【技术实现步骤摘要】
一种层状范德华超结构碘化铋及其制备方法及由其得到的二维一碘化铋
[0001]本专利技术涉提供一种层状范德华超结构碘化铋及其制备方法,还提供及由上述方法得到的二维一碘化铋,涉及光电功能材料
中的光电功能半导体及其制备
技术介绍
[0002]层状范德华超结构通过使用不同二维原子晶体通过一层层堆叠进行构造,可以实现可设计的能带结构及光电功能;目前层状范德华超结构主要通过机械堆叠方法或分子束外延方法制造;这两种制备方法所需设备昂贵,制造过程缓慢,成本高且无法用于制造块材;传统溶液生长技术(反溶剂法,溶剂蒸发法,顶部籽晶法等)可用于低成本制造块体层状单晶;纳米材料的溶剂分散与自组装技术可用于制造纳米层状范德华超结构;但目前尚未有溶液生长或自组装技术可用于制造毫米以上宏观尺寸块体层状范德华超结构。
[0003]三碘化铋(BiI3)是一种层状半导体材料,属于空间群,其由二维I
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Bi
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I三原子层之间通过范德华力堆叠形成,结构和性能都具有明显的各向异性;三碘化铋是一种优良的辐射探 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种层状范德华超结构碘化铋,其特征在于:所述层状范德华超结构碘化铋中包括两种基本层状结构单元;所述两种基本层状结构单元为:三碘化铋(BiI3)的I
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Bi
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I三原子层和一碘化铋(BiI)的I
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Bi
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Bi
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I四原子层;所述两种基本结构单元通过层状堆叠形成非周期性超结构,层与层之间的结合力为范德华力。2.一种如权利要求1所述层状范德华超结构碘化铋的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、按重量计,取氧化铋2
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5份、碘3
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5份、黄金1份,溶于氢碘酸形成溶液,所述溶液中黄金含量为0.033
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0.125g/ml;所述溶液稀释配制成生长溶液,其中,所述氢碘酸的浓度为45%
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60%;步骤二、所述生长溶液使用1,4
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丁内脂,在密封状态下进行溶剂热处理,所述溶剂热处理的次数≥3次,其中,所述热处理的温度为60
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100℃;步骤三、将经过上述溶剂热处理过的生长溶液,在密封状态下进行水热处理,处理温度50
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80℃;步骤四、将经过水热处理的所述生长溶液进行水浴生长。3.根据权利要求2所述的一种层状范德华超结构碘化铋的制备方法,其特征在于,所述步骤一中:所述氧化铋于室温下溶于氢碘酸,形成第一溶液;所述黄金与碘于室温下溶于氢碘酸,形成第二溶液;所述稀释为采用稀释液进行;所述稀释液为10%的氢碘酸和乙醇按1:1的体积比配制成;所述第一溶液混合第二溶液形成混合溶液,所述混合溶液与稀释液的体积比为3:0.5
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1.5。4.根据权利要求3所述的一种层状范德华超结构碘化铋的制备方法,其特征在于,所述步骤一中:所述黄金与碘于室温下溶于氢碘酸,形成第二溶液时,其溶解时间为3
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5天。5.根据权利要求3所述的一种层状范德华超结构碘化铋的制备方法,其特征在于,所...
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