一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线及其馈电方法技术

本发明专利技术涉及一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线及其馈电方法，属于馈电天线技术领域，解决了现有技术中天线的工作带宽和扫描性能受限的问题。本发明专利技术包括多个阵列分布的双圆极化天线单元；天线单元的第一层介质的上表面和下表面均设有微带贴片；第三层介质的上表面设有第三金属地板和H形缝隙；第四层介质的上表面设有耦合微带线；第四层介质的下方设有同轴馈电内芯和同轴馈电外壳；同轴馈电内芯的上端连接耦合微带线，下端连接馈电端口。本发明专利技术通过设置金属过孔使双圆极化天线单元在由其组成的天线阵列中不会相互影响，从而可以获得更大的扫描角度和更宽的带宽。大的扫描角度和更宽的带宽。大的扫描角度和更宽的带宽。

【技术实现步骤摘要】
一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线及其馈电方法


[0001]本专利技术涉及阵列天线
，尤其涉及一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线及其馈电方法。

技术介绍

[0002]毫米波相控阵由于天线等结构较小，往往需要更为精细的加工工艺，国内外此类天线的主要实现是硅基或者PCB(印制电路板)介质。在毫米波天线系统中通常都是将天线与后端的芯片进行集成，因此设计的难度在于系统的集成与封装，天线结构往往都是采用简单的贴片天线等形式。
[0003]现有天线存在的缺点：
[0004]1)基于硅基的天线阵，介电常数高，工作带宽和扫描性能受限。
[0005]2)基于PCB介质的天线阵，仅适用于一维天线阵，阵列规模和扫描角度受限。
[0006]因此，针对现有阵列天线的工作带宽和扫描角度受限的问题，需要提供一种新的阵列天线。

技术实现思路

[0007]鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线及其馈电方法，用以解决现有阵列天线工作带宽和扫描性能受限的问题。
[0008]本专利技术的目的主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线，其特征在于，包括多个阵列分布的双圆极化天线单元(1)；所述双圆极化天线单元(1)包括：辐射层和馈电层；所述辐射层包括：第一层介质(11)和第二层介质(12)；所述馈电层包括：第三层介质(13)和第四层介质(14)；所述辐射层设有多个第一金属过孔(15)，所述馈电层设有多个第二金属过孔(16)；所述第一层介质(11)的上表面和第二层介质(12)的上表面均设有微带贴片；所述第三层介质(13)的上表面设有第三金属地板(131)，所述第三金属地板(131)上设有H形缝隙；所述H形缝隙有两个，分别为：第一H形缝隙(132)和第二H形缝隙(133)；所述第四层介质(14)的上表面设有耦合微带线；所述耦合微带线包括第一耦合微带线(142)和第二耦合微带线(143)；所述第四层介质(14)的下方设有同轴馈电内芯和同轴馈电外壳；所述同轴馈电内芯贯穿所述第四层介质(14)，且所述同轴馈电内芯的上端连接耦合微带线，下端连接馈电端口。2.根据权利要求1所述的W波段的双圆极化玻璃基阵列天线，其特征在于，所述第一层介质(11)的上表面还设有第一金属地板(111)；所述第一金属地板(111)为L形，且设置在第一层介质(11)上表面的四个角上。3.根据权利要求2所述的W波段的双圆极化玻璃基阵列天线，其特征在于，所述第二层介质(12)的上表面还设有第二金属地板(121)；所述第二金属地板(121)为L形，且设置在第二层介质(12)上表面的四个角上。4.根据权利要求1
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3任一项所述的W波段的双圆极化玻璃基阵列天线，其特征在于，所述微带贴片包括：第一微带贴片(112)和第二微带贴片(122)；所述第一微带贴片(112)设置在所述第一层介质(11)的上表面；所述第二微带贴片(122)设置在第二层介质(12)的上表面。5.根据权利要求4所述的W波段的双圆极化玻璃基阵列天线，其特征在于，所述第一微带贴片(112)和第二微带贴片(122)均设有切角；所述第二微带贴片(122)的中心设有方孔(123)。6.根据权利要求5所述的W波段的双圆极化玻璃基阵列天线，其特征在于，所述同轴馈电内芯包括：第一同轴馈电内芯(171)和第二同轴馈电内芯(181)；所述同...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳建生，康育贵，胡锐，
申请(专利权)人：广东越新微系统研究院，
类型：发明
国别省市：