【技术实现步骤摘要】
一种高非线性透明微晶玻璃
[0001]本专利技术涉及高非线性光学玻璃
,具体是一种高非线性透明微晶玻璃。
技术介绍
[0002]随着集成电路技术步入“后摩尔时代”,由于集成电路制程缩小带来的量子效应,一味追求缩小制程工艺推动集成电路发展的时代已经一去不复返。光子因没有电荷,相互之间几乎没有干扰,因此在传输过程中不会出现电子所具有的问题,使得光子集成技术在未来信息社会的发展中越来越受到科学界和工业界的关注。而以低能耗的方式开发、制备新型高非线性光学材料作为光子集成技术的基础更是发展光电信息技术至关重要的环节。在众多的玻璃材料中,硫系玻璃以其较高的线性折射率、超短的非线性响应和超宽的红外透过范围等优势奠定了其在红外光子集成器件和技术中的重要地位。
[0003]硫系微晶玻璃作为一种新型玻璃陶瓷材料,是指在硫系玻璃基质中嵌入至少一种晶相的复合材料。在硫系玻璃优势的基础上,硫系微晶玻璃具有更加优异的机械强度、热稳定性和光学非线性性能等优点。三阶光学非线性特性作为非线性特性的一种,在考虑材料的应用和商业价值时,往往成为人们 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高非线性透明微晶玻璃,其特征在于,该透明微晶玻璃的组成式为Ge
30
S
50
(CsCl)
20
,其由掺CsCl的Ge
‑
S硫系玻璃材料经微晶化热处理得到,该透明微晶玻璃中含有以CsCl作为成核剂的微晶,所述的微晶为β
‑
GeS2晶体或β
‑
GeS2晶体与α
‑
GeS2晶体共存的混合晶体。2.根据权利要求1所述的一种高非线性透明微晶玻璃,其特征在于,所述的微晶化热处理的温度为370~400℃。3.根据权利要求2所述的一种高非线性透明微晶玻璃,其特征在于,所述的微晶化热处理的温度为370~380℃,所述的微晶为β
‑
GeS2晶体。4.根据权利要求3所述的一种高非线性透明微晶玻璃,其特征在于,所述的β
‑
GeS2晶体由类乙烷结构的[S3Ge
‑
GeS3]、离散的[GeS4]四面体、共角与共边的[GeS4]四面体构成。5.根据权利要求2所述的一种高非线性透明微晶玻璃,其特征在于,所述的微晶化热处理的温度为390℃,所述的微晶为β
‑
GeS2晶体与α
‑
GeS2晶体共存的粒状混合晶体,晶体尺寸为25~35nm。6.根据权利要求2所述的一种高非线性透明微晶玻璃,其特征在于,所述...
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