【技术实现步骤摘要】
一种基于典型BUCK下PSM模式的自举电压恢复电路
[0001]本专利技术属于集成电路
,具体涉及一种基于典型BUCK下PSM模式的自举电压恢复电路。
技术介绍
[0002]自举电压电路,作为5V以上的轻重载高压DC
‑
DC电路中开启NMOS管驱动的一部分,是不可或缺的。以典型的BUCK电路为例,当电路由PWM模式切换为PSM模式后,输出电压会突然增大,高端功率管和低端功率管此时全部关断,输出电压只通过负载进行逐步放电进入PSM模式的充电阈值。但在输出电压放电的同时,通过自举电路抬升在外接电容上的5V电压也会逐步降低,当轻载下负载特别轻时,输出电压放电的时间就会很长,自举电路抬升在外接电容上的5V电压会逐步下降至0,导致当输出电压下降到PSM模式的充电阈值时,高端功率管无法导通充电,PSM模式则无法正常工作。常见的是在输出电压放电过程中,通过控制低端功率管每间隔一段时间开启一下,使得VSW点电压下降,自举电路工作,使得VBOOT与VSW之间的5V压差恢复一次电位。
[0003]上述方法利用间隔 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
接入电路,电路工作于重载PWM模式;当切换开关T1断开、T2导通时R4接入电路,电路由重载PWM模式切换为轻载PSM模式;处于轻载PSM模式下,低端功率管驱动电路一直处于关断状态;高端功率管M
H
的源级关闭;所述BUCK电路的输出电压V
O
通过轻载电阻R4放电;当输出电压V
O
下降至5V时,分压反馈电路将跟随输出电压V
O
变化的分压V
FB
反馈至自举电压恢复电路,由自举电压恢复电路产生电流对高电位VBOOT充电,直至高电位VBOOT高于VSW的电压不低于5V,此时所述自举电压恢复电路关闭充电。4.根据权利要求3所述的基于典型BUCK下PSM模式的自举电压恢复电路,其特征在于,所述自举电压恢复电路包括LDPMOS1管1(M1)、LDPMOS管2(M2)、LDPMOS管3(M3)、LDPMOS管4(M4)、LDPMOS管5(M5)、LDPMOS管6(M6)、LDNMOS管7(M7)、LDNMOS管8(M8)、LDNMOS管9(M9)、LDNMOS管10(M
10
)、NMOS管11(M
11
)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一比较器(COMP1)、第二比较器(COMP2)、两个上升沿检测模块、一个两输入与门和一个RS触发器;其中,LDPMOS1管1(M1)、LDPMOS管2(M2)、LDPMOS管3(M3)的源端均接VIN,LDPMOS管3(M3)和LDPMOS管6(M6)的栅端分别接外加偏置V_BIAS_P1和V_BIAS_P2,第五电阻(R5)的正极作为分压反馈电路的第一输入端连接输入电压(VBOOT),第五电阻(R5)的负极连接第六电阻(R6)的正极,第五电阻(R5)的负极连接所述比较器COMP1的正端,COMP1的负端接参考电压VREF_1P2V,第一比较器(COMP1)的输出接第一上升沿检测模块,第一上升沿检测模块的输出接RS触发器的S端;第二比较器(COMP2)的正端接参考电压VREF_1P2V,负端接BUCK电路中的反馈电阻分压V
FB
,第二比较器(COMP2)的输出接第二上升沿检测模块,第二上升沿检测模块的输出接两输入与门的一端,两输入与门的另一端接PWM模式与PSM模式的标志位PWM_PSM,两输入与门的输出接RS触发器的R端,RS触发器的输出接NMOS管11(M
11
)的栅极;LDNMOS管9(M9)、LDNMOS管10(M
10
)、NMOS管11(M
11
)的源级和第六电阻(R6)的负极均接GND。5.根据权利要求4所述的基于典型BUCK下PSM模式的自举电压恢复...
【专利技术属性】
技术研发人员:张艺蒙,陈洋,张玉明,汤晓燕,宋庆文,孙乐嘉,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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