一种提高C/C复合材料基体与SiC涂层结合力的方法技术

本发明专利技术涉及一种提高C/C复合材料基体与SiC涂层结合力的方法，包括：C/C复合材料预氧化处理；将预氧化C/C复合材料浸泡于金属盐催化剂乙醇溶液中以负载催化剂，然后置于粉料(质量百分比为1:0.1～0.6:0.2～0.8的SiO2、Si、C粉体的混合物)上方一起升至1200～1800℃并保温后冷却至室温，从而构造C/C复合材料表面“碳纤维锥@定向SiC纳米线”多孔层；(3)在900～1500℃下，采用低压化学气相沉积在C/C复合材料上沉积SiC涂层。本发明专利技术有效设计出基体

【技术实现步骤摘要】
一种提高C/C复合材料基体与SiC涂层结合力的方法


[0001]本专利技术属于复合材料
，具体涉及一种基于“碳纤维锥@定向SiC纳米线”多尺度核壳结构提高C/C复合材料基体与SiC涂层结合力的方法。

技术介绍

[0002]碳/碳(C/C)复合材料具有低密度、低热膨胀系数和优异的高温力学性能等特性，被认为是航空航天及国防领域最有前途的高温结构材料之一。但C/C复合材料在高温有氧环境中的迅速氧化和烧蚀严重地制约了其广泛应用。目前，涂层技术是提高C/C复合材料抗氧化/烧蚀性能的有效途径。其中，因与C/C基体之间具有相近的热膨胀系数、良好的物理化学相容性以及在高温下可生成具有自愈合能力且氧扩散渗透率极低的SiO2玻璃态保护膜，SiC涂层受到广泛应用。化学气相沉积(CVD)法是制备SiC涂层的常用技术，通常所需制备温度较低，从而有效避免基体的热损伤，而且制备的涂层致密度和纯度较高。然而，但普通CVD
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SiC涂层与C/C基体的界面平直，无法形成强化学结合，易造成高低温交变服役过程中涂层开裂剥落，进而导致C/C复合材料失效。因此，如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高C/C复合材料基体与SiC涂层结合力的方法，包括：(1)、C/C复合材料预氧化处理；(2)、C/C复合材料表面“碳纤维锥@定向SiC纳米线”多孔层的构造：将预氧化的C/C复合材料浸泡于浓度为0.1～2mol/L的金属盐催化剂乙醇溶液中以负载金属盐催化剂，将负载有金属盐催化剂的预氧化C/C复合材料置于粉料上方，一起在氩气气氛保护下升至1200～1800℃，保温0.5～10h后自然冷却至室温，所述粉料是质量百分比为1:0.1～0.6:0.2～0.8的SiO2、Si、C粉体的混合物；(3)低压化学气相沉积制备SiC涂层：在900～1500℃下，以氢气为反应气体，氩气为稀释气体，再用氢气带入甲基三氯硅烷在步骤二后的C/C复合材料上进行沉积，其中沉积时氩气、氢气和甲基三氯硅烷的流量分别为150～500mL/min、300～800mL/min和300～800mL/min，沉积结束冷却至室温，在多孔层表面得到SiC涂层。2.按照权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷学民，张欣，刘慧敏，郭领军，李贺军，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：