一种半导体金刚石膜片的加工方法技术

本申请提供了一种半导体金刚石膜片的加工方法，1)对在硅衬底上生长金刚石的生长面进行研磨或研磨后抛光处理；2)在处理后的生长面上形成保护层；3)将形成保护层的生长面使用粘黏剂粘贴到研磨或者研磨抛光一体的加工治具上；4)采用研磨方式去除衬底，除去衬底后对金刚石膜片的形核面做研磨或者研磨后抛光；5)将研磨治具上的金刚石膜片用去粘黏剂取下；6)去除生长面上的保护层，获得双面加工的金刚石膜片。该方法加工金刚石膜片，采用加工之前沉积保护层方式，可以有效避免金刚石膜片在进行双面研磨或者双面抛光过程中，导致的治具划伤、残胶难于去除，以及由于浆液渗入导致的晶片污染物无法除去的问题，提升金刚石膜片的产品性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体金刚石膜片的加工方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体金刚石膜片的加工方法。

技术介绍

[0002]金刚石是世界上最硬的材料，也是现有已知的热导率最高的材料，金刚石材料具备载流子迁移率高、载流子饱和漂移速率大、击穿场强大等特性，是制造大功率、高温、高频器件的理想材料，由于它的带隙宽、热导率高、击穿电场强、极高的电荷迁移率(CVD金刚石的电子迁移率>3000cm2/V.s)，使得金刚石半导体器件能够在高频、高功率、高电压以及强辐射等十分恶劣的环境中运行，被称为“终极半导体材料”。作为一种宽带隙半导体材料，金刚石集力学、电学、热学、声学、光学、耐蚀等优异性能于一身，是目前最有发展前途的第三代半导体材料之一，在高温大功率电力电子器件、微波功率器件、深紫外光和高能粒子探测器、深紫外发光器件、单光子光源、生物和化学传感器、微机电(MEMS)和纳机电(NEMS)器件、自旋电子学等众多领域有着极大的应用潜力。此外，从紫外到远红外很宽的波长范围内金刚石具有很高的光谱透射性能，是大功率红外激光器和探测器的光学窗口材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体金刚石膜片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：1)对在硅衬底上生长金刚石的生长面进行研磨或研磨后抛光处理；2)在处理后的生长面上形成保护层；3)将形成保护层的生长面使用粘黏剂粘贴到研磨或研磨抛光一体治具上；4)对形核面带衬底进行研磨处理，直到衬底完全除去后即对金刚石膜片形核面进行研磨或者研磨后抛光；5)将加工治具上的金刚石膜片去粘黏剂取下；6)去除生长面上的保护层，获得生长面无损伤无污染，形核面研磨或研磨后抛光的金刚石膜片。2.根据权利要求1所述的一种半导体金刚石膜片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对在硅衬底上生长金刚石的生长面进行研磨处理；(2)在处理后的生长面上形成保护层；(3)将形成保护层的生长面采用粘黏剂粘贴到研磨治具上；(4)采用研磨去除衬底，直至衬底去除后对金刚石形核面进行研磨，经充分研磨后；(5)将研磨治具上的金刚石膜片用去粘黏剂取下；(6)去除生长面上的保护层，获得形核面研磨的金刚石膜片。3.根据权利要求1所述的一种半导体金刚石膜片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对在硅衬底上生长金刚石的生长面进行研磨后抛光处理；(2)在处理后的生长面上形成保护层；(3)将形成保护层的生长面使用粘黏剂粘贴到研磨治具上；(4)采用研磨去除衬底，直至衬底去除后对金刚石形核面进行研磨，经充分研磨后；(5)将研磨治具上的金刚石膜片用去粘黏剂取下；(6)去除生长面上的保护层，获得生长面抛光形核面研磨的金刚石膜片。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：张坤锋，白鎔旼，陈祺，
申请(专利权)人：化合积电厦门半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：