一种三绕组变压器的温升试验方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种三绕组变压器的温升试验方法及装置。三绕组变压器包括高压绕组、中压绕组和低压绕组，温升试验方法包括：获取三绕组变压器各绕组的额定参数，额定参数包括额定容量、额定电压和额定电流；基于各绕组的额定参数，建立三绕组变压器的等效电路；基于各绕组的额定参数和等效电路，计算各绕组的阻抗；在中压绕组和低压绕组中阻抗较小的绕组接入负载试品，阻抗较大的绕组短路，进行温升试验，负载试品为可计量损耗的负载。本发明专利技术能够减少三绕组变压器的温升试验的试验时间，提高三绕组变压器的温升试验速度。组变压器的温升试验速度。组变压器的温升试验速度。

【技术实现步骤摘要】
一种三绕组变压器的温升试验方法及装置


[0001]本专利技术涉及变压器
，尤其涉及一种三绕组变压器的温升试验方法及装置。

技术介绍

[0002]三绕组变压器的温升试验，常采用短路法进行。短路法温升试验即将三绕组变压器的中压绕组和低压绕组短路，高压绕组施加额定电压。
[0003]在该温升试验过程中，由于各绕组的阻抗并不相同，短路后中压侧和低压侧均达不到额定状态。例如，中压侧的实际损耗仅为额定损耗的80％。如此需要增加温升试验时间，以使得中压绕组的温度达到设定温度。但是，增加温升试验时间较长，例如几个小时，导致三绕组变压器温升试验时间较长，效率较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种三绕组变压器的温升试验方法及装置，能够减少三绕组变压器的温升试验的试验时间，提高三绕组变压器的温升试验速度。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种三绕组变压器的温升试验方法，三绕组变压器包括高压绕组、中压绕组和低压绕组，温升试验方法包括：获取三绕组变压器各绕组的额定参数，额定参数包括额定容量、额定电压和额定电流；基于各绕组的额定参数，建立三绕组变压器的等效电路；基于各绕组的额定参数和等效电路，计算各绕组的阻抗；在中压绕组和低压绕组中阻抗较小的绕组接入负载试品，阻抗较大的绕组短路，进行温升试验，负载试品为可计量损耗的负载。
[0006]本专利技术提供一种三绕组变压器的温升试验方法，通过建立等效电路，并基于等效电路计算各绕组阻抗，在中压绕组和低压绕组中阻抗较小的绕组接入负载试品，阻抗较大的绕组短路，进行温升试验，其中，负载试品为可计量损耗的负载。在阻抗较小的绕组上接入负载试品，增加三绕组变压器在温升过程中的短路损耗，提高了三绕组变压器的温升试验过程中总损耗，使得三绕组变压器更快温升，减少了三绕组变压器的温升试验的试验时间，提高三绕组变压器的温升试验速度。
[0007]在一种可能的实现方式中，在中压绕组和低压绕组中阻抗较小的绕组接入负载试品，阻抗较大的绕组短路，进行温升试验之前，还包括：基于高压绕组和第一绕组的额定参数，计算第一绕组和高压绕组的等值阻抗；其中，第一绕组为中压绕组和低压绕组中阻抗较小的绕组；基于第一绕组和另一绕组的额定参数，计算第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗；另一绕组为中压绕组和低压绕组中除第一绕组之外的绕组；基于等效阻抗和第一绕组与高压绕组的等值阻抗，确定负载试品的阻抗。
[0008]在一种可能的实现方式中，基于高压绕组和第一绕组的额定参数，计算第一绕组和高压绕组的等值阻抗，包括：基于如下公式，确定第一绕组与高压绕组的等值阻抗；
[0009][0010]其中，K
HM
为第一绕组与高压绕组的等值阻抗，U
MN
为三绕组变压器第一绕组的额定电压，I
MN
为三绕组变压器第一绕组的额定电流，U
KHM
为三绕组变压器高压绕组和第一绕组的短路阻抗标幺值之和，S
MN
为三绕组变压器第一绕组的额定容量，S
HN
为三绕组变压器高压绕组的额定容量。
[0011]在一种可能的实现方式中，基于第一绕组和另一绕组的额定参数，计算第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗，包括：基于第一绕组的额定电流，以及第一绕组与高压绕组的电压变比，确定第一绕组的额定电流在高压侧的第一折算值；基于另一绕组的额定电流，以及另一绕组与高压绕组的电压变比，确定另一绕组的额定电流在高压侧的第二折算值；基于第一折算值、第二折算值和另一绕组的短路阻抗，确定第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗。
[0012]在一种可能的实现方式中，基于第一折算值、第二折算值和另一绕组的短路阻抗，确定第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗，包括：基于如下公式，确定第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗；
[0013][0014]其中，Z
’
M
为第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗，Z
L
为另一绕组的短路阻抗，I
’
L
为第二折算值，I
’
M
为第一折算值。
[0015]在一种可能的实现方式中，基于等效阻抗和第一绕组与高压绕组的等值阻抗，确定负载试品的阻抗，包括：基于如下公式，确定负载试品的阻抗；
[0016][0017]其中，X为负载试品的阻抗，Z
H
为三绕组变压器高压绕组的短路阻抗，Z
’
M
为第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗，U
KHM
为三绕组变压器高压绕组和第一绕组的短路阻抗标幺值之和，K
HM
为第一绕组与高压绕组的等值阻抗。
[0018]在一种可能的实现方式中，基于各绕组的额定参数和等效电路，计算各绕组的阻抗，包括：基于如下公式，确定各绕组的阻抗；
[0019][0020]其中，Z
H
为三绕组变压器高压绕组的短路阻抗，Z
M
为三绕组变压器中压绕组的短路阻抗，Z
L
为三绕组变压器低压绕组的短路阻抗，Z1为中压绕组短路后高压绕组的检测值，Z2为低压绕组短路后高压绕组的检测值，Z3为低压绕组短路后中压绕组的检测值。
[0021]在一种可能的实现方式中，负载试品并联有损耗检测模块；温升试验方法还包括：检测负载试品在温升试验过程中的损耗；基于负载试品在温升试验过程中的损耗，以及三绕组变压器各绕组的损耗，计算三绕组变压器在温升试验过程中的总损耗。
[0022]第二方面，本专利技术实施例提供了一种三绕组变压器的温升试验装置，三绕组变压器包括高压绕组、中压绕组和低压绕组，温升试验装置包括：通信模块，用于获取三绕组变压器各绕组的额定参数，额定参数包括额定容量、额定电压和额定电流；处理模块，用于基于各绕组的额定参数，建立三绕组变压器的等效电路；基于各绕组的额定参数和等效电路，计算各绕组的阻抗；在中压绕组和低压绕组中阻抗较小的绕组接入负载试品，阻抗较大的绕组短路，进行温升试验，负载试品为可计量损耗的负载。
[0023]在一种可能的实现方式中，处理模块，还用于基于高压绕组和第一绕组的额定参数，计算第一绕组和高压绕组的等值阻抗；其中，第一绕组为中压绕组和低压绕组中阻抗较小的绕组；基于第一绕组和另一绕组的额定参数，计算第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗；另一绕组为中压绕组和低压绕组中除第一绕组之外的绕组；基于等效阻抗和第一绕组与高压绕组的等值阻抗，确定负载试品的阻抗。
[0024]在一种可能的实现方式中，处理模块，具体用于基于如下公式，确定第一绕组与高压绕组的等值阻抗；
[0025][0026]其中，K
HM
为第一绕组与高压绕组的等值阻抗，U
MN
为三绕组变压器第一绕组的额定电压，I
MN
为三绕组变压器第一绕组的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三绕组变压器的温升试验方法，其特征在于，所述三绕组变压器包括高压绕组、中压绕组和低压绕组，所述温升试验方法包括：获取三绕组变压器各绕组的额定参数，所述额定参数包括额定容量、额定电压和额定电流；基于所述各绕组的额定参数，建立三绕组变压器的等效电路；基于所述各绕组的额定参数和所述等效电路，计算各绕组的阻抗；在所述中压绕组和低压绕组中阻抗较小的绕组接入负载试品，阻抗较大的绕组短路，进行温升试验，所述负载试品为可计量损耗的负载。2.根据权利要求1所述的三绕组变压器的温升试验方法，其特征在于，所述在所述中压绕组和低压绕组中阻抗较小的绕组接入负载试品，阻抗较大的绕组短路，进行温升试验之前，还包括：基于所述高压绕组和第一绕组的额定参数，计算第一绕组和高压绕组的等值阻抗；其中，所述第一绕组为中压绕组和低压绕组中阻抗较小的绕组；基于所述第一绕组和另一绕组的额定参数，计算第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗；所述另一绕组为所述中压绕组和低压绕组中除第一绕组之外的绕组；基于所述等效阻抗和所述第一绕组与高压绕组的等值阻抗，确定所述负载试品的阻抗。3.根据权利要求2所述的三绕组变压器的温升试验方法，其特征在于，所述基于所述高压绕组和第一绕组的额定参数，计算第一绕组和高压绕组的等值阻抗，包括：基于如下公式，确定第一绕组与高压绕组的等值阻抗；其中，K
HM
为所述第一绕组与高压绕组的等值阻抗，U
MN
为所述三绕组变压器第一绕组的额定电压，I
MN
为所述三绕组变压器第一绕组的额定电流，U
KHM
为所述三绕组变压器高压绕组和第一绕组的短路阻抗标幺值之和，S
MN
为所述三绕组变压器第一绕组的额定容量，S
HN
为所述三绕组变压器高压绕组的额定容量。4.根据权利要求2所述的三绕组变压器的温升试验方法，其特征在于，所述基于所述第一绕组和另一绕组的额定参数，计算第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗，包括：基于所述第一绕组的额定电流，以及第一绕组与高压绕组的电压变比，确定第一绕组的额定电流在高压侧的第一折算值；基于另一绕组的额定电流，以及另一绕组与高压绕组的电压变比，确定另一绕组的额定电流在高压侧的第二折算值；基于所述第一折算值、所述第二折算值和所述另一绕组的短路阻抗，确定所述第一绕组在温升试验时达到额定损耗所对应的等效阻抗。5.根据权利要求4所述的三绕组变压器的温升试验方法，其特征在于，所述基于所述第一折算值、所述第二折算值和所述另一绕组的短路阻抗，确定所述第一绕组在温升试验时
达到额定损耗所对应的等效阻抗，包括：基于如下公式，确定所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建，黄宝新，郑赞，要金鹏，王建，马会彪，陈增凯，宋旭国，金斗，
申请(专利权)人：保定天威集团特变电气有限公司，
类型：发明
国别省市：