一种降低随机电报信号的像素结构制造技术

本发明专利技术公开了一种降低随机电报信号的像素结构，包括光电二极管、传输管、悬浮节点、复位管、源跟随器、行选通管、电流源以及pixel输出；源跟随器和行选通管采用PMOS管；源跟随器和行选通管置于Pixel Nwell；pixel输出置于行选通管的源端。源跟随器106b采用空穴沟道，当沟道开启时，沟道俘获和释放空穴的效应弱于俘获和释放电子的效应。像素区的源跟随器SF和行选通管select管置于N阱中，SF正常工作时，沟道耗尽，空穴发生定向运动产生电流，与电子沟道相比，沟道俘获和释放空穴的几率远远低于俘获和释放电子的几率，有效的降低了因沟道硅氧界面俘获和释放载流子而产生的随机电报信号噪声。声。声。

【技术实现步骤摘要】
一种降低随机电报信号的像素结构


[0001]本专利技术涉及一种图像传感器，尤其涉及一种降低随机电报信号的像素结构。

技术介绍

[0002]图像传感器是目前常用的器件。
[0003]如图1、图3所示，现有技术中，传统图像传感器像素结构中的源跟随器(SF)通常采用NMOS管。
[0004]现有技术中的图像传感器像素结构至少存在以下缺点：
[0005]其沟道所产生的随机电报信号噪声(RTS)高。
[0006]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的是提供了一种降低随机电报信号的像素结构，以解决现有技术中存在的上述技术问题。
[0008]本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：
[0009]本专利技术的降低随机电报信号的像素结构，包括光电二极管101、传输管102、悬浮节点103、复位管104、源跟随器106b、行选通管107b、电流源105以及pixel输出108；所述源跟随器106b和行选通管107b采用PMOS管；
[0010]所述源跟随器1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低随机电报信号的像素结构，其特征在于，包括光电二极管(101)、传输管(102)、悬浮节点(103)、复位管(104)、源跟随器(106b)、行选通管(107b)、电流源(105)以及pixel输出(108)；所述源跟随器(106b)和行选通管(107b)采用PMOS管；所述源跟随器(106b)和行选通管(107b)置于Pixel Nwell(201b)；所述p...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈多金，旷章曲，刘志碧，陈杰，龚雨琛，张富生，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：