1中，对功率驱动芯片、控制芯片及通讯芯片的测试方法为：将待测芯片与测试装置连接，并将待测芯片置于辐射场内，测试装置的电源和测量设备置于辐射场外，启动辐射场，通过测试装置的电源调整该芯片分别处于悬空状态或工作状态，通过信息采集器分别对待测芯片持续监控测量，直至芯片失效，从而完成各待测芯片的辐照测试。
[0017]进一步地，步骤S1.2中，所述辐射场的辐照剂量率为1000～1500Gy/h。
[0018]进一步地，步骤S3中，在对芯片进行覆盖时，覆盖的铅材料各个边长需比所覆盖芯片的边长多2～3mm。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
[0020]1、本专利技术的辐射屏蔽方法首先将电机驱动的各个芯片分别进行辐照测试，得到各个芯片的抗辐射能力；接着根据各个芯片的抗辐射能力，计算各个芯片屏蔽所需的铅材料的厚度；最后将对应厚度的铅材料覆盖在对应芯片的上下两侧，再将各个芯片组装至相应的位置，即完成精细化的电机驱动辐射屏蔽。该方法只需对驱动各芯片进行铅材料包覆，而无需将整个电路板包起来，进而节省了铅材料，降低了包覆的成本；另外，通过对各个芯片的屏蔽，确保芯片在辐射场正常工作的同时，其余不受辐射影响的部件也保持了其原本的性能，进而提升了电机驱动装置整体的屏蔽效果，确保其工作性能不受影响。
[0021]2、本专利技术的辐射屏蔽方法在进行辐照测试时，辐射场的辐照剂量率为1000～1500Gy/h，以此提高了辐照测试效率，进而优化了屏蔽过程。
[0022]3、采用本专利技术的方法屏蔽的电机驱动装置，重量仅有3.5KG，与整体屏蔽后重量达20KG相比，重量大幅减小，电机驱动装置更加轻便化。
附图说明
[0023]图1为本专利技术一种电机驱动装置的精细化辐射屏蔽方法实施例的流程图。
具体实施方式
[0024]以下结合附图和具体实施例对本专利技术的技术方案进行信息描述。
[0025]如图1所示，本专利技术提供了一种电机驱动装置的精细化辐射屏蔽方法，具体包括以下步骤：
[0026]S1，将电机驱动装置的各个芯片分别进行辐照测试，得到各个芯片的抗辐射能力。
[0027]本实施例是针对电机驱动装置中对辐射敏感的部位进行精细化屏蔽，而电机驱动中只有半导体硅基器件才会受到核辐射的影响，因此，本专利技术需要屏蔽的就只有电机驱动中电路板上的芯片，而其余部件如电容、电阻及电路板等，辐射对其本身性能影响较小，则无需对其进行屏蔽。
[0028]步骤S1中的各个芯片指电机驱动装置的电源芯片、功率驱动芯片、控制芯片及通讯芯片，其中，对与电源芯片辐照测试的方法具体为：
[0029]S1.1，将电源芯片与测试装置连接，并将该芯片置于辐射场内，测试装置的电源和测量设备置于辐射场外，由此可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测。除电源芯片外，
其余的功率驱动芯片、控制芯片及通讯芯片只需测量悬空和工作两种状态即可。
[0030]本实施例中，测量设备包括滑动变阻器和信息采集器，信息采集器包括电流表和电压表，也可在电流表和电压表外部连接一个数据处理器和显示器，从而将电源芯片在辐照过程中的输出数据进行处理并在显示器上展示，以便操作者更为直观的观察电源芯片在测试过程中的变化。
[0031]S1.2，启动辐射场，在测试过程中通过测试装置的电源调整该芯片的偏置状态，使其分别处于悬空状态、工作状态及接地状态；通过滑动变阻器调整该芯片的负载状态，负载状态包括空载、半载及满载，也可根据实际测试需求进行相应负载的调整。本实施例中，辐射场的辐照剂量率为1000～1500Gy/h，该剂量率可有效提高测试的效率。
[0032]S1.3，通过信息采集器获取该芯片在不同状态和不同负载下的输出电流和输出电压，直至该芯片失效，当输出电压为0时，即认为该芯片已经失效，则测试结束。
[0033]S1.4，依据步骤S1.3最终的输出电流和输出电压得到该芯片的抗辐射能力，进而完成该芯片的辐照测试；输出电压为0时，芯片吸收的辐照总剂量本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电机驱动装置的精细化辐射屏蔽方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将电机驱动装置的各个芯片分别进行辐照测试，得到各个芯片的抗辐射能力；所述各个芯片指电机驱动装置的电源芯片、功率驱动芯片、控制芯片及通讯芯片；S2，根据步骤S1得到的各个芯片的抗辐射能力，得到各个芯片屏蔽所需铅材料的厚度；S3，将步骤S2对应厚度的铅材料覆盖在对应芯片的上下两侧，再将各个芯片组装至相应的位置，即完成电机驱动装置的精细化辐射屏蔽。2.根据权利要求1所述的电机驱动装置的精细化辐射屏蔽方法，其特征在于，步骤S1中，对电源芯片的辐照测试包括以下步骤：S1.1，将电源芯片与测试装置连接，并将该芯片置于辐射场内，测试装置的电源和测量设备置于辐射场外；所述测量设备包括滑动变阻器和信息采集器；S1.2，启动辐射场，通过测试装置的电源调整该芯片的偏置状态，并通过滑动变阻器调整该芯片的负载状态；S1.3，通过信息采集器获取该芯片在不同偏置状态和不同负载状态下的输出电流和输出电压，直至该芯片失效；S1.4，根据步骤S1.3最终的输出电流和输出电压得到该芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员：李豫东，张巍，施炜雷，郭旗，刘海涛，陈亚文，阚永葭，于钢，冯婕，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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