显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括：基底、设置在基底上的发光结构层、设置在发光结构层远离基底一侧的光处理层；发光结构层包括多个发光区，发光区包括第一发光子区和第二发光子区，第一发光子区的亮度小于第二发光子区的亮度；光处理层包括第一光处理层，第一光处理层位于第一发光子区的出光侧，被配置为提升第一发光子区的出光效率。被配置为提升第一发光子区的出光效率。被配置为提升第一发光子区的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开实施例涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示屏具有色域广、分辨率高、可单独控制每个像素等优点，在终端市场占比越来越高。相对于传统的蒸镀技术，采用喷墨打印制备有机发光二极管的技术具有材料利用率高、产品制造成本低的优势，已经得到广泛应用。
[0003]经本申请专利技术人研究发现，采用喷墨打印技术制备的显示基板存在着发光不均的问题。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决采用喷墨打印技术制备的显示基板发光不均的问题。
[0006]第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的发光结构层、设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的光处理层；所述发光结构层包括多个发光区，所述发光区包括第一发光子区和第二发光子区，所述第一发光子区的亮度小于所述第二发光子区的亮度；所述光处理层包括第一光处理层，所述第一光处理层位于所述第一发光子区的出光侧，被配置为提升所述第一发光子区的出光效率。
[0007]一示例性实施例中，所述光处理层还包括第二光处理层，所述第二光处理层位于所述第二发光子区的出光侧，被配置为提升所述第二发光子区的出光效率；所述第二光处理层提升出光效率的效果小于所述第一光处理层提升出光效率的效果。
[0008]一示例性实施例中，所述第一光处理层包括多个第一透镜结构，多个所述第一透镜结构在所述基底上的正投影与第一发光子区在所述基底上的正投影至少部分交叠。
[0009]一示例性实施例中，所述第二光处理层包括多个第二透镜结构，多个所述第二透镜结构在所述基底上的正投影与所述第二发光子区在所述基底上的正投影至少部分交叠。
[0010]一示例性实施例中，多个所述第一透镜结构在所述基底上的正投影面积与所述第一发光子区在所述基底上的正投影的面积之比为第一填充率；多个所述第二透镜结构在所述基底上的正投影面积与所述第二发光子区在所述基底上的正投影面积之比为第二填充率；所述第一填充率大于所述第二填充率。
[0011]一示例性实施例中，所述第一填充率大于或等于40％，所述第二填充率小于或等于30％。
[0012]一示例性实施例中，所述第一透镜结构的折射率大于所述第二透镜结构的折射
率。
[0013]一示例性实施例中，在垂直于所述基底的平面内，所述第一透镜结构的截面形状为半圆形，所述第二透镜结构的截面形状不同于所述第一透镜结构的截面形状。
[0014]一示例性实施例中，所述第一光处理层和所述第二光处理层同层设置。
[0015]一示例性实施例中，所述第二透镜结构的粒径尺寸大于所述第一透镜结构的粒径尺寸。
[0016]一示例性实施例中，所述显示基板包括封装层，所述封装层位于所述发光结构层远离所述基底的一侧，所述光处理层位于所述封装层远离所述基底的一侧。
[0017]第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
[0018]第三方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，所述方法包括：在基底上形成发光结构层，所述发光结构层包括多个发光区，所述发光区包括第一发光子区和第二发光子区，第一发光子区的亮度小于第二发光子区的亮度；在所述发光结构层远离所述基底的一侧形成光处理层；所述光处理层包括第一光处理层，所述第一光处理层位于所述第一发光子区的出光侧，被配置为提升所述第一发光子区的出光效率。
[0019]一示例性实施例中，所述发光结构层包括有机发光层，采用喷墨打印的方式形成所述有机发光层，并记录所述有机发光层打印成膜的形貌；所述光处理层还包括第二光处理层，所述第二光处理层位于所述第二发光子区的出光侧，被配置为提升所述第二发光子区的出光效率；所述在所述发光结构层远离所述基底的一侧形成光处理层，包括：根据所述有机发光层打印成膜的形貌确定所述第一发光子区和所述第二发光子区，在所述第一发光子区的出光侧形成第一光处理层，在所述第二发光子区的出光侧形成第二光处理层。
[0020]一示例性实施例中，所述光处理层还包括第二光处理层，所述第二光处理层位于所述第二发光子区的出光侧，被配置为提升所述第二发光子区的出光效率；所述在所述发光结构层远离所述基底的一侧形成光处理层，包括：根据所述发光区的发光情况确定所述第一发光子区和所述第二发光子区，在所述第一发光子区的出光侧形成第一光处理层，在所述第二发光子区的出光侧形成第二光处理层。
[0021]本公开实施例提出的显示基板，通过在亮度较暗的第一发光子区的出光侧设置第一光处理层，利用第一光处理层提升第一发光子区的光取出效果和出光效率，进而提升原本较暗的第一发光子区的亮度，使第一发光子区和第二发光子区的亮度水平相当。解决了采用喷墨打印技术制备的显示基板发光不均的问题。
[0022]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0023]附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
[0024]图1为一种电子装置的结构示意图；
[0025]图2为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
[0026]图3为本公开一种显示基板的平面结构示意图；
[0027]图4为一示例性实施方式中单个发光区和透镜结构在基底上的正投影示意图；
[0028]图5为又一示例性实施方式中单个发光区和透镜结构在基底上的正投影示意图；
[0029]图6一示例性实施例中显示基板的剖面示意图。
具体实施方式
[0030]下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属
的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
[0031]本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
[0032]本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
[0033]在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底、设置在所述基底上的发光结构层、设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的光处理层；所述发光结构层包括多个发光区，所述发光区包括第一发光子区和第二发光子区，所述第一发光子区的亮度小于所述第二发光子区的亮度；所述光处理层包括第一光处理层，所述第一光处理层位于所述第一发光子区的出光侧，被配置为提升所述第一发光子区的出光效率。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光处理层还包括第二光处理层，所述第二光处理层位于所述第二发光子区的出光侧，被配置为提升所述第二发光子区的出光效率；所述第二光处理层提升出光效率的效果小于所述第一光处理层提升出光效率的效果。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一光处理层包括多个第一透镜结构，多个所述第一透镜结构在所述基底上的正投影与第一发光子区在所述基底上的正投影至少部分交叠。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第二光处理层包括多个第二透镜结构，多个所述第二透镜结构在所述基底上的正投影与所述第二发光子区在所述基底上的正投影至少部分交叠。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，多个所述第一透镜结构在所述基底上的正投影面积与所述第一发光子区在所述基底上的正投影的面积之比为第一填充率；多个所述第二透镜结构在所述基底上的正投影面积与所述第二发光子区在所述基底上的正投影面积之比为第二填充率；所述第一填充率大于所述第二填充率。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一填充率大于或等于40％，所述第二填充率小于或等于30％。7.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一透镜结构的折射率大于所述第二透镜结构的折射率。8.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底的平面内，所述第一透镜结构的截面形状为半圆形，所述第二透镜结构的截面形状不同于所述第一透镜结构的截面形状。9.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔颖，于东慧，许程，周丹丹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：