一种金属掩膜版用因瓦合金的制备方法技术

本申请涉及合金制备技术领域，尤其涉及一种金属掩膜版用因瓦合金的制备方法。所述方法包括:对原材料进行真空熔炼，并控制所述原材料的化学成分，得到钢水；使用所述钢水对所述铸锭模进行浇注，后进行振动，得到铸锭；其中，所述铸锭模的外部处于保温状态；对所述铸锭进行重熔精炼，得到钢锭；对所述钢锭进行均匀化处理，后进行锻造和热轧，以及轧后分阶段修磨处理，得到因瓦合金。本申请内容解决了现有金属掩膜版用因瓦合金表面夹杂物缺陷较多的技术问题。术问题。术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种金属掩膜版用因瓦合金的制备方法


[0001]本申请涉及合金制备
，尤其涉及一种金属掩膜版用因瓦合金的制备方法。

技术介绍

[0002]精细金属掩膜版是OLED蒸镀工艺中的消耗性核心零部件，主要材料是金属或金属+树脂。其主要作用是在OLED生产过程中沉积颜色系统有机物质并形成像素，在需要的地方准确和精细地沉积有机物质，提高分辨率和良率。
[0003]目前，蚀刻精细金属掩膜版技术最为成熟，量产蚀刻精细金属掩膜版需要微米级别的因瓦合金箔材。在精细金属掩膜版的生产过程中，需要将因瓦合金箔材进行蚀刻，要求其表面以及内部不能有影响蚀刻图像精度的夹杂物或缺陷存在。对于现有量产的因瓦合金箔材，夹杂物以及缺陷的尺寸和数量已经成为影响精细金属掩膜版良率的重要因素。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种金属掩膜版用因瓦合金的制备方法，以解决现有金属掩膜版用因瓦合金表面夹杂物缺陷较多的技术问题。
[0005]第一方面，本申请提供了一种金属掩膜版用因瓦合金的制备方法，所述方法包括:
[0006]对原材料进行真空熔炼，并控制所述原材料的化学成分，得到钢水；
[0007]使用所述钢水对所述铸锭模进行浇注，后进行振动，得到铸锭；其中，所述铸锭模的外部处于保温状态；
[0008]对所述铸锭进行重熔精炼，得到钢锭；
[0009]对所述钢锭进行均匀化处理，后进行锻造和热轧，以及轧后分阶段修磨处理，得到因瓦合金。
[0010]可选的，所述原材料的化学成分包括：
[0011]C、Si、Mn、Ni、S、P、O、Ce、Fe、N、H、Ca、Al；其中，
[0012]C的含量为≤0.01重量％，Si的含量为≤0.05重量％，Mn的含量为0.02重量％
‑
0.08重量％，Ni的含量为35.0重量％
‑
37.0重量％，S的含量为≤0.002重量％，P的含量为≤0.002重量％，O的含量为≤0.001重量％，Ce的含量为0.005重量％
‑
0.01重量％；
[0013]且满足[O]+[N]+[H]≤0.0015重量％，[Si]+[Ca]+[Al]≤0.05重量％；其中，
[0014][O]表示O的重量，[N]表示N的重量，[H]表示H的重量，[Si]表示Si的重量，[Ca]表示Ca的重量，[Al]表示Al的重量。
[0015]可选的，所述均匀化处理的工艺参数包括：加热温度为780℃
‑
880℃，保温时间为18h
‑
24h。
[0016]可选的，所述锻造的加热温度为1150℃
‑
1220℃。
[0017]可选的，所述热轧的加热温度为1180℃
‑
1250℃。
[0018]可选的，所述对所述带钢进行分阶段修磨处理，得到因瓦合金之后，还包括：
[0019]对所述因瓦合金进行循环冷轧，并控制所述冷轧中每个轧程的变形量，得到冷轧带钢；
[0020]对所述冷轧带钢进行分阶段退火处理，得到成品箔材。
[0021]可选的，对所述冷轧带钢进行分阶段退火处理，得到成品箔材，包括：
[0022]对所述冷轧带钢进行第一退火处理，后进行轧制和拉矫，得到成品箔材；
[0023]对所述成品箔材进行第二退火处理，以除去成品箔材的应力；其中，
[0024]轧制的变形量为40％
‑
70％，拉矫的伸长率为≤2％。
[0025]可选的，所述每个轧程的变形量为50％
‑
80％。
[0026]可选的，所述第一退火处理的温度为880℃
‑
950℃。
[0027]可选的，所述第二退火处理的温度为450℃
‑
600℃。
[0028]本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
[0029]本申请实施例提供的该金属掩膜版用因瓦合金的制备方法，通过合理的化学成分设计减少夹杂物；通过圆柱形铸锭模外部进行保温处理，同时浇注结束的铸锭模放置在振动平台上，进行高频小振幅振动，有效延长铸锭的凝固时间，同时有利于钢液中大颗粒夹杂物的上浮以及小颗粒夹杂物的均匀分布。与现有技术相比，有效的控制了因瓦合金箔材内部的夹杂物尺寸、数量以及分布；通过带坯表面处理两次，第一次先用实心砂轮修磨，第二次采用吸入式蜂窝砂轮修磨，一方面有效去除了因高温热轧而产生的表面氧化物，另一方面采用吸入式蜂窝砂轮还保证修磨掉的粉末不残留在带坯表面，保证后续冷轧箔材的表面质量。本申请所制备的因瓦合金箔材表面没有明显孔洞缺陷，夹杂物的尺寸小，数量少，分布均匀，为精细金属掩膜版的制作提供了保障。
附图说明
[0030]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本申请实施例提供的一种金属掩膜版用因瓦合金的制备方法的流程示意图；
[0033]图2为本申请实施例提供的一种金属掩膜版用因瓦合金的扫描电镜图。
具体实施方式
[0034]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0035]本申请的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6
的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
[0036]在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请说明书的描述中，术语“包括”“包含”等是指“包括但不限于”。在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。在本文中，“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属掩膜版用因瓦合金的制备方法，其特征在于，所述方法包括:对原材料进行真空熔炼，并控制所述原材料的化学成分，得到钢水；使用所述钢水对所述铸锭模进行浇注，后进行振动，得到铸锭；其中，所述铸锭模的外部处于保温状态；对所述铸锭进行重熔精炼，得到钢锭；对所述钢锭进行均匀化处理，后进行锻造和热轧，以及轧后分阶段修磨处理，得到因瓦合金。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原材料的化学成分包括：C、Si、Mn、Ni、S、P、O、Ce、Fe、N、H、Ca、Al；其中，C的含量为≤0.01重量％，Si的含量为≤0.05重量％，Mn的含量为0.02重量％
‑
0.08重量％，Ni的含量为35.0重量％
‑
37.0重量％，S的含量为≤0.002重量％，P的含量为≤0.002重量％，O的含量为≤0.001重量％，Ce的含量为0.005重量％
‑
0.01重量％；且满足[O]+[N]+[H]≤0.0015重量％，[Si]+[Ca]+[Al]≤0.05重量％；其中，[O]表示O的重量，[N]表示N的重量，[H]表示H的重量，[Si]表示Si的重量，[Ca]表示Ca的重量，[Al]表示Al的重量。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述均匀化处理的工艺参数包括：加热温度为780℃
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：于敏，胡博炜，廖朋飞，张乐，安杨，彭劼，蔡凯洪，李振瑞，
申请(专利权)人：北京北冶功能材料有限公司，
类型：发明
国别省市：