一种太赫兹晶格环偶模式芯片传感器制造技术

本发明专利技术提供一种太赫兹晶格环偶模式芯片传感器，包括衬底和金属单元结构，所述金属单元结构包括两个形状尺寸相同的开口圆环金属器件和一个金属棒，所述两个开口圆环金属器件和一个金属棒焊接在所述衬底上，所述两个开口圆环金属器件的开口均向外，关于金属棒对称，每个开口圆环金属器件与金属棒之间的空间距离均相同。本发明专利技术的太赫兹晶格环偶模式芯片传感器基于环形共振和晶格模式之间的耦合效应，使得太赫兹波与物质相互作用在时间和空间两个维度均达到最优化，具有很大的实际应用意义。义。义。

【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹晶格环偶模式芯片传感器


[0001]本专利技术涉及超材料
，具体地，涉及一种太赫兹晶格环偶模式芯片传感器。

技术介绍

[0002]环偶极子效应(Toroidal效应)是指电流在一个甜甜圈式得圆环面上沿中线流动而引起的谐振响应，即磁偶极子首尾相接形成涡旋分布。其优点是它同时打破了空间和时间反演对称，具有许多趣的特性，如磁电效应、二向色性和非互易折射等，其独特的电流分布和涡旋场分布，通常可以实现很强的近场局域。
[0003]晶格模式(Lattice效应)的共振频率由超材料阵列的晶格周期和模式传播的折射率决定。因此，通过改变结构的晶格周期，可以很容易地调整晶格模式与等离子体结构共振耦合，从而实现品质因子的增强。
[0004]通过耦合环形谐振和一阶晶格模式，表现出频率和共振强度的双灵敏度。然而基于Toroidal效应和Lattice模式之间耦合效应的微结构在太赫兹波段报道较少，相关研究才刚刚起步，有着丰富的基础理论和系列关键前沿技术需要探索。因此，设计一种基于环形共振和晶格模式之间的耦合效应，使得太赫兹波与物质相互作用在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹晶格环偶模式芯片传感器，其特征在于，所述传感器包括衬底和金属单元结构，所述金属单元结构包括两个形状尺寸相同的开口圆环金属器件和一个金属棒，所述两个开口圆环金属器件和一个金属棒焊接在所述衬底上，所述两个开口圆环金属器件的开口均向外，关于金属棒对称，每个开口圆环金属器件与金属棒之间的空间距离均相同。2.根据权利要求1所述的太赫兹晶格环偶模式芯片传感器，其特征在于，所述衬底为正方形。3.根据权利要求1所述的太赫兹晶格环偶模式芯片传感器，其特征在于，所述衬底为电阻率ρ...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆程程，陈麟，朱亦鸣，汪冠豪，陆建峰，庄松林，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：