显示面板的制作方法及显示面板技术

本申请提供了一种显示面板的制作方法及显示面板，通过在显示面板的半导体图案的欧姆接触部的背离基板的表面形成多个间隔分布的柱状光阻，然后在基板和柱状光阻上形成绝缘层，在将柱状光阻去除时，可以将位于柱状光阻上方绝缘层一同去除，并裸露出欧姆接触部，在后续形成第一金属层和第二金属层时，源极和漏极可以直接与对应的欧姆接触部搭接，从而可以节省用于刻蚀绝缘层所需的光罩，同时还可以避免源极或漏极与欧姆接触部接触时发生断裂，从而可以提高显示面板的工艺良率。而可以提高显示面板的工艺良率。而可以提高显示面板的工艺良率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板的制作方法及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板的制作方法及显示面板。

技术介绍

[0002]电致发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、低功耗、高色饱和度以及广视角等优点，电致发光二极管显示技术已经被业界公认为最具有发展潜力的显示技术。
[0003]现有OLED显示面板的各个结构膜层数量较多，要将这些膜层进行图案化处理也需要更多的光罩，导致OLED显示面板的制作成本较高，且在对由不同无机材料形成的无机叠层结构开搭接孔时容易形成底切结构，金属膜层通过具有底切结构的搭接孔进行搭接时容易发生断裂造成搭接不良，导致OLED显示面板的工艺良率降低。
[0004]故，有必要提供一种显示面板的制作方法及显示面板来改善这一缺陷。

技术实现思路

[0005]本申请的实施例提供了一种显示面板的制作方法及显示面板，不仅可以减少光罩的数量，还可以避免金属膜层搭接不良，提高显示面板的工艺良率。
[0006]本申请的实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：
[0007]在基板上形成半导体层；
[0008]对所述半导体层进行图案化处理，形成多个半导体图案和多个柱状光阻，所述半导体图案具有沟道部和欧姆接触部，多个所柱状光阻在所述欧姆接触部的背离所述基板的表面间隔分布；
[0009]在所述基板和所述柱状光阻上形成绝缘层；
[0010]将所述柱状光阻和位于所述柱状光阻上的所述绝缘层去除，裸露出所述欧姆接触部；
[0011]在所述绝缘层上形成第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；
[0012]在所述绝缘层上形成第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与对应的所述欧姆接触部接触。
[0013]根据本申请一实施例，所述对所述半导体层进行图案化处理，形成多个半导体图案和多个柱状光阻的步骤包括：
[0014]在所述半导体层上形成第一光阻层；
[0015]对所述第一光阻层依次进行曝光和显影，形成多个第一光阻图案；
[0016]对所述半导体层进行刻蚀，形成所述半导体图案；
[0017]对所述第一光阻图案依次进行减薄处理和刻蚀，形成多个所述柱状光阻。
[0018]根据本申请一实施例，所述第一光阻图案与所述欧姆接触部重叠部分的厚度大于所述第一光阻图案与所述沟道部重叠部分的厚度。
[0019]根据本申请一实施例，位于所述基板上的所述绝缘层与位于所述柱状光阻上的所
述绝缘层断开。
[0020]根据本申请一实施例，所述柱状光阻的厚度介于900埃至2000埃之间。
[0021]根据本申请一实施例，所述柱状光阻的直径或者所述柱状光阻的外接圆的直径介于200埃至500埃之间。
[0022]根据本申请一实施例，在同一所述欧姆接触部上，任意相邻两个所述柱状光阻之间的距离介于800埃至1000埃之间。
[0023]根据本申请一实施例，所述基板上依次形成有遮光层和缓冲层，所述半导体层形成于所述缓冲层的背离所述基板的表面上，所述遮光层包括多个遮光图案和信号线，所述对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极的步骤包括：
[0024]在所述第一金属层上形成第二光阻层；
[0025]对所述第二光阻层依次进行曝光和显影，在所述第二光阻层对应所述信号线的部分形成开口，所述开口裸露出部分所述第一金属层，并使所述第二光阻层与所述沟道部重叠部分的厚度大于所述第二光阻层其他部分的厚度；
[0026]对所述开口裸露出的所述第一金属层、所述绝缘层和所述缓冲层依次进行刻蚀，裸露出所述信号线；
[0027]对所述第二光阻层进行减薄处理，形成第二光阻图案，所述第二光阻图案与所述沟道部重叠；
[0028]对所述第一金属层进行刻蚀，形成所述栅极。
[0029]依据本申请上述实施例提供的显示面板的制作方法，本申请的实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板由上述的显示面板的制作方法制作形成。
[0030]根据本申请一实施例，所述栅极与所述源极和所述漏极同层设置。
[0031]本申请实施例的有益效果：本申请的实施例提供了一种显示面板的制作方法及显示面板，通过在半导体层图案的欧姆接触部的背离基板的表面形成多个间隔分布的柱状光阻，然后在基板和柱状光阻上形成绝缘层，在将柱状光阻去除时，可以将位于柱状光阻上方绝缘层一同去除，并裸露出欧姆接触部，在后续形成第一金属层和第二金属层时，源极和漏极可以直接与对应的欧姆接触部搭接，从而可以节省用于刻蚀所述绝缘层所需的光罩，同时还可以避免在绝缘层裸露出所述欧姆接触部的区域形成底切结构，如此可以避免源极或漏极与欧姆接触部接触时发生断裂，从而可以提高显示面板的工艺良率。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1为本申请的实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图；
[0034]图2a至图2j为本申请的实施例提供的显示面板的制作方法的流程结构示意图。
具体实施方式
[0035]以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施
例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0036]下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步的说明。
[0037]本申请实施例提供一种显示面板的制作方法及显示面板，不仅可以减少光罩的数量，还可以避免金属膜层搭接不良，提高显示面板的工艺良率。
[0038]结合图1、图2a至图2j所示，本申请的实施例提供的显示面板的制作方法包括以下步骤：
[0039]步骤S10：在基板10上形成半导体层13。
[0040]需要说明的是，在所述基板10上形成所述半导体层13，可以指的是所述半导体层13形成于所述基板10上，并且与所述基板10直接接触；也可以指的是所述半导体层13形成于所述基板10上，并且与所述基板10之间通过其他膜层(例如遮光层、缓冲层或者阻隔层等)间隔开。
[0041]在本申请的实施例中，如图2a所示，所述基板10上依次形成有遮光层11和缓冲层12，所述半导体层13形成于所述缓冲层12的背离所述基板10的表面上，并且与所述缓冲层12直接接触。
[0042]所述半导体层13的材料为氧化物半导体。所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成半导体层；对所述半导体层进行图案化处理，形成多个半导体图案和多个柱状光阻，所述半导体图案具有沟道部和欧姆接触部，多个所柱状光阻在所述欧姆接触部的背离所述基板的表面间隔分布；在所述基板和所述柱状光阻上形成绝缘层；将所述柱状光阻和位于所述柱状光阻上的所述绝缘层去除，裸露出所述欧姆接触部；在所述绝缘层上形成第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；在所述绝缘层上形成第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与对应的所述欧姆接触部接触。2.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述对所述半导体层进行图案化处理，形成多个半导体图案和多个柱状光阻的步骤包括：在所述半导体层上形成第一光阻层；对所述第一光阻层依次进行曝光和显影，形成多个第一光阻图案；对所述半导体层进行刻蚀，形成所述半导体图案；对所述第一光阻图案依次进行减薄处理和刻蚀，形成多个所述柱状光阻。3.如权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一光阻图案与所述欧姆接触部重叠部分的厚度大于所述第一光阻图案与所述沟道部重叠部分的厚度。4.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，位于所述基板上的所述绝缘层与位于所述柱状光阻上的所述绝缘层断开。5.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述柱状光...

【专利技术属性】
技术研发人员：章仟益，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：