具有补偿电路的移相器制造技术

公开了一种用于具有补偿电路的相移信号的装置。在示例实现中，一种用于相移信号的装置包括具有第一端口和第二端口的移相器。该移相器还包括信号相位生成器、补偿电路和矢量调制器。该补偿电路包括具有第一电容的第一电容器和具有第二电容的第二电容器。该第一电容不同于该第二电容。该信号相位生成器被耦合在该第一端口和该补偿电路之间。该矢量调制器被耦合在该补偿电路和该第二端口之间。合在该补偿电路和该第二端口之间。合在该补偿电路和该第二端口之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有补偿电路的移相器


[0001]本公开总体上涉及与电子设备的无线通信，更具体地说，涉及实现移相器(phase shifter)。

技术介绍

[0002]电子设备包括传统计算设备，诸如台式计算机、笔记本电脑、智能手机、智能手表等可穿戴设备、互联网服务器等。然而，电子设备还包括其他类型的计算设备，诸如个人语音助理、恒温器和其他传感器或自动控制器、机器人、汽车电子设备、嵌入在其他机器(如冰箱和工业设备)中的设备、物联网(Internet of Thing，IoT)设备等等。这些各种电子设备提供与生产力、通信、社会互动、保障、安全、远程管理、娱乐、运输和信息散播相关的服务。因此，电子设备在现代社会的许多方面发挥着至关重要的作用。
[0003]在当今互联世界中，由电子设备提供的许多服务至少部分依赖于电子通信。电子通信包括例如使用无线或有线信号在不同电子设备之间或在不同电子设备之中交换的电子通信，这些无线或有线信号通过一个或多个网络(诸如互联网、Wi
‑
Fi网络或蜂窝网络)传输。因此，电子通信包括无线和有线的发送和接收。为了进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于相移信号的装置，所述装置包括：移相器，包括：第一端口；第二端口；补偿电路，包括具有第一电容的第一电容器和具有第二电容的第二电容器，所述第一电容不同于所述第二电容；信号相位生成器，被耦合在所述第一端口与所述补偿电路之间；和矢量调制器，被耦合在所述补偿电路与所述第二端口之间。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述信号相位生成器包括正交全通滤波器(QAF)。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述信号相位生成器包括：多个支路，所述多个支路中的每个支路被耦合在所述第一端口与所述补偿电路之间，所述多个支路包括：至少一个电容性支路；和至少一个电感性支路。4.根据权利要求3所述的装置，其中：所述第一电容器被耦合在所述至少一个电容性支路与所述矢量调制器之间；并且所述第二电容器被耦合在所述至少一个电感性支路与所述矢量调制器之间。5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一电容大于所述第二电容。6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一电容与所述第二电容的比率在大约二至五之间。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述补偿电路包括：具有所述第一电容的第三电容器；和具有所述第二电容的第四电容器。8.根据权利要求7所述的装置，其中：所述信号相位生成器包括多个支路，所述多个支路中的每个支路被耦合在所述第一端口与所述补偿电路之间，所述多个支路包括：第一电容性支路；第二电容性支路；第一电感性支路；和第二电感性支路；所述第一电容器被耦合在所述第一电容性支路与所述矢量调制器之间；所述第二电容器被耦合在所述第一电感性支路与所述矢量调制器之间；所述第三电容器被耦合在所述第二电容性支路与所述矢量调制器之间；并且所述第四电容器被耦合在所述第二电感性支路与所述矢量调制器之间。9.根据权利要求8所述的装置，其中，相对于所述第一端口与所述补偿电路之间的差分信令的正部分和负部分，所述第一电感性支路与所述第二电感性支路交叉耦合。10.根据权利要求8所述的装置，其中，相对于所述第一端口与所述补偿电路之间的差分信令的正部分和负部分，所述第一电容性支路与所述第二电容性支路交叉耦合。11.根据权利要求8所述的装置，其中：
所述第一电容器被直接连接到所述第一电容性支路；所述第二电容器被直接连接到所述第一电感性支路；所述第三电容器被直接连接到所述第二电容性支路；所述第四电容器被直接连接到所述第二电感性支路；以及所述补偿电路缺少电感器。12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电容是所述第二电容的大约两倍或更多倍。13.根据权利要求1所述的装置，其中：所述矢量调制器包括：第一放大支路；和第二放大支路；所述第一电容器被耦合在所述信号相位生成器与所述第一放大支路之间；并且所述第二电容器被耦合在所述信号相位生成器与所述第二放大支路之间。14.根据权利要求13所述的装置，其中：所述第一放大支路包括第一晶体管；所述第二放大支路包括第二晶体管；所述第一电容器被耦合在所述信号相位生成器与所述第一晶体管之间；并且所述第二电容器被耦合在所述信号相位生成器与所述第二晶体管之间。15.根据权利要求14所述的装置，其中：所述第一电容器被耦合在所述信号相位生成器与所述第一晶体管的栅极端子之间；所述第二电容器被耦合在所述信号相位生成器与所述第二晶体管的栅极端子之间；所述第一晶体管被实现在共源极(CS)放大器配置中，并且所述第二晶体管被实现在CS放大器配置中；并且所述第一晶体管和所述第二晶体管是使用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术而被实现的。16.根据权利要求14所述的装置，其中，所述第一放大支路包括至少一个开关晶体管，所述至少一个开关晶体管在所述第一电容器与所述第二端口之间与所述第一晶体管串联耦合。17.根据权利要求16所述的装置，其中：所述至少一个开关晶体管包括正开关晶体管和负开关晶体管；所述第二端口包括正节点和负节点；所述正开关晶体管被耦合在所述第一晶体管与所述第二端口的所述正节点之间；并且所述负开关晶体管被耦合在所述第一晶体管与所述第二端口的所述负节点之间。18.根据权利要求1所述的装置，其中：所述信号相位生成器被配置为从信号的至少一个相位分量中生成所述信号的两个或更多个相位分量，所述信号通过所述第一端口与所述补偿电路之间的所述信号相位生成器来传播；以及所述矢量调制器被配置为调整所述信号的所述两个或更多个相位分量中的相位分量的幅度，所述信号通过所述补偿电路与所述第二端口之间的所述矢量调制...

【专利技术属性】
技术研发人员：L，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：