一种半导体多孔薄膜及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及传感器薄膜技术领域，尤其涉及一种半导体多孔薄膜及其制备方法与应用，本发明专利技术通过制备具有胶体尺寸的SnS2纳米片，然后与有机溶剂混匀得到SnS2胶体溶液，利用喷涂

【技术实现步骤摘要】
一种半导体多孔薄膜及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及传感器薄膜
，尤其涉及一种半导体多孔薄膜及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]金属硫属化合物因具有合适的带隙和自然界丰富的储量，引起了人们的广泛研究。比如，SnS2就是一种典型的金属硫属化合物，带隙为2.2
‑
2.6eV，是典型的间接带隙n型半导体，在催化、储能、光电探测及气体传感等方面展现了潜在的应用价值。
[0003]然而，高效、便捷的制备大面积、高质量及厚度可控的金属硫属化合物薄膜仍然具有非常大的挑战性。目前，用于制备此类薄膜的方法有机械剥离、化学气相沉积、原子层沉积、化学浴沉积或者旋涂法；但是，采用此类方法制备大面积、高质量及厚度可控的金属硫属化合物薄膜仍存在以下局限性：效率低下、要求高真空度、薄膜面积有限或者需要特殊的基底并且工艺复杂，成本高昂且难以实现工业级大面积、批量化生产等。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体多孔薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将SnS2前驱体溶液在预定温度下反应预定时间，得到SnS2纳米片；将所述SnS2纳米片分散于有机溶剂中，得到SnS2胶体溶液；将所述SnS2胶体溶液注入喷枪中，通过所述喷枪将所述SnS2胶体溶液喷涂在持续加热的基底上，得到SnS2半导体多孔薄膜。2.根据权利要求1所述的半导体多孔薄膜的制备方法，其特征在于，所述SnS2前驱体溶液的制备包括步骤：将锡盐与硫的前驱体加入水中，得到SnS2前驱体溶液。3.根据权利要求2所述的半导体多孔薄膜的制备方法，其特征在于，所述锡盐选自四氯化锡、氯化亚锡、硫酸亚锡中的一种；所述硫的前驱体选自硫代乙酰胺、硫脲、硫代硫酸钠中的一种。4.根据权利要求2所述的半导体多孔薄膜的制备方法，其特征在于，所述锡盐和所述硫的前驱体的摩尔比为(1:4)
‑
(1:6)。5.根据权利要求1所述的半导体多孔薄膜的制备方法，其特征在于，所述预定温度为160
‑
200℃，所述预定时间为12
‑
48h。6.根据权利要求2所述的半导体多孔薄膜的制备方法，其特征在于，所述SnS2前...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文华，徐强，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：