用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排制造技术

本实用新型专利技术属于电气连接部件应用技术领域，具体公开了用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，包括风扇罩、接触器、第二电容、接地端子、断路器和散热器、散热器固定板、底板、横支撑架、端子安装板、接地端子、正极连接端子排、负极连接端子排、连接铜排、W连接铜排、电阻连接铜排、第一断路器连接铜排和第二断路器连接铜排等，所述正极连接端子排、负极连接端子排分别与正极母排、负极母排连接。本实用新型专利技术的有益效果在于：1、较低的总体成本；2、可靠性高，安全性高；3、简洁紧凑的设计可节省很大的空间；4、自身具有很低的电感(对于IGBT等开关器件，可避免其由于浪涌电压而引起的击穿)；5、很低的阻抗、大大降低安装出错的概率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排


[0001]本技术属于电气连接部件应用
，具体涉及用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排。

技术介绍

[0002]一般来说传统的电气柜和国产变频器中铜排连接，绝缘是靠空间距离来完成的，占用很大电气柜空间，电气柜中的铜排遭受不住巨大的冲击电流，导致电气柜中重要元件(IGBT元件、电容等)被击穿，烧毁电气柜，造成不可挽回的损失，同时电气性能差，较多的连接点，可靠性和抗污染能力差。
[0003]主要存在以下缺点表现在：1、传统的铜排绝缘等级差，耐高电压、高电流性能差，散热性能力不行；2、传统的铜排一旦遭受巨大冲击电压、电流，无法保证电气柜中的IGBT、电容、电源等设备形成保护；3、铜排的安装比，拆卸比较复杂，容易出错，需要花费巨大的时间去更换其零部件；4、铜基裸露，容易老化，发热，寿命很短(三年)，无法达到电气设计要求。
[0004]基于上述问题，本技术提供用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排。

技术实现思路

[0005]技术目的：本技术的目的是针对现有技术的不足，提供用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，解决
技术介绍
中当前叠层母排使用中所存在问题，适用于同步磁阻(助磁)控制器，保护重要元器件(IGBT)以及控制器其它原部件，不受冲击电流、电压影响。
[0006]技术方案：本技术的提供用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，包括风扇罩、第一电容、电阻、单臂桥、IGBT、变压器、接触器、第二电容、接地端子、断路器和散热器，所述散热器安装在散热器固定板内，所述散热器固定板安装在底板上，所述底板底面两侧设置有横支撑架，所述底板一端设置有端子安装板，所述端子安装板上设置有接地端子，所述接地端子上分别设置有正极连接端子排、负极连接端子排、连接铜排、W连接铜排、电阻连接铜排、第一断路器连接铜排、第二断路器连接铜排，所述正极连接端子排、负极连接端子排分别与正极母排、负极母排连接；其中，正极母排和负极母排叠加组成，正极母排、负极母排的表面分别均匀喷涂有绝缘树脂涂层。
[0007]本技术方案的，所述正极母排、负极母排表面分别均匀喷涂有绝缘树脂涂层厚度为3mm，其中，绝缘树脂涂层包括但不限于高性能环氧树脂。
[0008]本技术方案的，所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，还包括与正极母排、负极母排连接的整流桥正极连接铜排、整流桥负极连接铜排，及与正极母排连接的整流桥连接铜排，及分别与单臂桥、接触器连接的T型铜排。
[0009]本技术方案的，所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，还包
括第一电容正负极连接铜排；其中，第一电容正负极连接铜排的分别接入正极母排、负极母排，连接铜排与第一电容正负极连接铜排连接，第一电容设置3组。
[0010]本技术方案的，所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，还包括与负极母排连接的接地铜排；其中，接地铜排的与接地端子连接。
[0011]本技术方案的，所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，还包括分别与第二电容连接的第一IGBT连接铜排、第二IGBT连接铜排；其中，连接铜排分别与第一IGBT连接铜排、第二IGBT连接铜排连接，第二电容设置三个。
[0012]本技术方案的，所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，还包括分别设置在正极母排、负极母排同端，且不对位的正极母排支撑柱、负极母排支撑柱；其中，正极母排支撑柱、负极母排支撑柱将正极母排、负极母排垂直向支撑固定在IGBT上方。
[0013]本技术方案的，所述正极母排、负极母排的宽度尺寸相同，且正极母排的长度尺寸大于负极母排的长度尺寸；其中，正极母排、负极母排的厚度尺寸相同。
[0014]本技术方案的，所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，还包括用于对接触器进行安装的接触器支架，及用于对断路器进行安装的第一断路器控制安装板支撑架、第二断路器控制安装板支撑架；其中，接触器支架、第一断路器控制安装板支撑架、第二断路器控制安装板支撑架分别设置在散热器固定板上。
[0015]与现有技术相比，本技术的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的有益效果在于：1、较低的总体成本；2、可靠性高，安全性高；3、简洁紧凑的设计可节省很大的空间；4、自身具有很低的电感(对于IGBT等开关器件，可避免其由于浪涌电压而引起的击穿)；5、很低的阻抗；6、大大降低安装出错的概率；7、便捷的现场安装及服务；8、增加了分部电容，在相同情况下，与电缆相比，载流能力大大提升；9、在相同的载流情况下，与电缆相比，其温升更低；10、其结构是将两层或多层铜排叠在一起，铜板层与层之间用绝缘材料进行电气隔离，通过相关工艺将导电层和绝缘层压制成一个整体，它的优势是将连接线做成了扁平的截面，在同样的电流截面下增大了导电层的表面积，同时导电层之间的间隔大幅降低，由于邻近效应使得相邻导电层流过相反的电流，它们产生的磁场相互抵消，从而使得线路中的分布电感大幅降低；11、具有更好的电流承受能力，更低的温升，散热冷却效果更好；12、降低线路分布电感，特别是对IGBT的应用.降低由于电压击穿而引起的电器元件损坏概率；13、一方面降低IGBT反峰电压，提高系统的可靠性，另一方面降低系统噪音和电磁干扰、射频干扰。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实
[0017]施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本技术的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的爆炸结构示意图；
[0019]图2是本技术的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的装配后结构示意图；
[0020]图3是本技术的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的负极母排等立视结构示意图；
[0021]图4是本技术的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的正极母排等立视结构示意图；
[0022]图5是本技术的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的负极母排、正极母排的叠加装配前结构示意图；
[0023]图6是本技术的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的接地端子等的俯视结构示意图；
[0024]图7是本技术的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的俯视布局结构示意图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，包括风扇罩(4)、第一电容(5)、电阻(6)、单臂桥(7)、IGBT(8)、变压器(9)、接触器(13)、第二电容(23)、接地端子(26)、断路器(34)和散热器(35)，其特征在于：所述散热器(35)安装在散热器固定板(3)内，所述散热器固定板(3)安装在底板(2)上，所述底板(2)底面两侧设置有横支撑架(1)，所述底板(2)一端设置有端子安装板(12)，所述端子安装板(12)上设置有接地端子(26)，所述接地端子(26)上分别设置有正极连接端子排(39)、负极连接端子排(40)、连接铜排(25)、W连接铜排(29)、电阻连接铜排(30)、第一断路器连接铜排(31)、第二断路器连接铜排(32)，所述正极连接端子排(39)、负极连接端子排(40)分别与正极母排(17)、负极母排(36)连接；其中，正极母排(17)和负极母排(36)叠加组成，正极母排(17)、负极母排(36)的表面分别均匀喷涂有绝缘树脂涂层。2.根据权利要求1所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，其特征在于：所述正极母排(17)、负极母排(36)表面分别均匀喷涂有绝缘树脂涂层厚度为3mm，其中，绝缘树脂涂层包括但不限于高性能环氧树脂。3.根据权利要求2所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，其特征在于：所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，还包括与正极母排(17)、负极母排(36)连接的整流桥正极连接铜排(11)、整流桥负极连接铜排(14)，及与正极母排(17)连接的整流桥连接铜排(16)，及分别与单臂桥(7)、接触器(13)连接的T型铜排(15)。4.根据权利要求3所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，其特征在于：所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排，还包括第一电容正负极连接铜排(20)；其中，第一电容正负极连接铜排(20)的分别接入正极母排(17)、负极母排(36)，连接铜排(25)与第一电容正负极连接铜排(20)...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙文浩，刘亮，崔善超，陶清，程书进，卞超，陈云，
申请(专利权)人：江苏苏仪集团有限公司，
类型：新型
国别省市：