一种芯片封装用高可靠性金线键合工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种芯片封装用高可靠性金线键合工艺，涉及芯片封装技术领域；为了解决单一类型的金线在使用时性能不佳的问题；具体包括如下步骤：将需封装芯片按照常规贴片方式固定至基板上；利用2N金线在芯片PAD的位置植入金球，得到2N球体；通过4N金线为芯片PAD与基板搭建电路连接桥梁；完成键合；所述4N金线的直径为0.5～2mil；所述2N球体的直径为芯片PAD尺寸的2/3、3/4、5/6等。本发明专利技术通过将2N金线和4N金线两种不同金线相组合的键合方式实现芯片封装，实现集合两种金线优点的功能，既可以达到高可靠性，又可以满足高速、高频的需求，可避免出现使用单一类型金线可靠性低、电阻率偏大的问题。大的问题。大的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装用高可靠性金线键合工艺


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种芯片封装用高可靠性金线键合工艺。

技术介绍

[0002]目前，一些存储芯片由于晶圆内部结构和制造工艺限制，芯片表面的焊线PAD都以铝层为主，厚度仅有1～3um，封装时采用金线焊线为主。在采用金线封装时，金与铝在键合时会产生金属间化合物AuA12和Au5A12，进而产生柯肯达尔空洞，该空洞会在常温下缓慢生长或者高温下迅速生长，空洞会一直扩大直至断裂或者脱焊，因此需要寻找合适材质的金线用于存储芯片封装。
[0003]现有技术中，芯片封装常采用含金量99.99％的4N和含金量99％的2N两种金线，这两种金线在使用时，4N金线的晶粒大小更加均匀，有较好的延展性和较高的弹性模量，而且其导电性能更加优良，电阻较小，常被用于普通环境、可靠性等级不高的存储芯片封装；2N金线一般会掺杂其它元素抑制金铝键合的金属间化合物生长速度来提升产品可靠性，常被用于高可靠、高温应用的芯片封装，但2N金线的电阻率一般高于4N金线10％，因此不适用于高速、高频芯片封装。在实际应用时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装用高可靠性金线键合工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1：将需封装芯片按照常规贴片方式固定至基板上；S2：利用2N金线在芯片PAD的位置植入金球，得到2N球体；S3：通过4N金线为芯片PAD与基板搭建电路连接桥梁；S4：完成键合；所述4N金线的直径为0.5～2mil。2.根据权利要求1所述的一种芯片封装用高可靠性金线键合工艺，其特征在于，所述2N球体的直径为芯片PAD尺寸的2/3、3/4或5/6等，2N球体的直径略小于芯片PAD的尺寸。3.根据权利要求2所述的一种芯片封装用高可靠性金线键合工艺，其特征在于，所述4N金线的一端焊接点直径为4N金线直径的1.5
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3倍。4.根据权利要求1所述的一种芯片封装用高可靠性金线键合...

【专利技术属性】
技术研发人员：张力，廖承宇，何洪文，
申请(专利权)人：沛顿科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：