Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体制造技术

技术编号:37334079 阅读:27 留言:0更新日期:2023-04-21 23:12
本发明专利技术提供一种Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体。所述Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体以Cs2CO3、CdCl2、MnCl2为原料经溶液法搅拌后再加热制得。本发明专利技术方法制备的Mn掺杂Cs2CdCl4(Cs2CdCl4:Mn)的纯度高,且工艺简单、制备成本低、适于大批量制备生产。适于大批量制备生产。适于大批量制备生产。

【技术实现步骤摘要】
Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体


[0001]本专利技术涉及闪烁体材料,尤其涉及一种Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]闪烁体是一种能将高能射线(X射线)转换为可见光子的材料,其作为间接探测器的核心,直接决定着探测和成像效果,从而被广泛应用于医疗健康,安防安检,工业检测等领域。目前,传统的商业闪烁体材料并不完美,存在以下问题:1)高温高压的制备条件所带来的昂贵成本;2)光子产额的不足;3)无法满足人们日益增长的柔性需求。
[0003]近年来,全无机铅基钙钛矿纳米晶材料展现出十分优异的光电性质。由于其具有工艺简单,成本低廉,发射波长可调谐等优点,被研究人员广泛的研究。同时,作为闪烁体,其也在X射线成像和探测领域展现了巨大的应用潜力(Nat.Commun.2019,10,1066;Matter 2021,4,144)。但全无机铅基钙钛矿纳米晶不可忽视的自吸收以及较差的稳定性是阻碍其进一步发展的重要原因。低维锰基和锰掺杂卤化物具有较高光致发光量子产额(PLQY)和光子产额,弱自吸收,高稳定性等优势,有望成为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mn掺杂Cs2CdCl4的制备方法,其特征在于,包括:以Cs2CO3、CdCl2和MnCl2为原料经溶液法在加热条件下制备。2.根据权利要求1所述Mn掺杂Cs2CdCl4的制备方法,其特征在于,Cs2CO3、CdCl2和MnCl2的质量比为0.326:(1

x)
×
0.228:x
×
0.126,0<x<1;或者,Cs2CO3、CdCl2和MnCl2的摩尔比为1:(1

y):y,0<y<1。3.根据权利要求1或2所述Mn掺杂Cs2CdCl4的制备方法,其特征在于,所用溶剂为盐酸和N,N二甲基甲酰胺,可选地,二者体积比为1:1。4.根据权利要求1

3任一项所述Mn掺杂Cs2CdCl4的制备方法,其特征在于,Cs2CO3与所述溶剂的比例为0.326g:(6

10)mL,可选0.326g:6mL。5.根据权利要求1

4任一项所述Mn掺杂Cs2CdCl4的制备方法,其特征在于,所述加热的温度为80

100℃,可选100℃;和/或,所述加热的时间为20
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员:严铮洸王超肖家文韩晓东王颖
申请(专利权)人:北京工业大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1