一种基于二维硒化亚锡的可调波长偏振器及其设计方法技术

本发明专利技术提供了一种基于二维硒化亚锡的可调波长偏振器及其设计方法，属于新型偏振光学器件领域，偏振器包括带有二氧化硅的硅基底和二维SnSe层；二维SnSe层用于当入射光以不同角度斜射至其表面时，将p光反射率最小值对应的不同波长作为工作波长，实现通过调控入射角对偏振态的动态调控；其中：通过不同入射角、二维SnSe层的厚度、SiO2的厚度以及SnSe复折射率张量构建4

【技术实现步骤摘要】
一种基于二维硒化亚锡的可调波长偏振器及其设计方法


[0001]本专利技术属于新型偏振光学器件领域，更具体地，涉及一种基于二维硒化亚锡(SnSe)的可调波长偏振器及其设计方法。

技术介绍

[0002]作为能将一种能将偏振态完美分离的光学元件，偏振器广泛应用于显示与成像、光互连与光通信和光学测量领域。通常制备偏振器主要有三种方法，一种方法是利用某些吸收分子(例如碘分子或者液晶分子))沿特定方向的吸收实现对偏振态的分离，采用该方法制备出的偏振器通常用于显示与成像领域。然而由于吸收分子的化学不稳定性，可能导致上述偏振器无法长期稳定的工作；该偏振器还存在不可回收性以及对环境可能造成污染等问题。由于光通信与光互连领域对集成度要求较高，因而基于光纤或者光栅的偏振器往往拥有较高的集成度或者直接集成在硅或者铌酸锂平台上，然而这种基于光纤或者光栅的偏振器往往需要精细设计，从而导致高昂的仿真与制备成本。最后一种是广泛用于光学测量领域的基于双折射材料的偏振器，这种偏振器利用材料的双折射特性实现对偏振态的分离，具体来说，是利用其块体晶体以特定角度入射，实现偏振态的分离。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于二维硒化亚锡的可调波长偏振器，其特征在于，包括：带有二氧化硅的硅基底和二维SnSe层；所述二维SnSe层沉积在基底上方；二维SnSe层用于当入射光以不同角度斜射至其表面时，将p光反射率最小值对应的不同波长作为工作波长，实现通过调控入射角对偏振态的动态调控；其中，二维SnSe层的厚度以及SiO2的厚度的获取方法为：通过不同入射角、二维SnSe层的厚度、SiO2的厚度以及SnSe复折射率张量构建4
×
4传输矩阵，获取不同的消光比以及插入损耗；通过消光比和插入损耗构建评价指标，获取评价指标最大值对应的二维SnSe层的厚度以及SiO2的厚度。2.根据权利要求1所述的可调波长偏振器，其特征在于，所述二维SnSe层的厚度为1nm～1000nm。3.根据权利要求1或2所述的可调波长偏振器，其特征在于，所述入射角为20
°
～80
°
。4.根据权利要求1或2所述的可调波长偏振器，其特征在于，所述消光比为：所述插入损耗为：所述评价指标为：其中，ER为消光比；IL为插入损耗；R
p
和R
s
分别为不同入射角、不同二维SnSe厚度及不同SiO2厚度条件下SnSe
‑
SiO2‑
Si多层膜结构的p光和s光的反射率；EI表示先对第i个工作波长和第j个入射角下ER
ij
与IL
ij
作差，再对所有工作波长和入射角下的二者之差求和；N为工作波长总个数；M为入射角总个数。5.一种基于权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷洪刚，郭正峰，刘世元，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：