一种晶体材料及其制备方法和应用技术

本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用，属于光学材料领域。一种晶体材料，所述晶体材料的化学式为2(C3N6H6)

【技术实现步骤摘要】
一种晶体材料及其制备方法和应用


[0001]本申请涉及一种晶体材料及其制备方法和应用，属于光学材料领域。

技术介绍

[0002]当一束光照射在晶体界面上后会产生两束折射光，这种现象称为双折射。产生双折射率的原因由于晶体材料本身的各向异性，能够产生这种现象的晶体称为双折射率晶体。能产生双折射的晶体可分为单轴晶体和双轴晶体，三方、四方或六方晶系的晶体是单轴晶体，正交、单斜和三斜晶系的晶体称为双轴晶体。双折射率晶体在光学领域中的应用非常广泛，例如光刻、通讯和微加工等领域。
[0003]目前已经商业化应用的双折射率晶体包括金红石晶体、铌酸锂晶体、钒酸钇晶体、方解石晶体、二氧化硅晶体、氟化镁晶体以及α
‑
BaB2O4晶体等。钒酸钇晶体是一种性能优良的晶体，但是其紫外截止边在400nm以上，对低于400nm的之外波段它的透过能力很差，因此它无法在紫外深紫外波段应用。氟化镁晶体具有较长的透过范围(110nm～8500nm)，是唯一能够用于紫外深紫外波段的双折射晶体，但其双折射率较小，严重影响其应用。同样受双折射率大小困扰的还有二氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体材料，其特征在于，所述晶体材料的化学式为2(C3N6H6)
·
HPF6·
H2O；C3N6H6之间通过分子内N
‑
H
···
N的氢键连接；(PF6)
‑
与C3N6H6通过分子内氢键连接形成三维结构。2.根据权利要求1所述的晶体材料，其特征在于，所述晶体材料为单晶结构。3.根据权利要求1所述的晶体材料，其特征在于，所述晶体材料属于单斜晶系，空间群为P21/n。4.根据权利要求1所述的晶体材料，其特征在于，所述晶体材料的晶胞参数如下：α＝90
°
，β＝91.29
°
，γ＝90
°
。5.根据权利要求1所述的晶体材料，其特征在于，所述晶体材料经第一性原理计算在1042nm处具有0.210～0.230的双折射率。6.权利要求1～5任一项所述的晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘乐辉，林州斌，张莉珍，苑菲菲，黄溢声，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：