【技术实现步骤摘要】
一种低压芯片检测外部高压电路
[0001]本专利技术涉及集成电路设计领域，具体是一种低压芯片检测外部高压电路。
技术介绍
[0002]高压检测电路，用于检测当前待测电压是否达到“高压”标准，根据是否达到“高压”，进而选择是否进行保护措施。请参阅图1，常规检测电路通常由待测电压VEE，电阻R1、R2分压，LDO稳压器，比较器A0与RS触发器构成，电阻R1，R2可以外置也可以集成在芯片内部。如图2所示，VREF一般都是远大于Vcs，上电后，R端正脉冲给RS触发器复位，Q端复位至0电平，此时由于Vcs远小于VREF，S端为0。当VEE开始增加，通过电阻分压Vcs增加，当Vcs大于VREF时，比较器A0输出S从0转为1，Q端翻转为1电平，VEE超出设定最大值。
[0003]芯片需要承受VEE电压，芯片内的高压检测电路通常待检测最高电压不超过芯片本身的最高耐压，成本较高，适用性不强，需要改进。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种低压芯片检测外部高压电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低压芯片检测外部高压电路，其特征在于：该低压芯片检测外部高压电路包括：芯片外部检测模块，用于检测芯片外部电压，采样外部电压是否超出基准电压，超出时输出电压；芯片内部检测模块，用于检测芯片内部电压，采样内部电压是否超出基准电压，超出时输出电压；辅助比较模块，用于确认采样外部电压是否正常，正常时，驱动第一RS触发模块工作；异常时，驱动第二RS触发模块工作；第一RS触发模块，用于芯片外部检测模块输出电压时，触发检测输出模块输出电压；第二RS触发模块，用于芯片内部检测模块输出电压时，触发检测输出模块输出电压；检测输出模块，用于输出电压指示待测电压过大；芯片外部检测模块连接第一RS触发模块、辅助比较模块，芯片内部检测模块连接第二RS触发模块，辅助比较模块连接第一RS触发模块、第二RS触发模块，第一RS触发模块连接检测输出模块，第二RS触发模块连接检测输出模块。2.根据权利要求1所述的低压芯片检测外部高压电路，其特征在于，芯片外部检测模块包括待测电压VEE、电阻R12、电阻R11、场效应管M2、放大器A2，电阻R12的一端连接待测电压VEE，电阻R12的另一端连接电阻R11的一端、辅助比较模块、放大器A2的同相端、场效应管M2的第一端，场效应管M2的第二端接地，场效应管M2的第三端连接放大器A2的反相端、基准电压VREF，放大器A2的输出端连接第一RS触发模块。3.根据权利要求1所述的低压芯片检测外部高压电路，其特征在于，芯片内部检测模块包括待测电压VDD、电阻R2、电阻R1、放大器A1...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋霄，高舰艇，吴昊，黄年亚，
申请(专利权)人：无锡靖芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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