【技术实现步骤摘要】
一种钴原位掺杂三氧化钼材料及其制备方法和应用
[0001]本专利技术属于超级电容器领域,涉及一种通过化学方法制备钴原位掺杂三氧化钼材料,尤其涉及一种钴原位掺杂三氧化钼材料及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]化石能源枯竭和温室气体排放导致日益严重的能源和气候危机,将导致在不久的将来对可持续能源的需求增加,如太阳能、氢能和风能。由于可持续能源时间和空间上的不均匀,使得储能器件正在快速发展中。在各种储能器件中,赝电容器通过法拉第过程储存电荷并在活性材料表面或附近发生快速可逆氧化还原反应,一直是科学家研究的热点。对于赝电容而言,通过离子嵌入氧化还原活性物质中,但没有晶体相变,这种电化学现象被描述为锂离子电池和超级电容器之间的“过渡”行为。与锂离子电池相比,赝电容具有更快的离子传输动力学、更短的充电时间、更高的倍率性能和更长的循环稳定性。相比之下,锂离子电池材料受到固态扩散的限制,导致功率密度较低。
[0003]近年来,在许多电极材料中观察到了赝电容行为,其中三氧化钼材料其低成本、无毒、高电化学活性的优点而收到了广泛的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种钴原位掺杂三氧化钼材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,制备三氧化钼材料:(1.1)室温下,将乙酰丙酮钼溶解于酒精中,搅拌12
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24h得到溶液;(1.2)将步骤(1.1)得到的溶液移至水热反应釜中进行水热反应,温度为200
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220℃,反应时间为48
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60h;(1.3)再将水热反应后的产物进行固液分离,对所得固体产物进行洗涤,烘干,得到三氧化钼前驱体材料;(1.4)将步骤(1.3)得到的三氧化钼前驱体材料进行煅烧,温度为450
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500℃,煅烧时间为3
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5h,升温速率为5
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10℃/min;步骤2,制备钴原位掺杂三氧化钼材料:(2.1)室温下,将步骤1得到的三氧化与六水合硝酸钴(Co(NO3)2·
6H2O)溶解于去离子水中,得到溶液A,搅拌12
‑
24h;(2.2)将步骤(2.1)得到的溶液移至超声波设备中进行超声;(2.3)将步骤(2.2)得到的溶液进行固液分离,对所得固体产物进行洗涤,烘干,得到钴原位掺杂三氧化钼前驱体材料;(2.4)将步骤(2.3)得到的钴原位掺杂三氧化钼前驱体材料进行煅烧,温度为500℃,煅烧时间为2
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3h,升温速率为5
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10℃/min。2.根据权利要求1所述的一种钴原位掺杂三氧化钼材料的制备方法,其特征在于,步骤1.1)中,每60
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80ml酒精中...
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