一种含氟光刻胶树脂单体中间体、含氟光刻胶树脂单体及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种含氟光刻胶树脂单体、含氟光刻胶树脂单体中间体及其制备方法。该含氟光刻胶树脂单体包括如下式I所示的结构通式：其中间体的制备方法包括如下步骤：a)式I

【技术实现步骤摘要】
一种含氟光刻胶树脂单体中间体、含氟光刻胶树脂单体及其制备方法


[0001]本专利技术涉及有机合成
，特别是涉及一种含氟光刻胶树脂单体中间体、含氟光刻胶树脂单体及其制备方法。

技术介绍

[0002]光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，主要成分为聚合物树脂、光致产酸剂、以及相应的添加剂和溶剂。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。随着光刻胶的发展，从365nm、248nm、193nm到193浸没式，对光刻胶的疏水性的越来越强。
[0003]含氟化合物的树脂单体具有一定的疏水性，是广泛应用于193浸没式光刻胶的树脂单体，但是因为氟的强电负性影响，导致含氟越多的单体，其稳定性越差，在反应及其后处理过程中都易分解，因此高纯度的含氟单体的合成一直以来都存有巨大的困难。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氟光刻胶树脂单体中间体，其特征在于，包含如下式I
‑
3所示的结构通式：其中，R2和R3各自独立的选自氢原子或C1
‑
C4的烷基；R4为氢原子或C1
‑
C4全氟烷基；R5为C1
‑
C4全氟烷基；1≦n≦4，n均正整数；X选自氯原子、溴原子和碘原子中的一种。2.如权利要求1所述的含氟光刻胶树脂单体中间体，其特征在于，还包括如下技术特征中的至少一项：1)所述R2和R3各自独立的选自氢原子、甲基、乙基、正丙基和正丁基中的一种；2)所述R4选自氢原子、全氟甲基、全氟乙基、全氟丙基和全氟丁基中的一种；3)所述R5选自全氟甲基、全氟乙基、全氟丙基和全氟丁基中的一种；4)所述n为1、2或3。3.一种如权利要求1或2所述含氟光刻胶树脂单体中间体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将式I
‑
1化合物溶于第一溶剂，然后加入第一缚酸剂与式I
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2化合物进行酯化反应，获得式I
‑
3化合物，反应路线如下：4.如权利要求3所述的含氟光刻胶树脂中间体单体的制备方法，其特征在于，步骤a)中，还包括如下技术特征中的至少一项：a1)所述式I
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1化合物、式I
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2化合物与第一缚酸剂的摩尔比为(1：0.8：1)～(1：1.5:1.5)；a2)所述第一溶剂选自二氯甲烷、四氢呋喃、乙腈、甲苯中的一种；a3)所述第一缚酸剂选自三乙胺、二异丙基乙胺、吡啶、2,6
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二甲基吡啶、N,N
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二甲基苯胺中的一种；a4)所述第一缚酸剂的加入温度控制在0～10℃；a5)所述I
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2化合物的加入温度控制在0～10℃；a6)酯化反应的温度为0～25℃；a7)酯化反应的时间为4h～20h；a8)步骤a)还包括如下步骤：将步骤a)的反应产物进行淬灭、分层、有机相经洗涤、干燥、过滤和浓缩，减压蒸馏。5.如权利要求4所述的含氟光刻胶树脂单体中间体的制备方法，其特征在于，特征a8)中，还包括如下技术特征中的至少一项：a81)所述淬灭采用的淬灭剂选自水、氨水、饱和碳酸氢钠溶液中的一种；a82)所述洗涤分别采用饱和碳酸氢钠溶液饱和食盐水洗涤各一次；
a83)所述干燥采用的干燥剂选自无水硫酸钠和无水硫酸镁中的至少一种。6.一种含氟光刻胶树脂单体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：b)将如权利要求1或2所述含氟光...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅志伟，纪兴跃，张傲祥，潘新刚，余文卿，
申请(专利权)人：徐州博康信息化学品有限公司，
类型：发明
国别省市：