一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法技术

本发明专利技术公开了一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，具体包括如下步骤：将改性聚合物溶于N,N

【技术实现步骤摘要】
一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料制备
，具体涉及一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法。

技术介绍

[0002]电子工业的发展与半导体器件对材料的需求是促进半导体材料研究和开拓的动力，而材料的优化和新型材料的出现，又促进了半导体器件效率的提高和新的器件的产生而在此过程中，有机小分子半导体得到了很大的发展，其在光电器件领域的应用日益深入，如在电致发光器件、场效应晶体管及太阳能电池等方面的应用均引起了国内外学者的广泛研究兴趣。有机小分子半导体与传统的无机半导体比较，不仅具有更宽的吸收范围和更高的吸光系数，而且还占有各种技术方面的优势，比如低廉的价格，种类的多样化，分子结构的可调性，制备过程的简单化，以及与柔性基底的兼容性。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，解决了现阶段半导体薄膜受到外力拉伸自身出现裂纹，对电路造成影响的问题。
[0004]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0005]一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，具体包括如下步骤：
[0006]将改性聚合物溶于N,N
‑
二甲基甲酰胺中，将基材浸泡在其中，浸泡30
‑
50s后，以0.5
‑
0.8cm/s的提拉速度取出基材，将在温度为130
‑
150℃的条件下，烘干成膜，再从基材上剥离，制得可拉伸半导体薄膜。
[0007]进一步，所述的改性聚合物由如下步骤制成：
[0008]步骤A1：将苯并噻吩和氯仿混合均匀，通入氮气保护，在转速为120
‑
150r/min，温度为0
‑
3℃的条件下，进行搅拌并滴加液溴，搅拌10
‑
15min，制得中间体1，将中间体1加入四氢呋喃中，在零下78℃的条件下，氮气保护并加入丁基锂，升温至零下30
‑
25℃，进行反应40
‑
50min后，降温至零下78℃，加入氯化铜，升温至室温，搅拌10
‑
15h，制得中间体2；
[0009]反应过程如下：
[0010][0011]步骤A2：将中间体2加入乙醚中，在零下78℃的条件下，氮气保护并加入丁基锂，搅拌1
‑
1.5h后，加入四氯化硅，升温至室温，继续反应3
‑
5h，制得中间体3，将中间体3、溴化氢饱和水溶液、四氢呋喃混合均匀，在转速为200
‑
300r/min，温度为20
‑
25℃的条件下，搅拌并滴加液溴，升温至70
‑
80℃，进行反应5
‑
7h，制得中间体4；
[0012]反应过程如下：
[0013][0014]步骤A3：将3,6
‑
二溴
‑
9,10
‑
菲醌、硫代二乙酸二甲酯、苯混合均匀，在转速为150
‑
200r/min，温度为70
‑
80℃的条件下，搅拌30
‑
40min后，降温至0
‑
3℃，加入特丁醇钾，通入氮气保护，在温度为50
‑
60℃的条件下，进行反应6
‑
8天后，加入氢氧化钠水溶液，水解10
‑
15h，制得中间体5；
[0015]反应过程如下：
[0016][0017]步骤A4：将中间体5、氯化亚砜、N,N
‑
二甲基甲酰胺混合均匀，在转速为200
‑
300r/min，温度为80
‑
90℃的条件下，进行反应7
‑
9h后，蒸馏去除氯化亚砜，加入十二烷醇，继续反应10
‑
15h，制得中间体6，将中间体6、联硼酸频那醇酯、乙酸甲、氯化钯、二氧六环混合均匀，氩气保护，在转速为150
‑
200r/min，温度为80
‑
90℃的条件下，进行反应20
‑
24h，制得中间体7；
[0018]反应过程如下：
[0019][0020]步骤A5：将中间体4、中间体7、氟化钾、三二亚苄基丙酮二钯、甲苯、二氧六环混合均匀，在温度为零下15
‑
20℃的条件下，通入氩气置换空气，升温至90
‑
95℃，避光反应20
‑
25h，加入对甲基苯硼酸，进行反应20
‑
25h，再加入对溴甲苯，继续反应20
‑
25h，加入甲醇，过滤去除滤液，将底物提纯，制得改性聚合物。
[0021]进一步，步骤A1所述的苯并噻吩和液溴1mmol:1.2mL，中间体1、丁基锂、氯化铜的摩尔比为10:1:1.3。
[0022]进一步，步骤A2所述的中间体2、丁基锂、四氯化硅的摩尔比为5:10.5:2.8,中间体3、溴化氢、液溴的用量比为0.35mol:60mL:0.11mol。
[0023]进一步，步骤A3所述的3,6
‑
二溴
‑
9,10
‑
菲醌、硫代二乙酸二甲酯、特丁醇钾、硫代二乙酸二甲酯的摩尔比20:13.5:100，氢氧化钠溶液的质量分数为3
‰
。
[0024]进一步，步骤A4所述的中间体5、氯化亚砜、十二烷醇的用量比为2mmol:10mL:15mL，中间体6、联硼酸频那醇酯、乙酸甲、氯化钯的用量比为1mol:3mol:6mol:60g。
[0025]进一步，步骤A5所述的中间体4、中间体7、氟化钾、三二亚苄基丙酮二钯、对甲基苯硼酸的用量比为0.15mol:0.15mol:1.2mol:3g:0.2mol。
[0026]本专利技术的有益效果：本专利技术制备的一种可拉伸半导体薄膜以改性聚合物为原料用N,N
‑
二甲基甲酰胺溶解，再将基材浸泡在其中，取出基材并烘干，使得改性聚合物成膜，制得可拉伸半导体薄膜，该改性聚合物以苯并噻吩为原料用液溴处理，制得中间体1，将中间体1在丁基锂与氯化铜的作用下，制得中间体2，将中间体2与四氯化硅反应，形成十字结构，制得中间体3，将中间体3用液溴处理，制得中间体4，将3,6
‑
二溴
‑
9,10
‑
菲醌用硫代二乙酸二甲酯和特丁醇钾处理，制得中间体5，将中间体5和十二烷醇反应，制得中间体6，将中间体6和联硼酸频那醇酯反应，制得中间体7，将中间体4与中间体7聚合，制得改性聚合物，该改性聚合物为长链螺旋状结构，且分子侧链含有大量长链烷基，能够降低分子间的作用力，使得制备出的半导体薄膜具有很好的拉伸效果，同时该改性聚合物为P
‑
型半导体，使得该薄膜能够满足半导体技术要求。
具体实施方式
[0027]下面结合具体实施方式对本专利技术做进一步详细的说明。本专利技术的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，其特征在于：具体包括如下步骤：将改性聚合物溶于N,N
‑
二甲基甲酰胺中，将基材浸泡在其中，浸泡30
‑
50s后，以0.5
‑
0.8cm/s的提拉速度取出基材，将在温度为130
‑
150℃的条件下，烘干成膜，再从基材上剥离，制得可拉伸半导体薄膜。2.根据权利要求1所述的一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，其特征在于：所述的改性聚合物由如下步骤制成：步骤A1：将苯并噻吩和氯仿混合搅拌并滴加液溴，搅拌处理，制得中间体1，将中间体1加入四氢呋喃中，氮气保护并加入丁基锂，升温反应后，降温并加入氯化铜，升温至室温，搅拌处理，制得中间体2；步骤A2：将中间体2加入乙醚中，在零下78℃的条件下，氮气保护并加入丁基锂，搅拌处理后，加入四氯化硅，升温继续反应，制得中间体3，将中间体3、溴化氢饱和水溶液、四氢呋喃混合搅拌并滴加液溴，升温反应，制得中间体4；步骤A3：将3,6
‑
二溴
‑
9,10
‑
菲醌、硫代二乙酸二甲酯、苯混合搅拌后，降温并加入特丁醇钾，通入氮气保护，进行反应后，加入氢氧化钠水溶液，水解，制得中间体5；步骤A4：将中间体5、氯化亚砜、N,N
‑
二甲基甲酰胺混合反应后，蒸馏去除氯化亚砜，加入十二烷醇，继续反应，制得中间体6，将中间体6、联硼酸频那醇酯、乙酸甲、氯化钯、二氧六环混合均匀，氩气保护，进行反应，制得中间体7；步骤A5：将中间体4、中间体7、氟化钾、三二亚苄基丙酮二钯、甲苯、二氧六环混合均匀，在温度为零下15
‑
20℃的条...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘曹峰，韩勋，
申请(专利权)人：江苏振宁半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：