交流供电电路和储能电源制造技术

本申请公开了一种交流供电电路和储能电源。交流供电电路包括逆变器、电流检测模块、控制器模块和功率MOS及驱动模块，电流检测模块用于检测向逆变器提供直流电的输入路径的电流信号，输出第一控制信号，控制器模块用于根据第一控制信号停止产生第二控制信号，功率MOS及驱动模块设置于输入路径中，功率MOS及驱动模块用于根据第二控制信号关断或打开以控制输入路径的通电情况，在控制器模块停止输出第二控制信号的情况下，功率MOS及驱动模块处于关断状态。当负载电流超过设定值时，通过电流反馈控制电路，使得前级控制器模块输出信号处于打嗝状态，有效避免负载超过设定值造成前级或后级MOS管烧坏。级或后级MOS管烧坏。级或后级MOS管烧坏。

【技术实现步骤摘要】
交流供电电路和储能电源


[0001]本申请涉及电源
，更具体而言，涉及一种交流供电电路和储能电源。

技术介绍

[0002]目前，一般采用软件过载保护和短路硬件保护，当负载设备超额定功率不多时，软件能够提供安全过载保护，当输出短路时，后级也能提供安全保护，但是当负载设备几倍于逆变器额定输出功率，又没达到设定短路保护点时，有几率出现前级或后级功率MOS因过载烧坏问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施方式提供了一种交流供电电路和储能电源。
[0004]本申请实施方式的交流供电电路包括逆变器、电流检测模块、控制器模块和功率MOS及驱动模块，所述逆变器用于将直流电转为交流电，以向负载设备提供交流电，所述电流检测模块用于检测向所述逆变器提供直流电的输入路径的电流信号，根据所述电流信号确定所述负载设备过载的情况下，输出第一控制信号，所述控制器模块与所述电流检测模块连接，所述控制器模块用于根据所述第一控制信号停止产生第二控制信号，所述功率MOS及驱动模块设置于所述输入路径中，所述功率MOS及驱动模块用于根据所述第二控制信号关断或打开以控制输入路径的通电情况，其中，在所述控制器模块停止输出所述第二控制信号的情况下，所述功率MOS及驱动模块处于关断状态。
[0005]本申请实施方式的交流供电电路用于对储能产品的前级进行过载保护，当负载电流超过设定值时，通过电流反馈控制电路，使得前级控制器模块输出信号处于打嗝状态，有效避免负载超过设定值造成前级或后级MOS管烧坏，使得负载设备稳定、可靠性大大提高。
[0006]在某些实施方式中，所述第二控制信号包括脉冲宽度调制信号。如此，可以调节脉冲宽度调制信号的占空比，以对功率MOS及驱动模块进行开关控制，进而对逆变器的输出功率进行控制。
[0007]在某些实施方式中，所述电流检测模块检测到所述电流信号处于预定范围内时，确定所述负载设备不过载，不输出第一控制信号，允许所述控制器模块能够产生所述第二控制信号。如此，电流检测模块随时检测电流信号的大小，在电流信号处于预定范围内时，负载设备在正常的负载下工作，电流检测模块不输出第一控制信号，以保证控制器模块可以一直输出第二控制信号，保证功率MOS及驱动模块和逆变器的正常工作。
[0008]在某些实施方式中，在所述电流检测模块检测到所述电流信号超过预定范围时确定所述负载设备过载，输出第一控制信号。如此，电流检测模块随时检测向逆变器提供直流电的输入路径的电流信号，以保证在负载设备过载的瞬间就可以输出第一信号，进而使得控制器模块停止产生第二控制信号，对负载设备进行保护。
[0009]在某些实施方式中，所述交流供电电路还包括变压器，所述变压器分别连接所述功率MOS及驱动模块和所述逆变器，所述功率MOS及驱动模块连接所述变压器的前级，在所
述功率MOS及驱动模块打开时所述变压器进行储能，在所述功率MOS及驱动模块关断时所述变压器停止储能，所述变压器用于输入的供电进行升压处理。如此，变压器设置在功率MOS及驱动模块和逆变器之间，可以将低压直流电转换为高压交流电。
[0010]在某些实施方式中，所述交流供电电路还包括整流模块，所述整流模块连接所述变压器和所述逆变器，其中，所述变压器用于将第一直流电转换为第二交流电，所述第二交流电的峰值电压值大于所述第一直流电的电压值；所述整流模块用于将第二交流电转换为第三直流电，以向所述逆变器提供所述第三直流电。如此，整流模块设置在变压器和逆变器之间，变压器可以进行能量转换将电流升压，整流模块将第二交流电转换为第三直流电，以向逆变器提供整流后的稳定的直流电，逆变器可以将第三直流电转变成定频定压或调频调压交流电以供负载设备使用。
[0011]在某些实施方式中，所述电流检测模块包括电阻件，所述电阻件用于检测输入所述逆变器的电流信号，所述电流检测模块连接所述电阻件并根据所述电流信号的检测结果输出第一控制信号；所述电流检测模块包括放大器和比较器，所述放大器用于将流经所述电阻件的电流进行放大，并将电流信号输入至所述比较器，所述比较器用于比较电流信号与预定范围的大小。如此，电流检测模块可以通过电阻件获取电流信号，放大器的正极和负极连接在电阻件的两端，用于检测并向比较器的负极输出信号，比较器可以用于比较放大器的输出端的电流信号是否在预定范围内，进而实现电流检测模块对输入路径的电流信号进行检测。
[0012]在某些实施方式中，所述电流检测模块还包括反馈连接点，所述反馈连接点连接所述控制器模块的使能端；在所述使能端的电压值不符合预设电压范围的情况下，所述控制器模块停止输出所述第二控制信号。如此，比较器的输出端可以连接控制器模块的使能端，可以通过使能端向所述控制器模块输出第一控制信号，控制模块可以在使能端的电压值不符合预设电压范围的情况下，控制器模块停止输出所述第二控制信号，进而有效避免负载超过设定值造成前级或后级MOS管烧坏。
[0013]在某些实施方式中，在电流信号超过预定范围时，所述比较器通过所述反馈连接点输出高电平第一控制信号，所述控制器模块接收所述高电平第一控制信号后停止产生所述第二控制信号；在电流信号处于预定范围内时，所述比较器通过所述反馈连接点低电平第一控制信号，所述控制器模块接收所述低电平第一控制信号后正常产生所述第二控制信号。如此，比较器通过反馈连接点可以向使能端输出第一控制信号，在控制器模块接收到高电平第一控制信号时，可以判断为负载设备过载，控制器模块停止产生第二控制信号以保证功率MOS及驱动模块停止工作；在控制器模块接收到低电平第一控制信号时，可以判断为负载设备正常工作，控制器模块正常产生第二控制信号以保证功率MOS及驱动模块稳定工作。
[0014]在某些实施方式中，所述交流供电电路还包括短路保护电路和/或软件过载交流供电电路，其中，所述短路保护电路用于在外接的所述负载设备短路的情况下，为所述逆变器提供短路保护；所述软件过载交流供电电路连接所述逆变器并用于为所述逆变器提供过载保护。如此，可以通过短路保护电路和软件过载交流供电电路同时对逆变器进行检测保护，提高交流供电电路的可靠性。
[0015]本申请实施方式的储能电源包括上述任一项实施方式所述的交流供电电路，所述
储能电源还包括储能模块和交流接口，所述储能模块通过所述交流供电电路连接所述交流接口，以通过所述交流供电电路向所述交流接口提供交流电，所述交流接口用于外接负载设备。
[0016]在本申请实施方式的交流供电电路和储能电源中，交流供电电路用于储能产品的前级进行过载保护，当负载电流超过设定值时，通过电流反馈控制电路，使得前级控制器模块输出信号处于打嗝状态，有效避免负载超过设定值造成前级或后级MOS管烧坏，使得负载设备稳定、可靠性大大提高。
[0017]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0018]本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交流供电电路，其特征在于，包括：逆变器，用于将直流电转为交流电，以向负载设备提供交流电；电流检测模块，用于检测向所述逆变器提供直流电的输入路径的电流信号，根据所述电流信号确定所述负载设备过载的情况下，输出第一控制信号；控制器模块，与所述电流检测模块连接，所述控制器模块用于根据所述第一控制信号停止产生第二控制信号；功率MOS及驱动模块，设置于所述输入路径中，所述功率MOS及驱动模块用于根据所述第二控制信号关断或打开以控制输入路径的通电情况，其中，在所述控制器模块停止输出所述第二控制信号的情况下，所述功率MOS及驱动模块处于关断状态。2.根据权利要求1所述的交流供电电路，其特征在于，所述第二控制信号包括脉冲宽度调制信号。3.根据权利要求1所述的交流供电电路，其特征在于，所述电流检测模块检测到所述电流信号处于预定范围内时，确定所述负载设备不过载，不输出第一控制信号，允许所述控制器模块能够产生所述第二控制信号。4.根据权利要求1所述的交流供电电路，其特征在于，在所述电流检测模块检测到所述电流信号超过预定范围时确定所述负载设备过载，输出第一控制信号。5.根据权利要求1所述的交流供电电路，其特征在于，所述交流供电电路还包括变压器，所述变压器分别连接所述功率MOS及驱动模块和所述逆变器，所述功率MOS及驱动模块连接所述变压器的前级，在所述功率MOS及驱动模块打开时所述变压器进行储能，在所述功率MOS及驱动模块关断时所述变压器停止储能，所述变压器用于输入的供电进行升压处理。6.根据权利要求5所述的交流供电电路，其特征在于，所述交流供电电路还包括整流模块，所述整流模块连接所述变压器和所述逆变器，其中，所述变压器用于将第一直流电转换为第二交流电，所述第二交流电的峰值电压值大于所述第一直流电的电压值；所述整流模块用于将第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷云，张智锋，林建平，
申请(专利权)人：深圳市华思旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：