碳化硅MOSFET建模方法技术

本发明专利技术提供一种碳化硅MOSFET建模方法，包括以下步骤：建立所述碳化硅MOSFET的静态特性模型；建立所述碳化硅MOSFET的动态特性模型；获取所述碳化硅MOSFET的静态特性数据点；获取所述碳化硅MOSFET的动态特性数据点；通过遗传算法，将所述静态特性数据点利用所述静态特性模型进行拟合，将所述动态特性数据点利用所述动态特性模型进行拟合，得到最优化的静态特性模型参数和动态特性模型参数。本发明专利技术能够快速建立起碳化硅MOSFET模型，模型简单、精确度高，从而利于方便、准确地评估电机驱动系统等的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅MOSFET建模方法


[0001]本专利技术涉及功率器件
，具体涉及一种碳化硅MOSFET建模方法。

技术介绍

[0002]在航空航天、轨道交通、电动汽车、电力系统和工业产出等领域内，电机驱动系统作为一种电能与机械能转化的装置，被广泛应用于上述领域，而电机驱动系统的核心是以IGBT与MOSFET为代表的硅基功率开关器件。然而，硅材料本身的物理特性与性能已达到极限，难以满足当前部分行业的需求。碳化硅MOSFET以其高功率、高临界击穿场强、高禁带宽度等优异特性受到广泛关注与应用，用以代替传统硅基MOSFET。在系统开发初期，建立碳化硅MOSFET静态与动态特性模型，有利于评估设计性能与系统的电磁兼容性能，以尽早完善，减小成本。
[0003]目前碳化硅MOSFET的建模主要有数值法、物理法、电路法等方法，数值模型、物理模型需要半导体物理基础，求解复杂；电路模型基于SPICE等软件，部分参数获取受限或测量复杂。

技术实现思路

[0004]本专利技术为解决上述技术问题，提供了一种碳化硅MOSFET建模方法，能够快速建立本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅MOSFET建模方法，其特征在于，包括以下步骤：建立所述碳化硅MOSFET的静态特性模型；建立所述碳化硅MOSFET的动态特性模型；获取所述碳化硅MOSFET的静态特性数据点；获取所述碳化硅MOSFET的动态特性数据点；通过遗传算法，将所述静态特性数据点利用所述静态特性模型进行拟合，将所述动态特性数据点利用所述动态特性模型进行拟合，得到最优化的静态特性模型参数和动态特性模型参数。2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET建模方法，其特征在于，基于改进的EKV模型公式描述所述碳化硅MOSFET的静态特性，所述静态特性模型为：其中，I
d
为漏极电流，V
gs
为栅源极电压，V
ds
为漏源极电压，h1～h7为所述静态特性模型的参数，h1描述跨导斜率，h2、h7描述V
gs
系数，h3描述阈值电压，h4为指数项，h5描述饱和系数，h6描述V
ds
系数。3.根据权利要求2所述的碳化硅MOSFET建模方法，其特征在于，基于寄生非线性电容的拟合公式描述所述碳化硅MOSFET的动态特性，所述动态特性模型为：其中，C为寄生非线性电容的容值，p0～p3为所述动态特性模型的参数。4.根据权利要求3所述的碳化硅MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：史如新，嵇建飞，许霖，刘晓康，苏佳华，庞福滨，张弛，
申请(专利权)人：国网江苏省电力有限公司国家电网有限公司，
类型：发明
国别省市：