一种芯片集成式NDIR气体传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片集成式NDIR气体传感器，包括依次键合连接的顶盖组件、第一晶片和第二晶片；所述顶盖组件与第一晶片之间形成气室，所述顶盖组件上设有通气孔，所述第一晶片上设有位于所述气室中的MEMS红外光源和热电堆组件，所述热电堆组件上盖设有滤光片；所述第二晶片上与第一晶片键合的一侧设有用于对MEMS红外光源进行控制，并对热电堆组件产生的电信号进行处理的ASIC电路，以及用于对外界进行信号交换的引脚。本发明专利技术通过将MEMS红外光源和用于感应红外信号的热电堆组件均集成在第一晶片上，减小了传感器的体积，且还将用于对热电堆组件产生的信号进行处理的ASIC电路集成在传感器内部，有效降低了传输噪声，提高了检测精度。了检测精度。了检测精度。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片集成式NDIR气体传感器及其制备方法


[0001]本专利技术属于NDIR气体传感器
，具体涉及一种芯片集成式NDIR气体传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]非色散红外(NDIR)气体传感器是基于不同气体分子的近红外光谱选择吸收特性，根据朗伯
‑
比尔定律，利用气体浓度与吸收强度的关系确定气体组分并确定其浓度的传感装置。通常NDIR气体传感器主要由红外光源、气室、滤光片和红外探测器组成。气室中的气体分子会引起特定波长的吸收，滤光片过滤掉其他波长的光，通过检测这些波长的衰减从而确定气体种类和浓度。
[0003]但目前绝大多数NDIR气体传感器是使用分立器件组合而成，导致传感器集成程度低、尺寸大，并且在检测多种气体时，需要加入更多的探测器，使NDIR气体传感器体积进一步增加。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种芯片集成式NDIR气体传感器，以解决现有的NDIR气体传感器集成程度低、尺寸大的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片集成式NDIR气体传感器，其特征在于，包括依次键合连接的顶盖组件、第一晶片和第二晶片；所述顶盖组件与第一晶片之间形成气室，所述顶盖组件上设有通气孔，所述第一晶片上设有位于所述气室中的MEMS红外光源和热电堆组件，所述热电堆组件上盖设有滤光片；所述第二晶片上与第一晶片键合的一侧设有用于对MEMS红外光源进行控制，并对热电堆组件产生的电信号进行处理的ASIC电路，以及用于对外界进行信号交换的引脚。2.根据权利要求1所述的芯片集成式NDIR气体传感器，其特征在于，所述热电堆组件包括多个呈线性阵列排布的热电堆单元，所述MEMS红外光源垂直于热电堆阵列设置。3.根据权利要求1所述的芯片集成式NDIR气体传感器，其特征在于，所述热电堆组件包括多个呈圆周阵列排布的热电堆单元，所述MEMS红外光源设于热电堆阵列的中央。4.根据权利要求2所述的芯片集成式NDIR气体传感器，其特征在于，所述滤光片为线性渐变滤光片，所述线性渐变滤光片上不同波段的区域分别与多个所述热电堆单元相对应。5.根据权利要求2或3所述的芯片集成式NDIR气体传感器，其特征在于，所述滤光片为独立的窄带滤光片，多个不同波段的窄带滤光片分别与多个所述热电堆单元相对应。6.根据权利要求1所述的芯片集成式NDI...

【专利技术属性】
技术研发人员：宏宇，武斌，
申请(专利权)人：深圳市美思先端电子有限公司，
类型：发明
国别省市：