谐振装置、集合基板以及谐振装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够抑制经由保持部的噪声的传播的谐振装置、集合基板以及谐振装置的制造方法。谐振装置(1)具备：MEMS基板(50)，包含具有振动部(110)和构成为保持该振动部(110)的保持部(140)的谐振子(10)；以及上盖(30)，配置为与MEMS基板(50)对置且在中间夹着谐振子(10)，并包含与振动部(110)电连接的连接布线(CW1)，谐振子(10)还具有分离槽(145)，该分离槽形成为在俯视时包围振动部(110)。槽形成为在俯视时包围振动部(110)。槽形成为在俯视时包围振动部(110)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振装置、集合基板以及谐振装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及谐振装置、集合基板以及谐振装置的制造方法。

技术介绍

[0002]以往，例如使用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微电子机械系统)技术而制造的设备正在普及。该设备例如在集合基板(晶圆)上形成多个设备后，分割晶圆而单片化(芯片化)为各设备。
[0003]例如在专利文献1中公开了包含谐振子的谐振装置，该谐振子经由简并硅(Si)基板或者金属膜电连接保持部、支承臂、振动部。在该专利文献1中，在分割为各谐振装置之前的集合基板的状态下，使用离子修整法等，进行调整振动部的谐振频率的频率调整工序。
[0004]专利文献1：国际公开第2016/174789号公报
[0005]然而，在专利文献1所公开的集合基板中，多个谐振装置相互邻接地配置，相邻的谐振子的保持部导通。因此，在修整加工等中产生的噪声容易经由保持部传播到邻接的谐振装置的振动部。其结果，例如在调整振动部的谐振频率时，谐振频率的调整精度有可能由于传播噪声导致的测定精度的降低而降低。

技术实现思路

[0006]本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的之一在于提供能够抑制经由保持部的噪声的传播的谐振装置、集合基板以及谐振装置的制造方法。
[0007]本专利技术的一个方面所涉及的谐振装置具备：第一基板，包含具有振动部和保持部的谐振子，其中，该保持部构成为保持该振动部；以及第二基板，配置为与第一基板对置且在中间夹着谐振子，并包含与振动部电连接的第一连接部，谐振子还具有分离槽，该分离槽形成为在俯视时包围振动部。
[0008]本专利技术的另一方面所涉及的集合基板是用于制造谐振装置的集合基板，具备：第一基板，包含多个谐振子，每个谐振子具有振动部和保持部，其中，该保持部构成为保持该振动部；以及第二基板，配置为与第一基板对置且在中间夹着多个谐振子，并包含与多个谐振子各自的振动部电连接的多个第一连接部，多个谐振子分别还具有分离槽，该分离槽形成为在俯视时包围振动部。
[0009]本专利技术的另一个方面所涉及的谐振装置的制造方法是谐振装置的制造方法，包括：准备第一基板和第二基板的工序，该第一基板包含多个谐振子，每个谐振子具有振动部和保持部，该保持部构成为保持该振动部，该第二基板配置为与第一基板对置且在中间夹着多个谐振子，并包含与多个谐振子各自的振动部电连接的多个第一连接部；将第一基板和第二基板接合的工序；以及沿着用于分割为多个谐振装置的分割线分割第一基板以及第二基板的工序，多个谐振子分别还具有分离槽，该分离槽形成为在俯视时包围振动部。
[0010]根据本专利技术，能够抑制经由保持部的噪声的传播。
附图说明
[0011]图1是简要示出一个实施方式中的谐振装置的外观的立体图。
[0012]图2是简要示出图1所示的谐振装置的构造的分解立体图。
[0013]图3是简要示出图2所示的谐振子的构造的俯视图。
[0014]图4是简要示出图1所示的谐振装置的层叠构造的沿着X轴的剖视图。
[0015]图5是概念性地示出图1所示的谐振装置的层叠构造的沿着Y轴的剖视图。
[0016]图6是简要示出图1～图5所示的谐振子及其周边的布线的俯视图。
[0017]图7是简要示出图6所示的连结部件的层叠构造的放大剖视图。
[0018]图8是简要示出一个实施方式中的集合基板的外观的分解立体图。
[0019]图9是放大图8所示的区域A的局部放大图。
[0020]图10是表示一个实施方式中的谐振装置的制造方法的流程图。
[0021]图11是简要示出一个实施方式的变形例中的谐振装置的谐振子及其周边的布线的俯视图。
[0022]图12是简要示出图11所示的连结部件的层叠构造的放大剖视图。
具体实施方式
[0023]以下对本专利技术的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中，相同或者类似的构成要素用相同或者类似的附图标记表示。附图是例示的，各部的尺寸、形状是示意性的，不应该将本专利技术的技术范围限定于该实施方式来解释。
[0024]＜谐振装置＞
[0025]首先，参照图1以及图2，并对根据一个实施方式的谐振装置的简要结构进行说明。图1是简要示出一个实施方式中的谐振装置1的外观的立体图。图2是简要示出图1所示的谐振装置1的构造的分解立体图。
[0026]如图1以及图2所示，谐振装置1具备谐振子10和形成谐振子10振动的振动空间的下盖20及上盖30。即，谐振装置1通过将下盖20、谐振子10、后述的接合部60以及上盖30按该顺序层叠而构成。此外，本实施方式的MEMS基板50(下盖20以及谐振子10)相当于本专利技术的“第一基板”的一个例子，本实施方式的上盖30相当于本专利技术的“第二基板”的一个例子。
[0027]在以下，对谐振装置1的各结构进行说明。此外，在以下的说明中，将谐振装置1中的设置有上盖30的一侧设为上(或者表)、将设置有下盖20的一侧设为下(或者背)进行说明。
[0028]谐振子10是使用MEMS技术而制造的MEMS振子。谐振子10和上盖30经由接合部60而接合。另外，谐振子10和下盖20分别使用硅(Si)基板(以下，称为“Si基板”)而形成，Si基板彼此相互接合。此外，谐振子10、下盖20以及上盖30也可以分别使用层叠有硅层以及氧化硅膜的SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上硅)基板而形成。
[0029]上盖30沿着XY平面扩展成平板状，在其背面例如形成有平坦的长方体形状的凹部31。凹部31被侧壁33包围，形成谐振子10振动的空间亦即振动空间的一部分。此外，上盖30也可以不具有凹部31而是平板状的形状。另外，也可以在上盖30的凹部31的谐振子10侧的面形成有用于吸附排气的吸气层。
[0030]下盖20具有：沿XY平面设置的矩形平板状的底板22、和从底板22的周缘部沿Z轴方
向即下盖20和谐振子10的层叠方向延伸的侧壁23。在下盖20中，在与谐振子10对置的面形成有由底板22的表面和侧壁23的内表面形成的凹部21。凹部21形成谐振子10的振动空间的一部分。此外，下盖20也可以不具有凹部21而是平板状的形状。另外，也可以在下盖20的凹部21的谐振子10侧的面形成有用于吸附排气的吸气层。
[0031]另外，下盖20具备形成于底板22的表面的突起部25。后述突起部25的详细结构。
[0032]通过将上盖30与谐振子10及下盖20接合而气密地密封谐振子10的振动空间，维持真空状态。在该振动空间中也可以填充例如惰性气体等气体。
[0033]接下来，参照图3并对根据一个实施方式的谐振装置中的谐振子的简要结构进行说明。图3是简要示出图2所示的谐振子10的构造的俯视图。
[0034]如图3所示，谐振子10是使用MEMS技术而制造的MEMS振子，在图3的正交坐标系中的XY平面内以面外弯曲振动模式为主振动(以下，也称本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种谐振装置，具备：第一基板，包含具有振动部和保持部的谐振子，其中，上述保持部构成为保持该振动部；以及第二基板，配置为与上述第一基板对置且在中间夹着上述谐振子，并包含与上述振动部电连接的第一连接部，上述谐振子还具有分离槽，该分离槽形成为在俯视时包围上述振动部。2.根据权利要求1所述的谐振装置，其中，还具备：接合部，是将上述第一基板和上述第二基板接合以便密封上述谐振子的振动空间的接合部，该接合部具有导电性，并与上述第一连接部电连接；以及第二连接部，与上述接合部电连接，在俯视时，延伸到上述谐振子的外缘。3.根据权利要求2所述的谐振装置，其中，上述第二连接部在上述第一基板的与上述第二基板对置的面和上述第二基板的与上述第一基板对置的面中延伸到外缘。4.根据权利要求2或3所述的谐振装置，其中，在俯视时，上述分离槽配置在上述接合部的外周。5.根据权利要求2或3所述的谐振装置，其中，在俯视时，上述分离槽配置在上述接合部的内周。6.根据权利要求1～5中任意一项所述的谐振装置，其中，在俯视时，上述分离槽配置在上述谐振子的外缘与上述振动部之间。7.根据权利要求1～6中任意一项所述的谐振装置，其中，上述谐振子还具有简并硅基板。8.一种集合基板，是用于制造谐振装置的集合基板，具备：第一基板，包含多个谐振子，每个谐振子具有振动部和保持部，其中，上述保持部构成为保持该振动部；以及第二基板，配置为与上述第一基板对置且在...

【专利技术属性】
技术研发人员：福光政和，植田崇资，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：