芯片的低温启动控制方法及其系统、电子设备、存储介质技术方案

本发明专利技术公开了一种芯片的低温启动控制方法及其系统、电子设备、存储介质，其中，芯片包括：温度传感器和测试逻辑模块，方法包括：在芯片上电之后，通过温度传感器获取芯片的第一内部温度；在第一内部温度小于温度阈值的情况下，控制测试逻辑模块进行预热处理，通过温度传感器获取芯片的第二内部温度；在第二内部温度大于或等于温度阈值的情况下，控制芯片进入启动模式。根据本发明专利技术实施例的方案，能够在低温环境下安全地启动芯片，且电路成本较低，启动时延较小。动时延较小。动时延较小。

【技术实现步骤摘要】
芯片的低温启动控制方法及其系统、电子设备、存储介质


[0001]本专利技术涉及芯片启动
，尤其是一种芯片的低温启动控制方法及其系统、电子设备、存储介质。

技术介绍

[0002]芯片工作的温度等级，是指自然环境温度，即整机或者模块长年累月面对的气候温度，由于芯片对自然环境和对工作环境温度的适应性有差异，因此芯片工作的温度等级限制了芯片的应用范围。不同等级的芯片对工作温度的要求不同，如商业级芯片的工作温度范围为0~+70℃，绝大多数工业级芯片的工作温度范围为
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40~+85℃，少数工业级芯片的工作温度范围为
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20~+85℃，汽车工业级芯片的工作温度范围为
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40~+125℃，军品级芯片的工作温度范围为
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55~+150℃。如果芯片的工作环境温度超过其所能工作的规格范围，可能会导致芯片无法启动甚至损坏。在低温环境下，芯片内部的各模块可能无法正常工作，无法启动芯片。
[0003]相关技术中，通过采用特殊工艺获得宽温芯片，但制作成本较高。或者，通过在芯片外部增加额外的加热装置进行预加热，实现在低温环境下启动芯片，但增设的加热装置增加了电路成本，同时也增加了常温环境下的启动用时。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种芯片的低温启动控制方法及其系统、电子设备、存储介质，能够在低温环境下安全地启动芯片，且电路成本较低，启动时延较小。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种芯片的低温启动控制方法，所述芯片包括：温度传感器和测试逻辑模块，所述方法包括：在所述芯片上电之后，通过所述温度传感器获取所述芯片的第一内部温度；在所述第一内部温度小于温度阈值的情况下，控制所述测试逻辑模块进行预热处理，通过所述温度传感器获取所述芯片的第二内部温度；在所述第二内部温度大于或等于所述温度阈值的情况下，控制所述芯片进入启动模式。
[0006]根据本专利技术的一些实施例，所述芯片还包括存储器模块，所述测试逻辑模块包括MBIST电路模块，所述存储器模块与所述MBIST电路模块电连接，所述控制所述测试逻辑模块进行预热处理包括：向所述MBIST电路模块输出第一使能信号，使所述MBIST电路模块响应于所述第一使能信号启动，其中，所述MBIST电路模块是存储器内建自测试电路模块；控制所述MBIST电路模块对所述存储器模块重复进行读写操作，从而产热。
[0007]根据本专利技术的一些实施例，所述测试逻辑模块包括扫描测试电路模块，其中，所述扫描测试电路模块包括：具有多个串接的寄存器的扫描链，所述控制所述测试逻辑模块进行预热处理，包括：
向所述扫描测试电路模块输出第二使能信号，通过所述第二使能信号将所述扫描测试电路模块的工作模式设置为扫描移位模式；向所述扫描测试电路模块输出扫描测试信号，使所述扫描链中的所述寄存器响应于所述扫描测试信号反复翻转，从而产热。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，所述芯片还包括输入输出接口模块，所述控制所述测试逻辑模块进行预热处理之前，还包括：向所述芯片发送置位电平信号和第一模式设置信号，通过所述置位电平信号关闭所述输入输出接口模块，通过所述第一模式设置信号令所述芯片进入测试模式。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，所述在所述第二内部温度大于或等于所述温度阈值的情况下，控制所述芯片进入启动模式之前还包括：向所述芯片发送复位电平信号和第二模式设置信号，通过所述复位电平信号开启所述输入输出接口模块，通过所述第二模式设置信号令所述芯片退出所述测试模式。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，所述通过所述温度传感器获取所述芯片的第二内部温度，包括：在经过预设预热处理时间之后，通过所述温度传感器获取所述第二内部温度。
[0011]根据本专利技术的一些实施例，通过温度传感器获取所述芯片的第一内部温度之后，还包括：在所述第一内部温度大于或等于所述温度阈值的情况下，控制所述芯片进入启动模式。
[0012]第二方面，本专利技术实施例提供了一种芯片的低温启动控制系统，包括：芯片，所述芯片包括温度传感器和测试逻辑模块，其中，所述温度传感器用于采集所述芯片的内部温度，所述测试逻辑模块用于对所述芯片进行预热处理；预热控制模块，所述预热控制模块与所述芯片电连接；所述预热控制模块用于：在所述芯片上电之后，通过温度传感器获取所述芯片的第一内部温度；在所述第一内部温度小于温度阈值的情况下，控制所述测试逻辑模块进行预热处理，通过所述温度传感器获取所述芯片的第二内部温度；在所述第二内部温度大于或等于所述温度阈值的情况下，控制所述芯片进入启动模式。
[0013]第三方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面所述的低温启动控制方法。
[0014]第四方面，本专利技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行如第一方面所述的低温启动控制方法。
[0015]本专利技术实施例包括：在芯片上电之后，通过温度传感器获取芯片的第一内部温度；在第一内部温度小于温度阈值的情况下，控制测试逻辑模块进行预热处理，通过温度传感器获取芯片的第二内部温度；在第二内部温度大于或等于温度阈值的情况下，控制芯片进入启动模式。根据本专利技术实施例的方案，低温启动控制系统在芯片上电之后，首先通过温度传感器获取芯片的第一内部温度，接着通过预热控制模块判断第一内部温度与预设的温度阈值之间的大小关系，在第一内部温度小于温度阈值的情况下，控制测试逻辑模块进行预热处理；而后，通过温度传感器获取芯片的第二内部温度；最后通过预热控制模块判断第二
内部温度与预设的温度阈值之间的大小关系，在第二内部温度大于或等于温度阈值的情况下，控制芯片进入启动模式，在不增设额外的加热装置的情况下，利用芯片的内部模块预热芯片，在低温环境下较为安全、快速地启动芯片。即是说，本专利技术实施例的方案能够在低温环境下安全地启动芯片，且电路成本较低，启动时延较小。
[0016]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0017]图1是本专利技术一个实施例提供的芯片的低温启动控制系统的结构示意图；图2是本专利技术另一个实施例提供的芯片的低温启动控制系统的结构示意图；图3是本专利技术一个实施例提供的扫描测试电路模块的结构示意图；图4是本专利技术一个实施例提供的低温启动控制方法的流程示意图；图5是本专利技术一个实施例提供的控制测试逻辑模块进行预热处理的流程示意图；图6是本专利技术另一个实施例提供的控制测试逻辑模块进行预热处理的流程示意图；图7是本专利技术一个实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0018]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的低温启动控制方法，其特征在于，所述芯片包括：温度传感器和测试逻辑模块，所述方法包括：在所述芯片上电之后，通过所述温度传感器获取所述芯片的第一内部温度；在所述第一内部温度小于温度阈值的情况下，控制所述测试逻辑模块进行预热处理，通过所述温度传感器获取所述芯片的第二内部温度；在所述第二内部温度大于或等于所述温度阈值的情况下，控制所述芯片进入启动模式。2.根据权利要求1所述的低温启动控制方法，其特征在于，所述芯片还包括存储器模块，所述测试逻辑模块包括MBIST电路模块，所述存储器模块与所述MBIST电路模块电连接，所述控制所述测试逻辑模块进行预热处理包括：向所述MBIST电路模块输出第一使能信号，使所述MBIST电路模块响应于所述第一使能信号启动，其中，所述MBIST电路模块是存储器内建自测试电路模块；控制所述MBIST电路模块对所述存储器模块重复进行读写操作，从而产热。3.根据权利要求1所述的低温启动控制方法，其特征在于，所述测试逻辑模块包括扫描测试电路模块，其中，所述扫描测试电路模块包括：具有多个串接的寄存器的扫描链，所述控制所述测试逻辑模块进行预热处理，包括：向所述扫描测试电路模块输出第二使能信号，通过所述第二使能信号将所述扫描测试电路模块的工作模式设置为扫描移位模式；向所述扫描测试电路模块输出扫描测试信号，使所述扫描链中的所述寄存器响应于所述扫描测试信号反复翻转，从而产热。4.根据权利要求1所述的低温启动控制方法，其特征在于，所述芯片还包括输入输出接口模块，所述控制所述测试逻辑模块进行预热处理之前，还包括：向所述芯片发送置位电平信号和第一模式设置信号，通过所述置位电平信号关闭所述输入输出接口模块，通过所述第一模式设置信号令所述芯片进入测试模式。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘林，
申请(专利权)人：广州匠芯创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：