一种大口径纵向电光器件及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种大口径纵向电光器件及制造方法，大口径纵向电光器件应用于电光Q开关中，电光Q开关沿光束方向依次包括输出镜、激光棒、偏振器、电光器件和后镜，电光器件的外部沉积有导电薄膜，电光器件的内部沉积有光学薄膜，且光学薄膜和导电薄膜共面沉积。本发明专利技术通过在电光器件处实现光学薄膜和导电薄膜的共面沉积，实现大口径、短光程的电光器件，解决传统电光器件中端面光学、侧面导电结构而引起的光程随口径增大而增大，造成光的传输限制。造成光的传输限制。造成光的传输限制。

【技术实现步骤摘要】
一种大口径纵向电光器件及制造方法


[0001]本专利技术属于激光
，具体涉及一种大口径纵向电光器件及制造方法。

技术介绍

[0002]由半导体激光光源的技术应用日益成熟，由LD（LaserDiod激光二极管）作为泵浦源的全固态激光器大大缩减的传统的激光器结构，实现了极紧凑谐振腔的激光器设计，使超短脉冲激光的获得长足的进步。
[0003]而作为压缩激光建立时间，提高激光光源单脉冲峰值功率的重要手段之一的电光调制元件，也面临了新的技术要求。即在很紧凑的激光谐振腔内加入电光调制元件要尽可能的减少由于本身器件的几何尺寸过大而引起的谐振腔长大幅增加，从而无法获得预期的超短脉冲光源。
[0004]基于纵向电光效应与器件材料的几何尺寸（纵横比）无关的特性，可以获得较大通光口径，且光程较短的电光器件。大的通光口径能够带来更大光通量的调制增益，就能同时实现大能量，高峰值功率的超短脉冲激光的实现。
[0005]目前常规的圆柱状环形电极纵向电光元件，晶体器件的长度还是受到通光口径增大而通光长度要随之增加的影响，从而会破坏紧凑谐振腔结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大口径纵向电光器件，应用于电光Q开关中，其特征在于，电光Q开关沿光束方向依次包括输出镜、激光棒、偏振器、电光器件和后镜，所述电光器件的外部沉积有导电薄膜，所述电光器件的内部沉积有光学薄膜，且所述光学薄膜和所述导电薄膜共面沉积。2.根据权利要求1所述的一种大口径纵向电光器件，其特征在于，所述电光器件的端面的外边缘形成设置所述导电薄膜的倾斜面。3.根据权利要求2所述的一种大口径纵向电光器件，其特征在于，所述电光器件的端部形成有圆角，所述倾斜面形成于所述圆角。4.根据权利要求2所述的一种大口径纵向电光器件，其特征在于，所述倾斜面环绕所述端面设置。5.根据权利要求1所述的一种大口径纵向电光器件，其特征在于，所述电光Q开关还包括支撑所述电光器件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛瑞，井旭，
申请(专利权)人：济南快谱光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：