一种体声波耳形通道谐振器制造技术

技术编号:37403176 阅读:26 留言:0更新日期:2023-04-30 09:30
本发明专利技术提供了一种体声波耳形通道谐振器,属于半导体及微电子技术领域,本发明专利技术在紧邻实际有效面积的外围内侧在种子层、上电极、压电层和下电极四层上设置峰台,四层的峰台投影位置重合,紧邻峰台的内侧在种子层、上电极、压电层和下电极四层上设置谷台,四层谷台投影位置重合;紧邻实际有效面积的外围内侧在种子层、上电极、压电层和下电极四层上设置谷台,四层谷台在投影位置重合,紧邻谷台的内侧在种子层、上电极、压电层和下电极四层上设置峰台,四层峰台投影位置重合,相对于现有结构,Q值可以提升约30%。提升约30%。提升约30%。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波耳形通道谐振器


[0001]本专利技术属于半导体及微电子
,尤其涉及一种体声波耳形通道谐振器。

技术介绍

[0002]为了降低电子设备的成本和尺寸,需要更小的信号滤波元件,而薄膜体声波谐振器作为新型的滤波元件,具有满足这些需求的潜力。薄膜体声波谐振器包括薄膜压电材料,其夹在两个金属电极之间,组成三明治结构,这种结构通过围绕在其周围的支撑层悬浮在空气中。当两个电极之间产生电场时,压电材料可将部分电能以声波的形式转化为机械能,且声波在三明治结构的纵向方向传播,理想情况下,能量都被困在纵向模式中,但实际情况却存在其它非纵向模式,即横向模式,而这种不需要的模式会使得体声波谐振器的损耗变大,Q值降低。目前已公开的减小横向模型的方法是在谐振器的上电极加一圈凸台、凹槽以及空气隙,Q值相对没有这种结构提升不少,随着通讯频段更加拥挤,滤波器及多工器的要求也更加严格,所以提升其Q值是一个无止境的工作。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的上述不足,本专利技术提供的一种体声波耳形通道谐振器,进一步降低了谐振器的损耗,进一步提升了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波耳形通道谐振器,其特征在于,包括依次沉积的硅衬底(1)、种子层(2)、下电极(3)、压电层(4)和上电极(5)、保护层、下电极双耳通道结构(9)、上电极双耳通道结构(10)、设置于下电极双耳通道结构(9)和上电极双耳通道结构(10)上,且贯穿于保护层、上电极(5)、压电层(4)和下电极(3)的通孔(6)、由下电极双耳通道结构(9)和上电极双耳通道结构(10)合围起来的耳形通道谐振器的实际有效面积以及上电极(5)紧邻实际有效面积外侧的空气间隙(8);紧邻实际有效面积的外围内侧在种子层(2)、上电极(5)、压电层(4)和下电极(3)四层上设置峰台,四层的峰台投影位置重合,紧邻峰台的内侧在种子层(2)、上电极(5)、压电层(4)和下电极(3)四层上设置谷台,四层谷台投影位置重合;紧邻实际有效面积的外围内侧在种子层(2)、上电极(5)、压电层(4)和下电极(3)四层上设置谷台,四层谷台在投影位置重合,紧邻谷台的内侧在种子层(2)、上电极(5)、压电层(4)和下电极(3)四层上设置峰台,四层峰台投影位置重合;所述下电极(3)被下电极双耳通道结构(9)分成第一大面积谐振器和第一小面积谐振器裙边,所述上电极(5)被上电极双耳通道结构(10)分成第二大面积谐振器和第二小面积谐振器裙边;所述下电极双耳通道结构(9)和上电极双耳通道结构(10)均由两端为两个耳形结构及中间为通道组成,且通道填充牺牲层。2...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名董元旦雷强杨涛
申请(专利权)人:成都频岢微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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