写入缓存电路、数据写入方法和存储器技术

本申请涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种写入缓存电路、数据写入方法和存储器，包括：控制模块，基于掩码写指令生成第一写入指针和待定位指针，基于写命令生成第二写入指针，基于掩码写移位指令生成第一输出指针，基于写移位指令生成第二输出指针；第一缓存模块，基于第一写入指针缓存待定位指针，基于第一输出指针输出定位指针；定位指针用于指示第二缓存模块输出根据掩码写指令生成的第二写入指针写入的写入地址；第二缓存模块，基于第二写入指针缓存写入地址，基于第二输出指针或定位指针输出缓存的写入地址，通过整合写入操作和掩码写入操作所需的写入地址存储空间，以减小写入电路在实际应用中的版图面积。减小写入电路在实际应用中的版图面积。减小写入电路在实际应用中的版图面积。

【技术实现步骤摘要】
写入缓存电路、数据写入方法和存储器


[0001]本申请涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种写入缓存电路、数据写入方法和存储器。

技术介绍

[0002]存储器在进行数据写入的过程中，需保证获取写入地址与写入操作的时序一致，才能实现数据的写入操作，通常将获取的写入地址存储在存储单元中，然后设置从存储单元中获取写入地址的时序与写入操作的时序一致，来保证获取写入地址与写入操作的时序一致。
[0003]然而，对于存储器的数据写入包括多种写入模式，例如，直接写入操作和掩码写入操作，直接写入操作即根据写入地址进行依次写入，掩码写入操作即根据写入地址进行选择写入，未被选择地址不进行数据写入。
[0004]对于不同的写入模式，采用不同存储单元来存储写入地址，以确保不同写入模式之间相互独立运行，互不影响，但不同的写入模式需要设置不同的存储单元，极大增加了存储器写入电路的面积，不符合当前存储器的发展趋势。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种写入缓存电路、数据写入方法及存储器，用于整合写入操作和掩码写入操作所需的写入地址存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种写入缓存电路，其特征在于，包括：控制模块，被配置为，基于掩码写指令生成第一写入指针和待定位指针，基于写命令生成第二写入指针，基于掩码写移位指令生成第一输出指针，基于写移位指令生成第二输出指针；其中，所述写命令为写指令和所述掩码写指令中的一者，所述待定位指针与基于所述掩码写指令生成的所述第二写入指针对应于同一写入地址；第一缓存模块，被配置为，采用队列的形式缓存数据，并基于所述第一写入指针缓存所述待定位指针，并基于所述第一输出指针输出定位指针；其中，所述定位指针为第一缓存模块缓存的所述待定位指针，用于指示第二缓存模块输出根据所述掩码写指令生成的所述第二写入指针写入的所述写入地址；所述第二缓存模块，被配置为，采用队列的形式缓存数据，并基于所述第二写入指针缓存所述写入地址，并基于所述第二输出指针或所述定位指针输出缓存的所述写入地址。2.根据权利要求1所述的写入缓存电路，其特征在于，所述第一缓存模块的深度小于所述第二缓存模块的深度。3.根据权利要求1所述的写入缓存电路，其特征在于，所述控制模块包括：第一控制子模块，被配置为，基于所述掩码写指令生成所述第一写入指针，基于所述掩码写移位指令生成所述第一输出指针；第二控制子模块，被配置为，基于所述写命令生成所述第二写入指针，基于所述写移位指令生成所述第二输出指针，还基于所述掩码写指令生成所述待定位指针。4.根据权利要求3所述的写入缓存电路，其特征在于，所述第一控制子模块包括：第一输入控制单元，用于接收所述掩码写指令，并根据所述掩码写指令生成所述第一写入指针；第一输出控制单元，用于接收所述掩码写移位指令，并根据所述掩码写移位指令生成所述第一输出指针。5.根据权利要求4所述的写入缓存电路，其特征在于，所述第一输入控制单元包括：第一数据接收子单元，用于接收所述掩码写指令，当接收到所述掩码写指令，所述第一数据接收子单元用于生成第一指针生成命令；第一写入指针生成子单元，用于接收所述第一指针生成命令，并基于所述第一指针生成命令生成所述第一写入指针，所述第一写入指针用于指示将所述待定位指针存入所述第一缓存模块。6.根据权利要求4所述的写入缓存电路，其特征在于，所述第一输出控制单元包括：第二数据接收子单元，用于接收所述掩码写移位指令，当接收到所述掩码写移位指令，所述第二数据接收子单元用于生成第一指针输出命令；第一输出指针生成子单元，用于接收所述第一指针输出命令，并基于所述第一指针输出命令生成所述第一输出指针，所述第一输出指针用于指示所述第一缓存模块输出所述定位指针。7.根据权利要求3所述的写入缓存电路，其特征在于，所述第二控制子模块包括：第二输入控制单元，用于接收所述写命令，并根据所述写命令生成所述第二写入指针，当所述写命令为所述掩码写指令，所述第二输入控制单元根据所述掩码写指令生成所述待定位指针；
第二输出控制单元，用于接收所述写移位指令，并根据所述写移位指令生成所述第二输出指针。8.根据权利要求7所述的写入缓存电路，其特征在于，所述第二输入控制单元包括：第三数据接收子单元，用于接收所述写命令，当接收到所述写命令，所述第三数据接收子单元用于生成第二指针生成命令；第二写入指针生成子单元，用于接收所述第二指针生成命令，并基于所述第二指针生成命令生成所述第二写入指针，所述第二写入指针用于指示将所述写入地址存入所述第二缓存模块；数据获取子单元，用于接收所述掩码写指令，并基于所述掩码写指令生成所述待定位指针。9.根据权利要求7所述的写入缓存电路，其特征在于，所述第二输出控制单元包括：第四数据接收子单元，用于接...

【专利技术属性】
技术研发人员：高恩鹏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：