一种移位寄存单元、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种移位寄存单元、显示面板和显示装置，移位寄存单元包括：多个开关晶体管；至少部分开关晶体管为双栅晶体管；双栅晶体管包括第一栅极和第二栅极；双栅晶体管包括第一晶体管；第一晶体管的源极与时钟信号端电连接；时钟信号端的时钟信号包括多个有效脉冲；第一晶体管的第一栅极与该第一晶体管的源极电连接；第一晶体管的第二栅极处的栅极控制信号控制该第一晶体管的源极与漏极导通或断开。采用上述技术方案，可增加移位寄存单元的驱动能力，减小移位寄存单元的功耗，有利于移位寄存单元的低功耗。位寄存单元的低功耗。位寄存单元的低功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种移位寄存单元、显示面板和显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种移位寄存器、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，消费者对于显示的质量也越加关注，以往60Hz的刷新频率已经不能满足消费者的需求，高频(例如120Hz，144Hz等)具有刷新频率更高、画面更加流畅、视觉效果更好的优点，开发更高刷新频率的显示屏已是大势所趋。
[0003]有源矩阵型的显示屏以行为单位选择配置成二维形状的像素电路，并向所选择的像素电路写入对应于显示数据的电压，由此显示图像。为了以行为单位选择像素电路，采用基于时钟信号将输出信号依次移位的移位寄存单元作为扫描信号线驱动电路。另外，在进行点顺序驱动的显示屏中，在数据信号线驱动电路的内部设置有同样的移位寄存单元。其中，移位寄存单元中的主要工作部件是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。
[0004]高刷新频率，意味着移位寄存单元中的充电时间的减少，更容易导致无法将与TFT漏极连接的负载充至相应的电位，使得显示屏的视觉效果变差，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存单元，其特征在于，包括：多个开关晶体管；至少部分所述开关晶体管为双栅晶体管；所述双栅晶体管包括第一栅极和第二栅极；所述双栅晶体管包括第一晶体管；所述第一晶体管的源极与时钟信号端电连接；所述时钟信号端的时钟信号包括多个有效脉冲；所述第一晶体管的第一栅极与该所述第一晶体管的源极电连接；所述第一晶体管的第二栅极处的栅极控制信号控制该所述第一晶体管的源极与漏极导通或断开。2.根据权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，还包括：衬底基板；位于所述衬底基板一侧的半导体层；所述半导体层包括所述双栅晶体管的有源层；位于所述半导体层靠近所述衬底基板一侧的第一导电层；以及，位于所述半导体层远离所述衬底基板一侧的第二导电层；所述第一导电层包括所述第一栅极，所述第二导电层包括所述第二栅极；或者，所述第二导电层包括所述第一栅极，所述第一导电层包括所述第二栅极。3.根据权利要求2所述的移位寄存单元，其特征在于，所述双栅晶体管还包括第二晶体管；所述第二晶体管的第二栅极与该所述第二晶体管的第一栅极电连接。4.根据权利要求3所述的移位寄存单元，其特征在于，所述第二晶体管中，位于所述第二导电层的所述第二栅极通过过孔与位于所述第一导电层的所述第一栅极电连接；或者，位于所述第二导电层的所述第一栅极通过过孔与位于所述第一导电层的所述第二栅极电连接。5.根据权利要求3所述的移位寄存单元，其特征在于，所述第二晶体管还包括与所述第一栅极和所述第二栅极均不同层设置的搭接结构；所述第一栅极通过搭接结构与所述第二栅极电连接。6.根据权利要求5所述的移位寄存单元，其特征在于，还包括：位于所述第二导电层远离所述衬底基板一侧的第三导电层；所述第三导电层包括所述搭接结构、以及各所述双栅晶体管的源极和漏极。7.根据权利要求3所述的移位寄存单元，其特征在于，所述第一导电层为遮光导电层；在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，同一所述双栅晶体管中，位于所述遮光导电层的所述第一栅极或所述第二栅极投影覆盖所述双栅晶体管中有源层的沟道区投影。8.根据权利要求3所述的移位寄存单元，其特征在于，所述开关晶体管还包括第三晶体管；所述第三晶体管的栅极位于所述第二导电层，所述第三晶体管的有源层位于所述半导体层。9.根据权利要求8所述的移位寄存单元，其特征在于，所述第一导电层还包括遮光结构；在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述遮光结构投影与所述第三晶体管的至少部分有源层投影交叠，且所述遮光...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫丹丹，蔡尚福，蓝学新，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：