【技术实现步骤摘要】
一种镀膜装置
[0001]本技术是一种镀膜装置，属于半导体加工领域。
技术介绍
[0002]半导体在生产过程中需要在外表面上镀上特定材质的膜以对其进行保护，半导体物理镀膜工艺是利用加热可蒸发的镀膜原料，使其气化，最终附着在半导体的表面。
[0003]目前，镀膜装置的主体结构包括镀膜室，镀膜室顶部设置有顶盖，为方便取放半导体，半导体在镀膜时常被放置在镀膜室和顶盖形成的空间内，气态的镀膜液遇冷后会液化附着在顶盖下表面，现有技术中的镀膜装置，为预防顶盖下表面附着的镀膜液随意滴落在半导体表面，一般采用倾斜状态的顶盖，附着在顶盖上的镀膜液在沿着顶盖的倾斜面滑落至收集容器中，达到预防顶盖上附着的镀膜液滴落在半导体上的目的，但倾斜状的顶盖上附着的镀膜液滴在滑动时会与其他镀膜液滴融合形成较大体积的镀膜液滴，体积增加的镀膜液滴会因重量增加而随意滴落，预防镀膜液滴落在半导体上的效果较差。
技术实现思路
[0004]针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种镀膜装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题，本技术预防镀膜液滴相互融合...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种镀膜装置，包括镀膜室（1），其特征在于：所述镀膜室（1）上端为开口状，所述镀膜室（1）上端安装有可拆卸的顶盖（3），所述顶盖（3）上表面均匀安装有多个贯穿顶盖（3）的上V型罩（4），所述上V型罩（4）开口朝下布置且上V型罩（4）沿着顶盖（3）宽度方向布置，所述上V型罩（4）的两侧边正下方均设有用于收集镀膜液的下V型罩（11），所述下V型罩（11）开口朝上布置且下V型罩（11）沿着顶盖（3）的宽度方向布置，所述下V型罩（11）两侧面均为开口状并与镀膜室（1）滑动接触，所述下V型罩（11）与顶盖（3）连接固定，所述镀膜室（1）一侧面上部位置均匀安装有多个分别与多个下V型罩（11）内部空间相通的弯管（5），所述弯管（5）处于镀膜室（1）外侧的一端与汇总管（6）相连相通，所述汇总管（6）外表面下部位置安装有第一截止阀（7），所述下V型罩（11）朝向第一截止阀（7）方向倾斜。2.根据权利要求1所述的一种镀膜装置，其特征在于：所述镀膜室（1）底部安装有用于收集镀膜液的底盒（9）...
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