电磁屏蔽材料、薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电磁屏蔽材料、薄膜及其制备方法，所述电磁屏蔽材料包括有A

【技术实现步骤摘要】
电磁屏蔽材料、薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术是属于电磁屏蔽领域，特别是关于一种电磁屏蔽材料、薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]集成电子设备的快速发展和电信网络的广泛应用导致了严重的电磁干扰(EMI)，这对电子设备的功能甚至人类健康都有不利影响。因此，迫切需要探索合适的屏蔽材料，以有效吸收或反射不期望的电磁辐射。根据Schelkunoff理论，总EMI屏蔽效能(SE
T
)由三部分组成：(1)反射衰减(SE
R
)，源于传播介质之间的阻抗失配；(2)吸收衰减(SE
A
)，取决于EMI屏蔽的电导率和厚度；(3)多重反射衰减(SE
M
)，因为总屏蔽效率>15dB可忽略不计。因此，高导电金属(如Al、Cu、Ag)，已广泛用于EMI屏蔽。然而，这些金属通常具有高密度(2.7～10.5g
·
cm
‑3)和较差的可加工性，使其难以用于小型移动电子设备。与金属相比，密度较低(0.3～2.6g
·
cm
‑3)的碳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽材料，其特征在于，所述电磁屏蔽材料包括有A
‑
MXene材料，所述A
‑
MXene材料的MXene片层之间存在M
‑
A
‑
M的键合点或键合段，所述A选自VIIB、VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA或VIA族元素中的至少一种，所述M代表MXene片层中的过渡金属元素。2.如权利要求1所述的电磁屏蔽材料，其特征在于，所述A
‑
MXene材料用化学式表示为M
n+1
A
m
X
n
T
x
，其中1≤n≤4，0＜m＜1，0<x<2；其中，M选自过渡金属元素中的一种或多种；和/或，A选自铝、硫、钴、镍、金、硅、磷、硫、铁、锰、铜、锌、镓、锗、砷、镉、铟、锡、铊、铅、铋元素中的一种或者多种；优选地，所述A选自铝、铟、锡、镓、锗、硅中的至少一种；和/或，X选自碳、氮或硼元素中的一种或多种；和/或，T选自Cl、Br、I元素中的一种或多种。3.如权利要求1所述的电磁屏蔽材料，其特征在于，所述A
‑
MXene材料具有手风琴状或二维纳米片状形貌。4.一种如权利要求1至3中任一项所述的电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，步骤包括：将初始MXene材料与A的单质或A的化合物在预定温度下反应预定时间；所述初始MXene材料为含有
‑
Cl、
‑
Br或
‑
I官能团的MXene材料。5.如权利要求4所述的电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括剥离步骤，将所述反应得到的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨树斌，程宗举，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：