一种低温一步合成AgBiS2纳米晶的方法技术

一种低温一步合成AgBiS2纳米晶的方法，它涉及合成AgBiS2纳米晶的方法。本发明专利技术的目的是要解决现有AgBiS2纳米晶众多合成方法如热注入法、水热法、溶剂热法等方法存在工艺复杂，合成反应温度需求较高，合成反应时间较长，所需费用大和无法得到完整的AgBiS2纳米晶的问题。方法：一、配制溶液；二、将溶液Ⅱ加入到溶液Ⅰ中；三、洗涤干燥，得到粒径均一的AgBiS2纳米晶。本发明专利技术合成AgBiS2纳米晶的方法采用低温合成，操作简单、用时短、成本低廉，易宏量化。本发明专利技术所提供的AgBiS2纳米晶可用于新型太阳能电池、热电器件等光电器件中。热电器件等光电器件中。热电器件等光电器件中。

【技术实现步骤摘要】
一种低温一步合成AgBiS2纳米晶的方法


[0001]本专利技术涉及合成AgBiS2纳米晶的方法。

技术介绍

[0002]在新型太阳能电池研究领域中，通常会选择窄带隙的重金属化合物半导体材料如铅基卤化物钙钛矿材料，PbS，PbSe，CdS等作为活性层。然而，这些重金属化合物合成条件苛刻且对环境危害较大，为了解决这个问题，需要寻求一种绿色无毒的替代材料。经过科学研究者们大量的研究探索，最终找到了一种“绿色”无毒、具有与太阳能光谱更为匹配的带隙、电学性质良好和优异稳定性的AgBiS2纳米晶来代替这些对环境危害较大的重金属化合物。AgBiS2纳米晶目前受到相关研究者们的广泛关注，成为新一代“绿色”光伏材料之一。
[0003]然而，目前研究较多的AgBiS2纳米晶的合成方法是通过热注入法、水热法、溶剂热法等方法来合成制备。使用热注入法合成AgBiS2纳米晶通常会用到昂贵的硫源六甲基二硅硫烷，而且整个流程复杂，会涉及到抽真空，加热，通氮气，反应耗时长，所需费用大。水热法合成AgBiS2纳米晶制备工艺复杂，合成反应温度需求较高，合成反应时间较长。溶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温一步合成AgBiS2纳米晶的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：一、配制溶液：
①
、将铋源和硫源溶解在有机极性溶剂中，得到溶液Ⅰ；
②
、将银源溶于短链胺类溶剂中，得到溶液Ⅱ；二、在较低温度下，将溶液Ⅱ加入到溶液Ⅰ中，得到溶液Ⅲ；将溶液Ⅲ进行搅拌反应，得到反应产物；三、洗涤干燥：
①
、将反应产物转移至离心管中，高速离心，倒掉上清液，得到黑色沉淀物；
②
、向黑色沉淀物中加入N,N
‑
二甲基甲酰胺中，再加入甲苯，混合均匀后再高速离心，倒掉上清液，得到沉淀物质；
③
、将沉淀物质进行真空干燥，得到粒径均一的AgBiS2纳米晶。2.根据权利要求1所述的一种低温一步合成AgBiS2纳米晶的方法，其特征在于步骤一
①
中所述的铋源为碘化铋、溴化铋、氯化铋或硝酸铋；所述的溶液Ⅰ中铋源的浓度为0.1mol/L～0.5mol/L。3.根据权利要求1所述的一种低温一步合成AgBiS2纳米晶的方法，其特征在于步骤一
①
中所述的硫源为硫脲、1,3
‑
二乙基硫脲、N,N
‑
二苯基硫脲、硫代甲酰胺、硫代乙酰胺、硫代丙酰胺或升华硫；所述的溶液Ⅰ中硫源的浓度为0.1mol/L～1.1mol/L。4.根据权利要求1所述的一种低温一步合成AgBiS2纳米晶的方法，其特征在于步骤一
②
中所述的银源为碘化银、溴化银、氯化银、硝酸银或硫氰化银；所述的溶液Ⅱ中银源的浓度为0.5mol/L～2.5mol/L。5.根据权利要求1所述的一种低温一步合成AgBiS...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耀红，李俏，沈晓玉，丁帅，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：