【技术实现步骤摘要】
一种基于CMOS芯片的待机唤醒振荡电路及电器设备
[0001]本专利技术涉及待机唤醒电路
，尤其涉及一种基于CMOS芯片的待机唤醒振荡电路及电器设备。
技术介绍
[0002]待机唤醒电路是一种用于节约电路功耗的模块，当电路需要待机时，其中的主工作电路关断，唤醒电路开启，而唤醒电路的电压一般远小于主电路工作电压，故可以节约功耗。当需要唤醒时，低压副电源通过控制电路激活主电路使其重新开始工作，现阶段常用的待机唤醒电路主要由电压比较器或压控元器件构成，一种是通过比较器比较输入电压与参考电压以决定是否要唤醒电路工作，另一种使用压控发光二极管与光敏器件联用以开启电路，现有的唤醒电路的存在待机状态下的静止功耗偏高的问题，用发光二极管作为信号传输的器件需要较高的工作电压，但其唤醒电路的工作电压一般可达5V，而比较器电路由于采用CMOS电路，工作电压较低，但是其参考电位需要带隙基准电路提供依然具有可优化的空间，此外由于导航芯片主电路需要提供交流信号，唤醒电路还需额外驱动晶振电路，而晶振电路的工作电压一般在3.3V，这不仅使得唤醒电路具...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于CMOS芯片的待机唤醒振荡电路，其特征在于，包括待机唤醒电路、分频电路、变压器电路、整流管电路和放大器电路，其中，所述待机唤醒电路与放大器电路连接，所述放大器电路与整流管电路连接，所述整流管电路与分频电路连接，所述分频电路与变压器电路连接：所述待机唤醒电路包括LC振荡器回路和电流镜回路；所述电流镜回路用于对输入信号进行缩放处理，所述LC振荡器回路用于对缩放后的输入信号进行振荡处理，输出655.4MHz高频正弦交流信号；所述放大器电路用于对待机唤醒电路的高频正弦交流信号进行放大处理；所述整流管电路用于对放大后的高频正弦交流信号进行整流处理；所述分频电路包括二分频回路与五分频回路；所述分频电路将整流后的高频正弦交流信号进行分频处理，输出32.77KHz低频振荡信号，同时将模拟正弦信号转化为数字方波信号；所述变压器电路用于根据低频振荡信号将辅助供电电压转换成工作电压并用于电子负载装置的处理芯片。2.根据权利要求1所述一种基于CMOS芯片的待机唤醒振荡电路，其特征在于，所述LC振荡器回路和电流镜回路包括PMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3、NMOS晶体管M4、NMOS晶体管M5、电容C1和电感L1，其中，所述PMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2和NMOS晶体管M3组成电流镜回路，NMOS晶体管M4、NMOS晶体管M5、电容C1和电感L1组成LC振荡器回路。3.根据权利要求2所述一种基于CMOS芯片的待机唤醒振荡电路，其特征在于，在电流镜回路中，所述PMOS晶体管M1的栅极与输入信号连接，所述PMOS晶体管M1的漏极与高电平连接，所述PMOS晶体管M1的源极、NMOS晶体管M2的漏极、NMOS晶体管M2的栅极和NMOS晶体管M3的栅极相连，所述NMOS晶体管M2的源极与NMOS晶体管M3的源极接地。4.根据权利要求3所述一种基于CMOS芯片的待机唤醒振荡电路，其特征在于，在LC振荡器回路中，所述NMOS晶体管M4的源极、NMOS晶体管M5的源极和电流镜回路中的NMOS晶体管M3的漏极相连，所述NMOS晶体管M4的栅极、NMOS晶体管M5的漏极、电容C1的第一端和电感L1的第一端相连，所述NMOS晶体管M4的漏极、NMOS晶体管M5的栅极、电容C1的第二端和电感L1的第二端相连。5.根据权利要求1所述一种基于CMOS芯片的待机唤醒振荡电路，其特征在于，所述二分频回路与五分频回路包括与非门U1、与非门U2、与非门U3、与非门U4、与非门U5、与非门U6、或非门B1、或非门B2、非门C1、非门C2、触发器D1、触发器D2、触发器D3和触发器D4，其中，所述非门U1、与非门U2、与非门U3、与非门U4、与非门U5和与非门U6组成二分频回路，所述或非门B1、或非门B2、非门C1、非门C2、触发器D1、触发器D2、触发器D3和触发器D4组成五分频回路。6.根据权利要求5所述一种基于CMOS芯片的待机唤醒振荡电路，其特征在于，在二分频回路中，所述与非门U1的第一输入端、与非门U3的输出端和与非门U5的第二输入端相连，所述与非门U1的第二输入端、与非门U2的第二输入端、与非门U4的第一输入端、与非门U5的第一输入端和与非门U6的第三输入端相连并接高电平，所述与非门U1的第三输入端与D端连接，所述与非门U1的输出端、与非门U3的第二输入端和与非门U2的第一输入端相连，所述与非门U3的第一输入端与与非门U4的第三输入端连接并接Clock时钟信号，所述与非门U3的
第三输入端、与非门U4的输出端、与非门U2的第三输入端和与非门U6的第二输入端相...
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