薄膜晶体管基板及电子器件制造技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管基板及电子器件，所述薄膜晶体管基板包括：衬底基板；凸台，所述凸台包括底切结构，所述底切结构位于所述凸台的侧壁上；填充物，位于所述底切结构内；有源层，位于所述凸台和所述衬底基板上，所述有源层包括沟道，所述沟道覆盖所述底切结构和所述填充物。本发明专利技术通过在薄膜晶体管基板上设置包括底切结构的凸台，在激光退火过程中，底切结构内的有源层材料作为籽晶，最终形成单颗晶粒构成的沟道，减小了薄膜晶体管的沟道的长度，有利于提高所述薄膜集体管在基板上的集成度，单颗晶粒构成的沟道不存在境界，提高了薄膜晶体管的迁移率。薄膜晶体管的迁移率。薄膜晶体管的迁移率。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板及电子器件


[0001]本申请涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管基板及电子器件。

技术介绍

[0002]将集成芯片(Integrated Circuit)集成在玻璃基板上(System On Glass，SOG)可以极大地提高显示面板的集成度，降低显示面板的制造成本。然而，实现SOG需要提高薄膜晶体管在基板上的集成度、最大工作频率和电路密度，这些都要求薄膜晶体管具有更短的沟道长度、更小的体积和更高的迁移率。

技术实现思路

[0003]为解决以上问题，本专利技术提供的技术方案如下：
[0004]本专利技术提供一种薄膜晶体管基板及电子器件，所述薄膜晶体管基板包括：
[0005]衬底基板；
[0006]凸台，位于所述衬底基板上，所述凸台包括底切结构，所述底切结构位于所述凸台的侧壁上；
[0007]填充物，位于所述底切结构内；
[0008]有源层，位于所述凸台和所述衬底基板上，所述有源层包括沟道，所述沟道覆盖所述底切结构和所述填充物。
[0009]可选地，在本专利技术的一些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：衬底基板；凸台，位于所述衬底基板上，所述凸台包括底切结构，所述底切结构位于所述凸台的侧壁上；填充物，位于所述底切结构内；有源层，位于所述凸台和所述衬底基板上，所述有源层包括沟道，所述沟道覆盖所述底切结构和所述填充物。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述底切结构位于所述凸台靠近所述衬底基板的一侧。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述沟道为单晶结构；所述沟道的长度大于等于0.01微米且小于等于1微米；所述凸台的厚度大于等于800埃且小于等于3000埃。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述凸台包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层在所述衬底基板上依次叠层设置；在所述第一膜层和所述第二膜层的交界处，所述第一膜层局部内缩形成所述底切结构。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二膜层的底面和所述第一膜层的侧壁构成所述底切结构，所述底面为所述第二膜层与所述第一膜层接触的表面。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述底面的边缘与所述第一膜层的侧壁之间的距离大于等于0.3微米且小于等于1微米。7.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二膜层的顶面与所述第二膜层的侧壁之间的夹角大于90。8.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述沟道覆盖所述第二膜层的至少部分侧壁。9.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二膜层的厚度与所述第一膜层的厚度的比值大于等于2且小于等于5；所述第一膜层为氮化硅层，所述第二膜层为氧化硅层。10.如权利要求1至9任意一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括在所述有源层上依次层叠设置的栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏极层，所述栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述沟道在所述衬底基板上的正投影。11.如权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述栅极绝缘层包括倾斜部，所述倾斜部覆盖所述有源层位于所述侧壁上的部分，所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李治福，刘广辉，艾飞，宋德伟，李壮，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：