一种以单质硫为硫源水热法合成二硫化钼的方法技术

技术编号:37312231 阅读:31 留言:0更新日期:2023-04-21 22:55
本发明专利技术公开了一种以单质硫为硫源水热法合成二硫化钼的方法,属于功能材料合成技术领域。本发明专利技术采用单质硫溶于硫化物溶液中作为硫源,以含钼化合物溶液作为钼源,不需加入其他有机溶剂作为还原剂,硫源中的部分硫作为氧化剂,部分硫作为还原剂,避免加入额外物质而降低产率,本发明专利技术方法具有制备过程简单,成本低的特点,采用本发明专利技术方法制备得到的二硫化钼在不使用其它有机溶剂作为还原剂的同时,保证二硫化钼的结晶性良好。硫化钼的结晶性良好。

【技术实现步骤摘要】
一种以单质硫为硫源水热法合成二硫化钼的方法


[0001]本专利技术属于功能材料合成
,具体为一种以单质硫为硫源水热法合成二硫化钼的方法。

技术介绍

[0002]二硫化钼的结构与石墨烯类似,都为二维层状结构,是过渡金属二硫化物(TMDs)的典型代表。块状的MoS2是由众多二硫化钼纳米片层堆叠而成,单层MoS2是由S原子和Mo原子形成的夹层结构,范德华力在层间的作用比较弱,而层内的共价键较强,就使其具有良好的机械性能和抗磨减摩性能,被广泛应用于固体润滑剂以及润滑添加剂领域,被称为“超级固体润滑剂”。另外,二硫化钼具有特殊的能带结构,带隙约为1.29eV,具有间接半导体性,从而呈现出良好的光和电学性能,在超级电容器、锂离子电池、场效晶体管、生物传感器和半导体材料等方面的应用较为广泛。随着纳米技术的发展,研究者们发现纳米MoS2材料许多方面的性能均优于普通MoS2,对纳米MoS2的合成和性能研究成了研究热潮。
[0003]纳米二硫化钼的合成策略分别为“自上而下”和“自下而上”两种。机械剥离和化学剥离方法都可以将大尺寸的二硫化钼剥离为小尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种以单质硫为硫源水热法合成二硫化钼的方法,其特征在于,以单质硫溶于硫化物溶液中所得的多硫化物溶液作为硫源,以含钼化合物溶液作为钼源,将硫源与钼源混合进行水热合成后冷却,纯化干燥后得到二硫化钼粉末。2.根据权利要求1所述的以单质硫为硫源水热法合成二硫化钼的方法,其特征在于,所述单质硫为升华硫,所述硫化物为硫化铵、硫化钠和硫化钾中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的以单质硫为硫源水热法合成二硫化钼的方法,其特征在于,所述单质硫与硫化物的摩尔比为3.0~4.5:1。4.根据权利要求2所述的以单质硫为硫源水热法合成二硫化钼的方法,其特征在于,所述单质硫溶于硫化物溶液的溶解温度为30~90℃。5.根据权利要求1所述的以单质硫为硫源水热法合成二硫化钼的方法,其特征在于,所述含钼化合...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘秀芳眭剑崔学军齐玉明
申请(专利权)人:四川轻化工大学
类型:发明
国别省市:

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