一种针对宽带半导体的动态高温反偏测试电路和方法技术

本发明专利技术涉及一种针对宽带半导体的动态高温反偏测试电路和方法，测试电路电源电路、控制电路和测试子电路，控制电路与测试子电路连接，电源电路用于对测试电路提供电源，控制电路用于给测试子电路提供控制信号，接收测量结果，测试子电路用于根据控制电路的脉冲应力对宽带半导体施加应力，根据控制信号对宽带半导体进行老化或测量，将测量结果传输给控制电路，包括二个输出端，第一输出端用于连接宽带半导体的输入端，根据第一控制信号施加脉冲应力到宽带半导体的输入端，第二输出端用于连接宽带半导体的控制端和输出端，根据第二控制信号进行老化或测量，在老化过程中进行测量，实现了对宽带半导体各种工况的模拟，提高了测试准确性和测量精度。准确性和测量精度。准确性和测量精度。

【技术实现步骤摘要】
一种针对宽带半导体的动态高温反偏测试电路和方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种针对宽带半导体的动态高温反偏测试电路和方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着新能源汽车、充电桩等应用的爆发，第三代宽带隙半导体迎来的历史性的突破性发展。其中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为最具代表性的宽带半导体材料最引人瞩目，宽带半导体优异的高频特性使得这些无源器件的体积减小，为了减缓EMI问题，基于宽带半导体的应用布局应更为紧凑，从而缩小了系统尺寸，提升了功率密度。宽带半导体更优异的高温表现加之其较为紧凑的布局，其工况往往会处于更高的环温中。
[0003]传统的高温反偏试验（High Temperature Reverse Bias，简称HTRB）已经无法满足针对于宽带半导体材料属性以及宽带半导体所应用的高温高频工况进行有效且精准的测试。
[0004]动态高温反偏试验（DynamicHigh Temperature Reverse Bias，简称D
‑
HTRB）更能模拟反应宽带半导体真实工作下的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种针对宽带半导体的动态高温反偏测试电路，其特征在于：包括电源电路、控制电路和测试子电路，控制电路与测试子电路连接，电源电路用于对测试电路提供电源，控制电路用于给测试子电路提供控制信号，接收测量结果，测试子电路用于根据控制电路的脉冲应力对宽带半导体施加应力，根据控制信号对宽带半导体进行老化或测量，将测量结果传输给控制电路，包括二个输出端，第一输出端用于连接宽带半导体的输入端，根据第一控制信号施加脉冲应力到宽带半导体的输入端，第二输出端用于连接宽带半导体的控制端和输出端，根据第二控制信号进行老化或测量。2.根据权利要求1所述针对宽带半导体的动态高温反偏测试电路，其特征在于：测试子电路包括驱动电路、测量电路和开关电路，驱动电路、测量电路和开关电路分别与控制电路连接，测量电路和开关电路连接，驱动电路的输出用于连接宽带半导体的输入端，开关电路的一端连接测量电路，另一端用于连接宽带半导体的控制端和输出端。3.根据权利要求2所述针对宽带半导体的动态高温反偏测试电路，其特征在于：驱动电路包括半桥电路，半桥电路的输出用于连接宽带半导体的输入端，半桥电路的二个功率管的控制端分别连接控制电路，用于根据控制信号控制半桥电路的输出。4.根据权利要求2所述针对宽带半导体的动态高温反偏测试电路，其特征在于：开关电路包括二个控制开关，二个控制开关的控制端分别连接控制电路，用于根据控制信号控制二个控制开关的打开或闭合，第一控制开关的一端连接测量电路正端，另一端连接测试子电路的第二输出端，第二控制开关的一端连接测量电路负端，另一端连接测试子电路的第二输出端。5.根据权利要求2所述针对宽带半导体的动态高温反偏测试电路，其特征在于：测量电路包括第一运算电路和至少一个电阻开关组合，各电阻开关组合包括一个电阻与一个控制开关的串联，电阻开关组合中的控制开关控制端连接控制电路，所有电阻开关组...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭秋阳，杨书豪，徐怀海，毛赛君，
申请(专利权)人：忱芯科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：