电子设备及结构制造技术

本公开涉及电子设备及结构。该电子设备设置有两个高电子迁移率晶体管，这两个高电子迁移率晶体管彼此堆叠并且共同具有源极电极、漏极电极和栅极电极。例如，这些电极中的每一个垂直于两个晶体管延伸。例如，源极电极和漏极电极电接触每个晶体管的导电沟道，使得上述沟道并联地电连接。通过本公开的实施例，可以例如增加可能流过上述设备的电流密度。如增加可能流过上述设备的电流密度。如增加可能流过上述设备的电流密度。

【技术实现步骤摘要】
电子设备及结构


[0001]本公开涉及电子领域，并且例如涉及功率电子领域。例如，本公开涉及设置有两个高电子迁移率晶体管的电子设备。
[0002]根据本公开的设备例如被布置为允许更好地集成两个高电子迁移率晶体管。
[0003]在这点上，本公开中提供的布置能够获取紧凑的设备，相对于单个高电子迁移率晶体管，该设备使得能够增加可能流过上述设备的电流密度。

技术介绍

[0004]高电子迁移率晶体管(“HEMT”)现在广泛应用于超频领域和用于功率电子转换器的开关领域。
[0005]在这点上，HEMT晶体管通常由III
‑
V半导体材料层以及例如III
‑
N半导体材料层制成。

技术实现思路

[0006]鉴于上述问题，本公开的实施例旨在解决或缓解上述问题的至少一部分。本公开提供了一种电子设备，该电子设备包括两个高电子迁移率晶体管，为了描述的目的分别称为第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管各自设置有叠层，为了描述的目的分别称为第一叠层和第二叠层，第一叠层和第二叠层分别从界面延伸到电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，其特征在于，包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，其中所述第一高电子迁移率晶体管包括从绝缘层向所述电子设备的第一面延伸的第一叠层，并且所述第二高电子迁移率晶体管包括从所述绝缘层向所述电子设备的第二面延伸的第二叠层，所述第二面与所述第一面相对，所述第一叠层和所述第二叠层各自包括从所述绝缘层开始的阻挡层、和能够形成二维电子气的导电区域的沟道层；以及其中所述第一高电子迁移率晶体管和所述第二高电子迁移率晶体管共同具有源极电极、漏极电极和栅极电极。2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述绝缘层包括二氧化硅层。3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述源极电极和所述漏极电极各自与所述绝缘层交叉，并且各自与所述第一叠层的所述沟道层的所述导电区域以及所述第二叠层的所述沟道层的所述导电区域接触。4.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，还包括源极焊盘，所述源极焊盘布置在所述第一面上并且与所述源极电极接触。5.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，还包括在所述第二高电子迁移率晶体管的所述沟道层上的接触支撑件。6.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，还包括栅极焊盘，所述栅极焊盘布置在所述第一面上并且与所述栅极电极接触。7.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一叠层和所述第二叠层彼此镜像。8.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一高电子迁移率晶体管和所述第二高电子迁移率晶体管具有相同的阈值电压。9.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一高电子迁移率晶体管具有第一阈值电压，并且所述第二高电子迁移率晶体管具有第二阈值电压，所述第二阈值电压与所述第一阈值电压不同。10.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一高电子迁移率晶体管和所述第二高电子迁移率晶体管是增强型高电子迁移率晶体管。11.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一高电子迁移率晶体管和所述第二高电子迁移率晶体管是耗尽型高电子迁移率晶体管。12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，还包括金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述源极电极被耦合到所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极端...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：埃克斯甘公司，
类型：新型
国别省市：