一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET的制造方法，包括：取一碳化硅衬底，在碳化硅衬底上氧化生长一层二氧化硅埋层；在二氧化硅埋层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积形成漂移层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积体区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成两个通孔，通过通孔对漂移层和体区进行离子注入，形成漏区和源区；在源区和漏区淀积金属，形成源极金属层和漏极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化生长，形成栅极绝缘层；通过对栅极绝缘层淀积金属，形成栅极金属；去除所有阻挡层，使得工作时产生的热量通过金属层散掉，延长了器件的使用寿命。使用寿命。使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET的制造方法。

技术介绍

[0002]SiC器件碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。其纵向器件已经逐渐走向成熟，在汽车电子、充电桩、光伏、风力等发电装置、高铁等应用广泛，但是均为单管或者封装模块为主，不存在集成电路的应用；并且由于SiC卓越的热导性能，其热量会往器件底部扩散，而底部没有散热通道，在衬底出现热集中，热量难以散出去，在底部聚集过多热量后，会损坏器件。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET的制造方法，让器件工作时产生的热量直接通过源极金属层和漏极金属层散掉，而不会在器件底部聚集，进而延长了器件的使用寿命。
[0004]本专利技术是这样实现的：一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET的制造方法，具体包括如下步骤：步骤1、取一碳化硅衬底，在碳化硅衬底上氧化生长一层二氧化硅埋层；步骤2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤1、取一碳化硅衬底，在碳化硅衬底上氧化生长一层二氧化硅埋层；步骤2、在二氧化硅埋层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积形成漂移层；步骤3、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积体区；步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成两个通孔，通过通孔对漂移层和体区进行离子注入，形成漏区和源区；步骤5、在源区和漏区淀积金属，形成源极金属层和漏极金属层；步骤6、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化生长，形成栅极绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：周海，施广彦，胡臻，何佳，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：