【技术实现步骤摘要】
一种用于对硅片进行双面研磨的装置及方法
[0001]本专利技术涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种用于对硅片进行双面研磨的装置及方法。
技术介绍
[0002]半导体硅片的生产工艺通常包括拉晶、线切割、研磨、抛光等处理过程。其中对于双面研磨工艺而言，硅片被夹置在两个静压板之间，以便使硅片能够在不与两个静压板接触的情况下通过每个静压板与硅片之间的流体的静压而得到支承，在硅片被支承后便可以利用对置的磨轮对硅片的两个主表面进行研磨。
[0003]对于硅片的双面研磨工艺而言，由于待被研磨的硅片有不同等级的产品需求，因此加工工艺需求也是不同的。比如对于获得材料去除量大并且研磨精度要求高的硅片而言，为了提高生产效率，首先需要将研磨精度低的磨轮装配在双面研磨装置中，以快速去除硅片材料，然后再将研磨精度低的磨轮从双面研磨装置中拆除，并将研磨精度高的磨轮装配在双面研磨装置中，以获得硅片较高的研磨精度。也就是说，为了提高生产效率或者说缩短研磨时间，提升研磨后硅片的质量，满足不同的产品需求和加工特性需求，需要频繁更换多种不同规格磨轮。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于对硅片进行双面研磨的装置，其特征在于，所述装置包括：载环，所述载环用于承载硅片；一对静压板，所述一对静压板用于使流体静压作用于承载在所述载环上的硅片的两个侧面；具有不同于彼此的研磨精度的至少两对磨轮，每对磨轮均设置在所述一对静压板上并且用于对硅片的两个侧面进行研磨，其中，每对磨轮的直径均小于硅片的直径，以便在硅片受到所述流体静压的同时对硅片进行研磨，并且每对磨轮的直径均大于硅片的半径，以便在相对于硅片处于适于研磨的位置时能够通过硅片和磨轮绕各自的中心轴线旋转实现对整个硅片的研磨；驱动机构，所述驱动机构用于使所述载环与所述一对静压板之间产生相对运动，以使得每对磨轮都能够相对于硅片处于所述适于研磨的位置。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述驱动机构驱动所述载环相对于保持固定不动的所述一对静压板运动。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述驱动机构驱动所述一对静压...
【专利技术属性】
技术研发人员：张舸，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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