一种电光调Q晶体器件、制备方法及电光调Q激光器技术

本发明专利技术实施例公开一种电光调Q晶体器件、制备方法及电光调Q激光器。在一具体实施方式中，该电光调Q晶体器件包括：沿电光调Q晶体器件的通光方向设置的第一电光晶体和第二电光晶体；第一电光晶体包括分别设置在其沿通光方向延伸的两相对侧面的第一电极膜；第二电光晶体包括分别设置在其沿通光方向延伸的两相对侧面的第二电极膜；第二电光晶体与第一电光晶体的结构相同，第二电光晶体的相对侧面与第一电光晶体的相对侧面之间存在设定的夹角。该实施方式的电光调Q晶体器件可有效补偿静态双折射的相位延迟，消除温度稳定性对电光调Q晶体器件的静态双折射变化的影响，保证电光调Q晶体器件的消光比。体器件的消光比。体器件的消光比。

【技术实现步骤摘要】
一种电光调Q晶体器件、制备方法及电光调Q激光器


[0001]本专利技术涉及调Q器件
更具体地，涉及一种电光调Q晶体器件、制备方法及电光调Q激光器。

技术介绍

[0002]电光调Q技术作为一种重要的获得窄脉宽、高峰值功率激光的调Q技术，其原理是利用晶体的电光效应，使通过晶体的激光的偏振状态发生改变，实现激光器谐振腔内损耗的突变，从而控制能量在腔内或激光工作物质中的存储和快速释放，具有开关时间短、效率高、峰值功率高等优势。目前，电光调Q晶体以及器件在国防、医疗、通信、光刻及激光加工等不同领域都有重大需求。
[0003]尽管许多晶体都具有电光效应，但是实际投入到电光调Q器件中使用的实用晶体并不多。目前应用于电光调Q器件的电光晶体材料主要有磷酸二氘钾DKDP(KD2PO4)、铌酸锂LN(LiNbO3)、偏硼酸钡BBO(β
‑
BaB2O4)、磷酸钛氧铷RTP(RbTiOPO4)、磷酸钛氧钾KTP(KTiOPO4)以及硅酸镓镧LGS(La3Ga5SiO
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)等。这些电光晶体材料存在一定的缺点，具体如下所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电光调Q晶体器件，其特征在于，包括：沿所述电光调Q晶体器件的通光方向设置的第一电光晶体和第二电光晶体；所述第一电光晶体包括分别设置在其沿通光方向延伸的两相对侧面的第一电极膜；所述第二电光晶体包括分别设置在其沿通光方向延伸的两相对侧面的第二电极膜；所述第二电光晶体与所述第一电光晶体的结构相同，第二电光晶体的所述相对侧面与所述第一电光晶体的所述相对侧面之间存在设定的夹角。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二电光晶体的所述相对侧面与所述第一电光晶体的所述相对侧面之间存在的夹角为90
°
。3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一电光晶体和第二电光晶体均为锗酸钛铷锂晶体。4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述锗酸钛铷锂晶体的化学式为Rb4Li2TiGe4O
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；所述锗酸钛铷锂晶体为非中心对称结构，属于四方晶系，空间群为P4nc；单胞参数为α＝90
°
，β＝90
°
，γ＝90
°
，Z＝2，5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一电光晶体在通光方向上的延伸长度和所述第二电光晶体在通光方向上的延伸长度相同。6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一电极膜和第二电极膜的材质为不透...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏明军，唐川，李如康，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：