半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

具有一个堆叠在另一个之上的多个半导体芯片的半导体装置，提高了功能性同时降低了制造成本。半导体芯片包括光接收芯片、再布线侧半导体芯片、中间半导体芯片、贯通电极和再布线。光接收芯片接收入射光。在再布线侧半导体芯片的预定的布线表面上形成布线层。中间半导体芯片的一对接合表面中的一个接合表面与光接收芯片接合，并且一对接合表面中的另一个接合表面与再布线侧半导体芯片接合。贯通电极穿过中间半导体芯片的半导体基板。再布线以连接贯通电极和布线层的方式设在布线表面上。贯通电极和布线层的方式设在布线表面上。贯通电极和布线层的方式设在布线表面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的制造方法


[0001]本技术涉及一种半导体装置。更具体地，本技术涉及堆叠半导体装置和制造堆叠半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]迄今为止，为了实现小型化和高功能化，已经使用具有一个堆叠在另一个之上的多个半导体芯片的多层结构半导体装置。例如，已经提出了一种半导体装置，其具有一个堆叠在另一个之上的两个半导体芯片，形成有从表面穿过到背侧的贯通电极，使得两个半导体芯片借助于贯通电极和背侧凸块电连接(参见NPL 1)。这种连接模式被归类为面对背(face
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to
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back)方法。
[0003][引文列表][0004][非专利文献][0005][NPL 1][0006]Chien
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Lin Huang等人，混合过程3D
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IC的新型设计方法(“Novel Design Methodology for Hybrid Process 3D
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IC”A)，自动化与测试(“Automation and Test”)，2012年。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：光接收芯片，被配置为接收入射光；再布线侧半导体芯片，被配置为具有形成在其预定的布线表面上的布线层；中间半导体芯片，被配置为使得其一对接合表面中的一个接合表面与所述光接收芯片接合，并且所述一对接合表面中的另一个接合表面与所述再布线侧半导体芯片接合；贯通电极，被配置为穿过所述中间半导体芯片的半导体基板；以及再布线，被配置为以连接所述贯通电极和所述布线层的方式设置在所述布线表面上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述贯通电极以所述贯通电极的一端到达所述布线表面的方式穿过所述中间半导体芯片的所述半导体基板和所述再布线侧半导体芯片。3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：遮光膜，被配置为遮挡来自所述布线表面的光。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述再布线侧半导体芯片具有矩形形状，并且所述贯通电极沿着所述再布线侧半导体芯片的边布置。5.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：绝缘膜，被配置为使所述贯通电极与所述半导体基板和所述再布线侧半导体芯片绝缘。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述绝缘膜包括光敏树脂。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述一对接合表面中的所述一个接合表面是其上形成有所述中间半导体芯片的布线层的表面，所述再布线侧半导体芯片嵌入在所述中间半导体芯片的与其所述表面相对的背侧的预定区域中，并且所述贯通电极的一端到达所述背侧上除所述预定区域之外的区域。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述中间半导体芯片具有矩形形状，并且所述贯通电极沿着所述中间半导体芯片的边布置。9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：绝缘膜，其中所述一对接合表面中的所述一个接合表面是其上形成有所述中间半导体芯片的布线层的表面，所述再布线侧半导体芯片接合到所述中间半导体芯片的与其所述表面相对的背侧的预定区域，而所述绝缘膜在所述预定区域之外的区域之上形成，并且所述贯通电极包括第一贯通电极，以所述第一贯通电极的一端到达...

【专利技术属性】
技术研发人员：重岁卓志，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：